非门多谐振荡器电路

1.两个非门组成的振荡器
在这里插入图片描述
振荡原理:

假设Q为低电平,则非门2的输入端为高电平,经过R对C充电,C的电压上升,直到非门1输入端的电压达到反转电压,此时非门1的输出变为低电平,Q变为高电平。

此时,Q点、C、R、非门2的输入端,极性反转,相对于之前变为放电回路,然后转为反向充电,C的电压下降,直到非门1输入的电压达到反转电压,此时非门1的输出变为高电平,Q变为低电平。
  
如此循环,形成振荡,在Q端输出方波。

如果非门的反转电压为电源电压的1/2。

则振荡周期:T≈2.2·R·C

Rs用于稳定振荡频率,驱使为6~10倍的R。

2. 三个非门组成的振荡器
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原理和两个非门的差不多,但是相比起两个非门的振动器更容易起振,工作更稳定,还能获得更高的振荡频率。
3.个非门组成的可变占空比振荡器
在这里插入图片描述

通过滑动电位器RP使占空比可调。

充电回路(RP2+R)·C

放电回路(RP1+R)·C

另外,用施密特触发器组成的多谐振荡器比用一般门电路组成的,更简单,频率更宽,受到电源电源和温度的影响更小。

### 使用NAND门实现多谐振荡器产生方波 在数字电路中,可以利用与非(NAND)门来构建一个多谐振荡器以生成方波。此方法基于反馈机制以及RC充放电特性。 #### 原理说明 当两个输入端都为高电平时,NAND门输出低电平;只要有一个或两个输入端为低,则其输出为高电平。因此,在特定条件下设置反馈路径可形成自激振荡回路[^2]。 对于采用NAND门构成的多谐振荡器而言,通常会涉及到至少一对交叉耦合的NAND门加上适当的外部元件如电阻R和电容C来进行时间常数设定。具体来说: - 初始状态下,假设节点A处于高电位而B点由于经过一段时间后被拉低; - 随着电容器逐渐充电直到达到阈值电压使得另一侧NAND门翻转,进而改变整个系统的稳定状态; - 这种交替变化最终形成了周期性的高低电平跳变即所谓的“方波”。 #### 电路设计实例 下面给出了一种简单的双NAND门组成的多谐振荡器设计方案: ```circuitikz \begin{circuitikz} % 组件定义 \node[nand port](U1){}; \node[nand port, anchor=in 1] at (U1.out -| 3,0)(U2){}; % 输入输出连线 \draw (U1.in 1) -- ++(-1,0) node[left]{Input A} to[R,l=$R$,*-*] ($(U2.out)+(1,0)$); \draw (U2.in 1) |- ([yshift=-8pt] U1.in 2); % 反馈线路及电容 \draw (U1.out) -- (U2.in 2); \draw (U2.out) --++(1,0) coordinate(tmp) to[C,l=$C$, -*]([xshift=5mm,yshift=-5mm]tmp)|-(U1.in 2); % 输出标记 \draw (U2.out) -- ++(1,0) node[right]{Output Q}; \end{circuitikz} ``` 请注意上述图示仅为示意性质,并未严格按照实际比例绘制。其中`R`代表串联于电源正极至其中一个NAND门输入之间的固定阻值电阻;`C`则表示连接在另一个NAND门输出同前者的相应输入间的电解质或其他类型的储能电容器。 通过调节这些外接组件参数即可灵活控制所产生的方波频率及其占空比特征。
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