SiC and GaN vs. IGBTs争夺霸权，迫在眉睫的拔河比赛

最新推荐文章于 2024-07-18 08:30:47 发布

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文章标签： sic功率器件混合sic功率模块

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随着汽车和工业对高效能、小型化需求的增长，SiC和GaN功率器件逐渐替代IGBT。SiC和GaN在高电压、高温环境下展现出高效性能，但高昂的价格和阈值电压不稳定性是挑战。制造商正在通过更大晶圆降低成本，提高产品质量。IGBT仍具低导通损耗和良好控制特性，但在转换速度和热管理方面受限。Wolfspeed、STMicroelectronics、Semikron和Rohm等公司正推进SiC技术的发展，而EPC和Exagan等公司在GaN技术上取得突破，GaN在开关损耗方面表现出优势。

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汽车、工业需要更小尺寸、更轻重量和更高效操作的应用，越来越倾向于采用SiC和GaN解决方案。
SiC and GaN vs. IGBTs争夺霸权
经过多年的实验室研发，用于集成电路的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等复合半导体材料在处理电力方面发挥了更大的作用。这些宽带隙（WBG）器件已经准备好在需要在高电压和高温下工作的同时显示出高效率的应用中开拓出一个利基。他们准备接手基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术的设计。

要克服的一个大因素是相对较高的价格，制造商正试图通过使用更大的晶圆来解决这个问题。另一个问题是阈值电压水平的不稳定性，这是由纯SiC和生长的SiO2之间混乱的过渡区引起的，后者抑制了载流子的迁移率。然而，这里也取得了进展。

然而，IGBT技术并没有退缩，各公司都在寻求改进。IGBTS具有低导通损耗和良好控制开关时间的特点，可以阻断高压。但它们的转换速度受到限制，同时提供低的状态传导损耗。这导致了对昂贵和大规模的热管理方法的需求和对电力转换系统效率的限制。

尽管如此，IGBT开发人员仍在努力克服这些性能挑战。追求IGBT技术的主要公司包括富士通、英飞凌、Microsemi和Semikron。

电动汽车调零
SiC和GaN两个最赚钱和最接近的应用是电动汽车和混合动力电动汽车（EV和HEV）。一些特定的工业应用也在其中。SiC和GaN越来越受欢迎有多种原因：它们在更高的电压和温度下工作，更坚固，寿命更长，切换速度比传统半导体器件快得多。
SiC和GaN设备开发和产品的领导者之一是Wolfspeedÿ

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