Gm/Id方法设计

一、基础理论

       随着现代技术的发展，MOS管沟道越来越短，在长沟道工艺下器件的平方律模型逐渐被淘汰，不再适用于目前的工艺65nm及其以下，在当前的设计工作中，计算机仿真更多的采用BSIM4模型，该模型的计算方式更为复杂，拥有更多的参数考虑，本文的Gm/Id方法可不用知道MOS管的电子迁移率μ和栅氧化层电容Cox，直接通过查找表的方法求出MOS管的宽长比，达到设计目标。

二、设计指标

GBW=10M Hz、CL=1p F、Av=70 dB

三、设计流程

    选取电路结构：折叠Cascode，电路图结构如下所示:

 

1、设计思路——指标分析

①确定输入管M1、2跨导：根据GBW=10M Hz，CL=1p F，由公式（a为工程经验值，一般可取1.2 --1.4，猜测原因可能考虑寄生电容影响，本文选取1.2），得出gm=75.36μ S，选择80μ S

②确定增益：由Av=70 dB，根据dB=20lgAv1得出Av1=3162，选取为3500，（选择稍大范围，便于后续调节MOS管参数）

③确定其余MOS管参数:根据折叠共源共栅增益计算公式 ，该设计仅为简略估计，故忽略gmb，选择gm6ro6=self_gain6；gm8ro8=self_gain8。

2、设计步骤 

①确定放大器的gm

②选择合适的沟道长度L（短沟适合高速，长沟适合高增益），本文选择L=700n m

③根据gmoverid*ft VS gmoverid图像选取合适的gm/id值，一般为10，可上下波动。（大的gm/id适合放大管，低功耗，小的gm/id值适合电流源管，高摆幅）

④已知gm/Id和gm求出Id

⑤由Id/W VS gm/Id图像找出符合④步骤的Id值，进一步计算出MOS的宽W

最后再循环④、⑤确定出所有MOS管的W。

3、仿真参数确立

在Virtuoso软件上仿真出下列图像

N2P5：

①gmoverid*ft VS gmoverid

②Id/W VS gmoverid

③gds VS gmoverid

④self_gain VS gmoverid

P2P5:

①gmoverid*ft VS gmoverid

②Id/W VS gmoverid

③gds VS gmoverid

④self_gain VS gmoverid

参数表：

	gm/Id	Id	Id/W	W	mul	Self_gain	gds	Ro(1/gds)
M3	6	10.6	17.23	0.62	4
M1,2	15	由gm=80u→5.3u	2.54	2.09	4		0.42u	2.38M
M4,5	9	2.65u	8.02	0.33	4		1.19u	0.84M
M8,9	7	2.65u	8.65	0.31	1	224.88
M10,11	5	7.95u	17.23	0.46	1		1.92u	0.52M
M6,7	9	2.65u	8.02	0.33	4	241.86
注：M4，5，gm/Id=6时 Id/W=17.23，使W过小，仿真无法满足，故选9 M8，9，gm/Id=3时 Id/W=17.23，使W过小，仿真无法满足，故选7

根据公式，可以大概计算出要达到Av=3500，至少使gm6rO6即self_gain6大于95，本文选择gm/Id=6时，self_gain=166.55，但Id/W过大，取gm/Id=9

四、搭建电路

由上表所示参数搭建相应电路：

 

五、仿真结果

 注：①本文仅为自学归纳，若有侵权，联系删除！！

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