【笔记:模拟MOS集成电路】直流阻抗和交流阻抗

本文探讨了MOS管在直流和交流条件下的阻抗特性,包括直流阻抗的计算公式R=V1/I1,以及交流阻抗的表达式R=△V1/△I1。着重讲解了MOS管在不同工作区域(线性与饱和)下阻抗的不同,并比较了线性电阻、恒流源和MOSDiode电阻在实现中的优缺点。
摘要由CSDN通过智能技术生成

【笔记:模拟MOS集成电路】直流阻抗和交流阻抗

  简单理解,阻抗就是阻碍电流通过的能力。
  直流阻抗:阻碍直流电通过的能力,常用直流通路分析。
  交流阻抗:阻碍交流电通过的能力,常用交流通路分析。
二极管的阻抗
在这里插入图片描述

  直流阻抗 R = V 1 I 1 R=\frac{V_1}{I_1} R=I1V1

  交流阻抗 R = △ V 1 △ I 1 R=\frac{\bigtriangleup V_1}{\bigtriangleup I_1} R=I1V1
  

MOS管的直流阻抗和交流阻抗区别与联系

  条件:MOS的直流打信号条件下用作直流阻抗,在交流小信号条件下用作交流阻抗
  特点:MOS工作在线性区时,直流与交流阻抗近似相等,在饱和区时,交流阻抗远大于直流阻抗,直流阻抗与交流阻抗由MOS静态Q点决定:
  交流阻抗 r d = d V D S / d I D S r_d=dV_{DS}/dI_{DS} rd=dVDS/dIDS,主要应用在小信号模型中;直流阻抗 R d = V D S / I D S R_d=V_{DS}/I_{DS} Rd=VDS/IDS 主要应用在大信号模型中。

集成电路中常用电阻实现方式
  ①线性电阻:电路简单,交直流阻抗未分离,增益与静态工作点存在矛盾(以经典CS放大器为例,若R过大,MOS进入线性区)。
  ②恒流源:放大倍数高,交直流分离,交流阻抗高,Av大,直流阻抗下降,静态工作点Q难以确定。
  ③MOS Diode电阻:静态工作点稳定,输出摆幅受限,交流阻抗低,增益小,直流阻抗大,交直流分离。

下面是一个关于阻抗的文章

            阻抗、输入阻抗、特性阻抗……傻傻分不清楚

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