【模拟CMOS集成电路】电路噪声——基本电路噪声性能（2）

前言

  该内容分为噪声的第二部分内容，主要对具体基本电路中的噪声进行分析，主要目的是理解噪声源如何折合到输入端，因此为使方法直观，将简化计算，忽略部分噪声源。关于噪声仿真内容，将会后续更新。
  在分析基本电路噪声时，需要了解关于噪声相关的一些概念和定理，可以参考内容：
  【笔记：模拟CMOS集成电路】电路噪声——电路分析基础（1）
对放大器增益和阻抗还不太熟练，可以参考内容：
  【笔记：模拟MOS集成电路】单级放大器（非高频）

1 噪声——分析基础

   【笔记：模拟CMOS集成电路】电路噪声——电路分析基础（1）

2 噪声——基本电路噪声性能

2.1 MOS管噪声模型

  以NMOS为例，由图2.1，实际的MOS会存在寄生电阻，其中包括栅极寄生电阻 $R_G$、源漏极寄生电阻 $R_D$、$R_S$，寄生的沟道电阻 $R_{CH}$，衬底寄生电阻，这些电阻都会产生热噪声，同时在栅端也会有1/f噪声和散弹噪声。一般漏端寄生电阻$R_D$归结为负载电阻噪声计算中，源端寄生电阻$R_S$下文单独考虑，散弹噪声极其微小可忽略不计。因此主要考虑沟道和栅极产生的噪声。

  下面对MOS噪声模型进行分析，由易到难，逐步增加噪声源个数，进行分析，而且这些噪声源相互独立，其等效输入参考噪声，可以直接采用叠加定理。

(1)电阻RG热噪声和沟道热噪声

  通过计算可知，可以通过增大MOS跨导$g_m$或减小栅极寄生电阻来优化噪声，前者可以通过增大 $V_{GS}-V_T$、宽长比$W/L$和直流偏置电流增大跨导$g_m$，后者可以优化版图采取叉指结构或优化工艺来减小栅极寄生电阻。

(2)衬底电阻热噪声

  尽管衬底和源极连接在一起，但是通常衬底电阻仍然是存在的，也会产生噪声。考虑衬底电阻，电路图如图2.3所示。衬底电阻 $R_B$ 产生的噪声乘以背栅跨导 $g_{mb}$折算到输出，然后除以 MOS 的跨导 $g_m$ 折算到栅端，将 $g_{mb}/g_m$ 表示成参数 $n-1$，则很容易得到输入参考噪声 $\overline{V_{i,eq}^2}$ 和等效热噪声电阻 $R_{eff}$。

(3)源极寄生电阻RS热噪声

  单独考虑源端寄生 $R_S$ 的噪声， R S R_{S}