芯片封装测试流程

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一、 WAT

晶圆在从晶圆代工厂出厂前做的一道电性测试，称为晶圆可接受度测试（Wafer Acceptance Test，简称WAT），WAT测试通过的晶圆被送往封测厂。

二、CP

晶圆到了封测厂之后进行中测（Chip Probe，简称CP）。由于工艺原因会引入各种制造缺陷，导致晶圆上的的裸DEI中会有一定的残次品，CP测试的目的是在封装前将这些残次品找出来，减少后续的封测成本。

三、封测前段

1、晶圆减薄（wafer grinding）

刚出场的晶圆（wafer）进行背面减薄，达到封装需要的厚度。在背面磨片时，要在正面粘贴交代来保护电路区域。研磨之后，去除胶带。

2、 晶圆切割（wafer Saw）

将晶圆粘贴在蓝膜上，再将晶圆切割成一个个独立的Die，再对Die进行清洗。

3、光检查

检查是否出现残次品

4、芯片贴装（Die Attach）芯片贴装，银浆固化（防止氧化），引线焊接。

三、封测后段

1、注塑

防止外部冲击，用EMC（塑封料）把产品封测起来，同时加热硬化。

2、激光打字

在产品上刻上相应的内容。例如：生产日期、批次等等。

3、 高温固化

保护IC内部结构，消除内部应力。

4、去溢料

剪边角。

5、 电镀

提高导电性能，增强可焊接性。

6、 切片成型检查残次品。

封装完成后的产品还需要进行终测（Final Test，简称FT），通过FT测试的产品才能对外出货。