大家好,我是砖一。
对于MOS管,大家或多或少都有了解,但是MOS管的导通阻抗,你有真正了解过吗?下面跟我一起学习一下吧!
NMOS管导通条件是Vgs大于Vgs(th)导通,
PMOS管导通条件是Vgs小于Vgs(th)导通。
即使MOS管完全导通,这时候是有导通阻抗存在的,英文名叫Rds(on),它是指的是Vgs=10V时,DS之间的导通电阻。
但是Rds(on)并不是一个固定的值,它跟温度有关系,温度越高,Rds(on)越大。
下图所示,它是一款Mos管的Rds(on)随着结温的曲线图。
我们可以很清楚的看到,不同的结温对应不同的Rds(on),比如100℃对应1.2Ω左右的阻抗。
使用MOS管去设计开关电源或者驱动电路的时候,一般我们要考虑到MOS管的导通阻抗,因为当电流流过MOS管的D极和S极时候,它会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量就是导通损耗。
选择导通阻抗小的MOS管可以减少一定的导通损耗,一般小功率MOS管的导通阻抗一般在几毫欧到几十毫欧左右。
如果你想要耐压越高,那么它对应的内部结构就会做的越厚,相应的导通阻抗Rds(on)就越大,所以选择合适的MOS管需要权衡利弊。
除了通过MOS管的Datasheet可以看出导通阻抗,也可以测量出来,当MOS管在导通的情况下,测出Id和Vds,利用欧姆定律,Vds除以Id就是导通阻抗啦。
关于MOS管的导通阻抗就讲到这里,前面几期讲了很多关于MOS管的专题,大家可以翻看一下哈~