通俗理解DDR3（自学使用）

DDR3的全称是：DDR3 SDRAM

SDRAM的全称是：SDR SDRAM（S：是同步的意思，D：是动态的意思，动态是指存储器需要不断的刷新，保证数据不丢失。）

SRAM：（S：是静态的意思）

1.SDRAM和DDR3的工作模式的区别

SDRAM 的工作方式：单边沿工作

DDR3的工作方式：双边沿传输数据

所以DDR3 SDRAM工作方式更快。

一、DDR3的存储结构

 对于MT41J128M16来说，DDR3的存储结构是由8个bank（8张表），每张表上有16M的地址空间，每个地址空间存储的数据是16bit的。

那么一个bank上有多少行？多少列呢？

这个我们可以查datasheet。

 观察到：row的地址有16K（14bit）  col的地址有1k（10bit）16k*1k=16M

bank的地址为8（3bit）

那么在DDR 3中我们如何进行寻址呢？

我们观察到选择bank的地址有三个端口，即：BA0~BA2

但是对于行地址和列地址来说，我们只有A0~A14这15个端口，那么哪些是行地址和列地址呢？我们可以通过时分复用进行地址的访问。

根据数据手册，我们知道row地址是用A【13：0】进行访问的，col地址是用A【9：0】进行访问的，采用时分复用的方式。

（上图的右侧的DQ端是数据的写入和读出端）

上述给出了DDR3的状态转移图，对于DDR3 SDRAM 来说，其工作是需要不断的进行刷新的，而且刷新时间是固定的（他是所有的bank一行一行进行刷新，bank同时刷新），假设行地址有12根地址线，那么就是有4096行，刷新假设需要64ms，那么第一次刷新和第二次刷新之间的时间间隔为15us ，同理，第二次刷新和第三次刷新之间间隔也为15us。

上述所示的刷新过程要在放电结束之前进行刷新，因为一旦电量放完，那么数据就丢失了。所以在DDR3 SDRAM中，数据的刷新的优先级要大于写的优先级，数据的刷新的优先级要大于读的优先级，就算数据正在写，到了刷新时间，也要返回到IDEL状态，进行刷新。单纯的用verilog代码，感觉十分麻烦，我们可以利用仲裁机制进行处理。

对于写突发，我们观察到command给了一个WRITE的写命令，但是地址只给了bank地址和col地址，这是怎么回事呢？

因为在进行前面的ACTIVATE Operation时，已经给了行地址row（观察状态图，此操作在写操作之前）