MOS管学习笔记

对于MOS 的基础知识这里就不多说。书上可以直接的学习到MOS的基础性质，在这里只简单地对MOS的一些应用做一下记录。大多都是看了网上大部分的博客积累下来。（以NMOS 为讨论对象）
一、首先需要注意的是MOS 的内部 G D S 两两间均存在结间电容，所以我认为对于MOS 的导通截止， 是在对GS间的电容充电放电，所以为了让MOS 更快地导通截止，可以从这个结间电容来考虑，让其更快地充放电。下面以开关电源的MOS 管来做一下记录。

1、电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一，查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图 1中Rg减小，也不能解决问题! IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。当然，当IC驱动能力不足时，可以采取图腾柱驱动电路来驱动MOS 。