倒片键合与底部填充

倒片键合是通过在芯片顶部形成的凸点来实现芯片与基板间的电气和机械连接。因此，倒片键合的电气性能优于引线键合。
倒片键合分为两种类型：批量回流焊工艺（Mass Reflow，MR）和热压缩工艺（Thermo Compression）。
批量回流焊工艺通过在高温下熔化接合处的锡球，将芯片与基板连接在一起。而热压缩工艺则通过向接合处施加热量和压力，实现芯片与基板间的连接。
仅仅依靠凸点无法处理芯片和基板之间因热膨胀系数（CTE）9差异所产生的应力，因此需要采用底部填充工艺，使用聚合物填充凸点间隙，以确保焊点可靠性。填充凸点间隙的底部填充工艺主要有两种：一是后填充（Post-Filling），即在倒片键合之后填充材料；二是预填充（Pre-Applied Underfill），即在倒片键合之前填充材料。此外，根据底部填充方法的不同，可将后填充分为毛细管底部填充（Capillary Underfill，CUF）和模塑底部填充（Molded Underfill，MUF）。毛细管底部填充是在倒片键合后，使用毛细管劈刀沿着芯片的侧面注入底部填充材料以填补凸点间隙；而模塑底部填充则是在倒片键合后，将环氧树脂模塑料作为底部充填材料来发挥填充作用。