DDR系列之三：DDR读写过程

概述：

本文以DDR5为例，详细介绍了DDR内部读写数据的过程，除此之外还介绍了计算机内部DDR是如何工作的，以及DDR的刷新机制，最后对该文进行补充说明。

一、 计算机同时使用SSD和DRAM的原因

1、 SSD固态硬盘将大量的数据储存在里面

2、 DRAM将数据临时存储

3、 访问大规模数据SSD通常需要50us，而访问相同数据量的，DRAM 大约只需要17ns

4、 DRAM容量由于结构受限，因此它的容量通常在GB，SSD可以轻松做到TB以上

5、 当计算机同时使用固态硬盘和DRAM时，在需要数据之前，首先需要将数据从固态硬盘复制到DRAM中进行预取操作，然后计算机再从DRAM内部将这个数据提取出来。

例如，电脑在启动游戏前会有一个加载的过程，这个加载时间内，就是将游戏的运行所需要的数据复制到DRAM内部，然后加载完之后，共计算机调取使用。玩游戏过程中的数据又会临时保存DRAM,之后，保存游戏的过程，就是将临时保存的数据移动到SSD。

二、 DRAM是读取数据的流程

本处先从一个最基本的存储单元入手



以上为DDR存储内部存储1bit数据的结构图。

结构说明：

1、 当晶体管开通时，电流流过晶体管电容充放电

2、 电容充满电时（电源电压），表示为1，反之为0

3、 晶体管在这个过程中充当开关的作用，电容在90nm制程工艺中，大约为30pF，充电为几纳秒

4、 实际上的DDR由数百万个该单元组成，其中横向的为字线，竖向为位线，如下图所示

现在，我们以一块16G内存条为例，来看看它的读取过程：

1、 假如这个内存条上有8块DDR,则每块DDR的内存为2G。首先这个大小为2G的内存被集成到DRAM的区域中，这个DRAM被划分为8个区域，每一个区域由4个块组成，共计32 块，一块称为一个bank，总共32个bank，因此，每一块都有65536、宽8192的存储单元数组。

2、 为了访问相应的数据，需要用到相应的地址，我们需要输入一串包含区域、行地址、列地址，例如（下式为31位，这与实际不符的原因是，他进行了一项优化，将他变成只使用21根线路来发送，这儿的地址与实际的地址管脚输有区别，并不是是直接的管脚）

001 10 0110001101011100 1001000011

A、 1~3位001，用来选择需要访问的存储块组，2的3次方刚好等于8块

B、 4~5位10，用来选择这一块组中具体的哪一块

C、 6~21位，0110001101011100这16位可以用来确定65536中具体所在的行

D、 22~31位，1001000011这10位用来读取列地址，之所以是10位，是因为芯片每次读取只读取8位数据，所以8192被划分成8个存储单元数组，运用多路复用技术，就可进行访问和读取。

3、 通过以上地址，我们可以在这个65536*8192的区域内读取相应的数据，具体读取的步骤如下：

A、 首先我们通过前五位已经在由8*4的区域中选到了我们要读取的区域

B、 接着，我们关闭这个组内所有的字线（为什么是关闭，是因为读取的时候，为了防止数据丢失，他有一个不间断刷新的机制），这个操作的目的是关闭所有的晶体管开关，将每一位对应的电容隔离起来。

C、 紧接着，我们将所有的位线（8192个位线）全部充电到0.5V，即电源电压的一半。（注，这里假设DDR电源位1V）

D、 然后通过输入的16位的行地址，我们选定了特定的行，并将这个字线上的所有晶体管的开关打开，这个时候，电容不在隔离，会出现以下两种情况。

1、 假如这个位为1，则电容上的电压为电源电压1V，这个将会导致开通时电容上的电荷流失到位线上，导致位线的电压升高

2、 假如这个位为0，则电容上的电压为0V，这将会导致位线上的电压降低，流失部分电荷到这个电容上。

这个时候，每一列下方的感应放大器会将位线上的微小变化与0.5V进行比较放大（这是一个差分放大器），将这个变换扩大化，之前位线上电压增大的位线将变成电源电压，位线上电压减小的将变成0V。

