参考:The gmid methodology, a design guideline for two stage miller OP
参考视频里面最后一P设计了折叠式共源共栅放大器,但是比较简略,我按照自己的理解参照视频中的方法设计了一个简单的fold-cascode amplifier
设计指标简单地设置为:
增益:80dB;
GBW:10 MHz;
负载电容:2pF
首先确定L
L与ro也就是增益有关。
作出gmro-gm/id的L_sweep曲线,需要80dB的增益,则按照估算,单个管子的
大概为100,为了有足够的裕度,这里选择1.2μm,在gm/id=10的时候也能有300以上的selfgain,这样就有10倍左右的增益裕度。
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/e74e8b2daea3e3a49d53b0be7e209d28.png)
图1.1 gmro-gm/id曲线
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/a6995c1adc92b278ff4f047e16517788.png)
图1.2 折叠式共源共栅结构
确定输入对管Mp1、Mp2的宽长比
考虑寄生等问题,在计算中增加20%:
输入管,gm/id选大一点,选择20,则,留有裕度,选择8μA。
分配Vds
给每一个管子分配Vds,这样在仿真曲线的时候才能相应地改变Vds。
对于Mp0-Mp2,因为该放大器准备用于反馈,其输入输出直流偏置一致,所以要先确定Mp1和Mp2的Vgs,进而确定折叠部分三管的Vds;若对直流偏置没有特别的要求则可以自己定义。对于Mp3-Mp6以及Mn1-Mn4,输出端电压为1.65,每个管子分配0.825V的源漏电压。
确定W
Mp1,Mp2的Vgs由gm/id-Vgs曲线确定,当然此时的Vds是不确定的,可以粗略地先设置一个数值,下图中是分别在Vds=0.825V以及Vds=1.65V条件下得到的gm/id-Vgs曲线,可见相差不大,得到Vgs=0.58V。
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/6e23047fe391d712066256a780d6c8ee.png)
图4.1 gm/id-Vgs曲线
所以Mp1和Mp2的Vds为1.405V,设置Vds=1.405,mul=8(否则得到的w会很大),得到Id/w-gm/id的图,读得Id/W=372.3763 m,则得到W=21.5 μm。
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/5eec8bb1dc1a669e2de282e7a4afcea0.png)
图4.2 Mp1、Mp2的Id/w-gm/id曲线
Mp1和Mp2参数:
L=1.2 μm,Id=8 μA,gm/Id=20,Vgs=0.58 V,Vds = 1.405 V,W=21.5μm * 8
对于Mp0,同样的,根据参数Vds=1.07V ,gm/id=10,Id=16μA ,同时由于Mp0作为电流源 ,希望它的电阻大一点,所以L选取12μm。仿Id/w-gm/id曲线,读得Id/W=514.203mA,得到W=31.1μm * 8。同时仿出gmid-Vgs的曲线,可以得到对应的Vgs。
Mp0参数:
L=12μm,Id=16μA,gm/id=10,Vgs=0.78V,Vds=1.07V,W=31.1μm * 8
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/9a034a0f89e3eebc1b7afec6da9a7aaa.png)
图4.3 Mp0 id/w-gm/id图及gm/id-Vgs图
用同样的方法得到剩下的管子的参数。
Mp3-Mp6:L=1.2 μm,Id=8 μA,gm/Id=10,Vds=0.825 V,Vgs=0.771 V,W=2.57 μm * 4
Mn1-Mn2:L=1.2 μm,Id=8 μA,gm/Id=10,Vds=0.825 V,Vgs=0.711 V,W=1.86 μm * 2
Mn3-Mn4:L=1.2 μm,Id=8 μA,gm/Id=10,Vds=0.825 V,Vgs=0.711 V,W=1.86 μm * 4
设计偏置电路
按照参考视频设计宽摆幅偏置电压电路。仿真得到的电路参数:增益-87dB,GBW-10 MHz。
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/41baed1ec0b7fe62d88adddf4c5322fb.png)
图5.1 AC仿真结果
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/5dfeaa2df9370dcbec4551b30b708b4a.png)
图5.2 偏置电路
gm/Id方法
记录一下,省得每次都看视频
- 直观来说,gm/Id是在近似确定2/(Vgs-Vth)
- 首先确定L,仿出 gm*ro - gm/Id 的曲线,根据所需增益,决定L(Vds的大小会影响self gain的大小)
- 再仿出 Id/W - gm/Id 的曲线,决定W,但是需要知道Id
- 通过GBW得出gm大小,再选定 gm/Id 大小,就可以知道Id大小
- 对于 gm/Id 大小的选择:仿一张 gm/Id * fT - gm/Id 的图,能得到该制程下最佳的 gm/Id 区间
- 输入管的gm/Id选大一点,负载管/电流源管的gm/Id小一点
- 已知Id、gm/Id,Vgs要通过gm/Id-Vgs图表得到
具体仿真的内容:
以NMOS为例:
- 调出一个NMOS管,分别给Vgs,Vds的直流电压,设为变量
- 设定multiplier,length,fingerwidth,分别设为不同的变量,finger设为1(当然后续为了画版图也可以调整)
- W影响不大,仿真界面可以设置为一个定值
- 扫dc,选择不同的变量
- 根据已知的量和需要得到的量可以扫不同的图