SIC知识（10）--为什么碳化硅IGBT很少见？

碳化硅很好，但为什么碳化硅IGBT很少见？

01、什么是IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 的中文名称是绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，由四个区域组成：N+型集电极、P型漏极、N型沟道和P+型栅极。IGBT芯片中使用的重要技术是沟道控制、载流子注入和处理高电压的结构设计。

▲几种常见的功率器件 | 图源网络

02、为什么不用SiC

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为什么市场上少有碳化硅IGBT？这和碳化硅的材料特性息息相关。与标准硅材料相比，碳化硅最大的优势是耐高温、耐高压、损耗低，这也使其成为目前高压大功率应用中的半导体材料首选。

碳化硅IGBT由于电导调制效应，导通电阻显著减小，与碳化硅MOSFET器件相比具有明显优势。以15kV IGBT器件为例，导通电阻降低约88%。但与此同时，碳化硅IGBT与碳化硅MOSFET结构上最大的区别为背面多了PN结，结电压为2.6V。这一特性限制了其在10kV以下领域的应用。

▲SiC IGBT/MOSFET比导通电阻与击穿电压关系 | 图源: 功率半导体之家

碳化硅作为一种宽禁带材料，可以在高耐压下保持更轻薄的芯片体积。而目前的碳化硅MOSFET已经可以覆盖IGBT的耐压水平、达到6500V耐压值，且MOSFET的芯片结构比IGBT更简单。

因此，在6500V及以下，SiC MOSFET更具优势，其导通电阻小于SiC IGBT。而在6500V或是更高的电压以上，SiC IGBT具有优势，其导通电阻小于SiC MOSFET。

▲IGBT与MOSFET | 图源网络

03、成本仍是最大阻碍

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碳化硅(SiC) IGBT作为一种高性能的功率半导体器件，虽然具有许多优势，但在市场应用上并不常见，这主要是由于以下几个原因：

1. **成本问题**：碳化硅器件的成本相对较高，目前批量化价格大约是硅基IGBT的3到5倍。碳化硅衬底的生产效率较低，且主流晶圆尺寸仍为4英寸和6英寸，导致原材料成本较高。此外，制造和封装过程中的低成品率也增加了成本。

2. **产业链成熟度**：碳化硅器件的产业链相对较新，尚未完全成熟。碳化硅器件的普及需要一个成熟的供应链体系，包括原材料供应、芯片制造、器件封装等各个环节。

3. **技术挑战**：碳化硅IGBT在制造过程中面临一些技术挑战。虽然碳化硅材料本身具有优异的物理特性，但要实现高效率的器件制造，需要克服一些技术难题，如提高良率和降低生产成本。

4. **市场接受度**：由于成本和技术成熟度的限制，市场对碳化硅IGBT的接受度相对较低。许多应用场景可能仍然使用传统的硅基IGBT，因为它们在性价比上更具优势。

5. **投资和研发**：碳化硅IGBT的研发和生产需要大量的资金投入。近年来对IGBT/SiC功率半导体的投资热潮再起，但这些投资是否能够快速转化为市场上广泛可用的产品，还需要时间来观察。

6. **应用领域的限制**：碳化硅IGBT虽然在一些高性能应用领域（如新能源汽车、太阳能光伏等）具有明显优势，但在其他一些对成本敏感的应用中，其高成本可能限制了其应用范围。

7. **市场惯性**：市场对于新技术的接受通常需要一个过程，尤其是当新技术试图替代已经广泛应用的旧技术时。硅基IGBT由于其成熟的技术和较低的成本，在市场上已经占据了稳定的份额。

尽管存在上述挑战，但随着技术的不断进步和成本的逐渐降低，预计碳化硅IGBT在未来将有更广泛的应用前景。

总结来说，因制备成本太高，且性能过剩，因此碳化硅IGBT在大多数应用场合都“毫无竞争力”。

但事实上，在一些10kV-25kV的高压场景，如PET电力电子变压器 (Power Electronic Transformer)，碳化硅IGBT则以优越的通态特性和开关速度难逢敌手。但在这些领域，碳化硅IGBT目前的最大劣势仍然是成本较高、以及应用范围十分有限。