数电笔记之第三章门电路之cmos反相器动态特性：动态（导通功耗+负载功耗）和静态功耗

• 所以输出有电阻，输入有电容就有了 rc

• 所以信号就有延时

• 原因：输入和负载都有电容。Cmos器件的管子上拉或者下拉，导通的时候有这个内阻，这个电阻和电容一起形成了传输延迟时间影响的核心。

• 输入从 0 变 1 ，输出从 1 变 0 ，如果是电阻可以直接变，其后等效成小电容

• 门级和衬底之间夹着二氧化硅，这是个小电容

• 输出 1 变 0 ，要把输出部分电容上的电荷放掉

• 怎么放电荷：

• 放掉之后，输出从 1 变为 0

• 输出从 0 变 1 ：输入虽然已经通了，输出部分电压值不会马上改变

• 通过输入部分电阻充电，然后变为 1

• 存在延迟时间的原因：电容有一个特性：电容两端的压差不能突变，这样会引起反应滞后，这个滞后是充放电的效应

 

• 导通功耗和工艺值导通电容相关，还和频率 f 相关还和 vdd^2 相关

• 动态功耗是 导通功耗和负载功耗两个合在一起的效应

• 总 功耗 = 动态功耗 + 静态功耗

• 动态功耗 = 导通功耗 + 负载功耗

• 主要发生在电路工作的切换时期

• 数字电路性能的提高有一条就是工作频率的提高，主频高性能好

• 主频代表 单位时间内处理事物的能力

• Cpd+cl 是工艺值，随着工艺尺寸变化而变化， f 是希望的工作频率