由于这个位线比较长，而每一位上的电容又很小，所以需要一个额外的组件将位线上的数据及时的保存下来（锁存）。

E、 通过上述操作，现在所有位线上的电压不是1V就是0V，现在又将这个位线的电压及时的写入刚才开通的这个字线，完成对读取这一字行的恢复。等待下一次数据的读取或者刷新

F、 接下来利用多路复用器，使用10位地址，将相应的8位线连接到驱动器，然后将这8个值通过8条数据线发送给CPU，从而完成一次数据的读操作。

三、 DDR写入数据的流程

写数据的流程和读操作的流程相似，具体过程如下：

首先我们将要写的数据和地址发送到DRAM，

1、 前5选择一个组

2、 将该组的所有位线充电至0.5V

3、 然后使用16位地址激活单个行，电容器上之前的电压会干扰位线，感测放大器会检测到这一点，并将对应的位线驱动到0或者1。

4、 列地址转到多路复用器，多路复用器会根据发送的命令将特定的8位线连接到正确的驱动器，这些驱动器会覆盖上先前的电压，并驱动8个位线上的每一个，他们会写入1或0，这个新的位线电压会覆盖之前打开电容的值，从而将这8位数据写入地址对应的单元。

四、 以上读写需要注意的几个点

1、 当我们读写内存上的所有芯片上时，所有的地址线是相同的，但是每块芯片上的数据线是不一致的。

2、 每个DDR二进制1对应电源电压对应如下：

DDR1 _2.5V1.25V

DDR2 _1.8V0.9V

DDR3 _1.5V0.75V

DDR4 _1.2V0.6V

DDR5 _1.1V0.5V

位线上的预充电压，实际上为对应电源电压的一半。

对于DDR5,在写入和刷新时，施加的电压为1.4V的电压，并将这个电压存储到每个电容中。即得到二进制1。

3、 存储块组、存储块、位线和字线的数量在每一代和容量之间的差异很大，总是为2的指数。

4、 用于隔离电容器的晶体管非常小，因此，电荷会通过该通断泄露，因此需要不断的进行刷新操作。

五、 DDR刷新的过程

前面的章节我们已经知道，这个刷新的必要性。总结一下刷新的必要性

1、 由于结构的特殊性，每一次的读取对整个字线来说都是破坏性的（每一次的读取都将导致电容电压的变化），因此需要进行刷新恢复到之前的样子。

2、 充当开关的晶体管很小，电容里面的电荷会通过这个通道泄露到位线，经过一段时间之后，会造成电容的电压发生改变，影响下一次的读取。

基于以上原因，DDR内部每个会不间断刷新。

刷新的过程如下：

首先关闭所有行，将所有位线上的电压全部变成0.5V并打开第一行，进行刷新的序列，电容器扰动位线，然后感测放大器将这个位线上的变化及时的进行放大，将位线上的电压变成相应的0V或者1V，经过对电容的充分充电之后，关闭这一字行的开关，随后进行下一行，进行重复的操作。逐行进行，每一行大约需要50ns，直到所有的65536行全部被刷新，整个过程大约需要3ms的时间。

对于每个存储块，刷新操作每64ms发生一次，用统计显示，如果刷新时间高于这个时间，将会导致数据丢失。
对于一个存储块数组（32块的），大约每秒可以刷新16次

六、 补充说明

基于一些客观因素的影响，本文的有一些描述（例如括号里的内容）未能来得及叙述，基于对内容中心思想的表达，在后续的文章里，将逐步添加这部分知识的补充。

上述的读写过程为了更好的理解，其实做了部分详尽的描述和部分优化，总体的方向上，大致就是这样。后续随着内容深入，会针对读写时序进行一个说明。

实际的过程，为了提升DRAM数据的传输速率和系统的稳定性做了很多优化，后续将根据内容的需要，也将对这部分内容进行一个说明。