文献阅读报告——半导体文献精读

最新推荐文章于 2024-10-06 20:54:02 发布

soliton-monologue

最新推荐文章于 2024-10-06 20:54:02 发布

阅读量1.2k

点赞数 24

分类专栏：文献阅读文章标签：学习

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_48136563/article/details/135151197

版权

文献阅读专栏收录该内容

1 篇文章 0 订阅

订阅专栏

最近在写半导体器件课的文献阅读作业，动力不足，逻辑不清晰，所以在此记录一下写的过程和思路。

以下是作业要求：

由于只需要写一篇，当然需要精读，就拿这次作业当作自己精读文献的一次练手。

第一步：文献大致阅读+全文翻译

昨天效率很低，用的是小绿鲸英文文献阅读软件翻译的，粗略完成了第一步。

接下来记录一下阅读的文章的详细信息：

1.1 文献基本信息介绍：

文章来源：老师发的

名称：The future transistors 《未来晶体管》

类型：综述类

摘要：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的核心元件，代表了自工业革命以来最重要的发明之一。在集成电路产品对更高速度、能效和集成密度的要求的推动下，在过去的六十年中，MOSFET的物理栅极长度已微缩到20nm以下。然而，即使对于现有技术的鳍式场效应晶体管，在保持低功耗的同时缩小晶体管的尺寸也越来越具有挑战性。在这里，我们对现有和未来的CMOS技术进行了全面的评估，并讨论了基于为FET微缩建立的分级框架下的亚10nm栅长FET设计的机遇与挑战。我们的评估重点是根据以前的微缩工作以及使晶体管与未来逻辑集成电路产品相关所需的研究工作所获得的知识，确定最有前途的亚10nm栅长MOSFET。我们还详细介绍了我们对超越MOSFET的未来晶体管和潜在创新机会的愿景。我们预计，晶体管技术的创新将继续在推动未来材料、器件物理和拓扑、异构垂直和横向集成以及计算技术方面发挥核心作用。

摘要本身就是作者对文献主要内容的凝炼，可以作为文献阅读报告中研究内容的书写。

1.2 文献内容分块简述：

将文章按原来分层进行简要介绍，有助于把握文章写作逻辑，可以学习作者的组织逻辑和章法。

1.2.1 引言

引言：简要介绍从电子管、BJT到MOSFET的发展历程。

这部分是知识面的一个扩充，有助于把握晶体管历史发展脉络，也可以学习作者的论述和绘图技巧

1.2.2 FET 基础知识：

这一部分涉及到理论内容，很基础，可以专门作为文献阅读报告中与课程相关联系部分的写作。

a基本结构 b横向能带图 c电容关系 d亚阈值曲线 e输出特性曲线

1.2.3 FET微缩挑战

这部分内容相对也比较基础，作为与课程相关的内容来写，但是涉及到一些新的原理和概念，可作为基础理论的延展。

①栅极效率下降

②寄生电阻和电容

③漏电流

④可变性问题

⑤可靠性问题

1.2.4 现代CMOS微缩

可以看作基本原理的高级应用，相对复杂但是深究的话还是万变不离其宗（最基本的物理原理）。

①载流子输运工程

②改善器件静电

这部分内容花了很大篇幅，应该涉及到新拓扑结构，新材料，但是基本原理还是上边推导出的公式。

1.2.5 CMOS新兴技术基准测试

1.2.6 超越MOSFET的未来“晶体管”

1.2.7 超越摩尔定律的集成方法

1.2.8 超越冯·诺依曼计算

第二步：改变原顺序，整理阅读报告

2.1 为什么要改变原顺序？

作者的思路和逻辑不挺好的？为什么还要多此一举？

2.1.1 首先是老师要求

总结文献的研究内容，并梳理所报道研究结果、内在机理和课程相关内容的联系，并开展分析。

基本思路：

研究内容：参考摘要，用自己的语言简述各部分（可最后写）

研究结果：重点在文章的重点1.2.4

内在机理：剖析新技术背后的公式、基本原理

与课程的联系：基础那一块有讲

最后分析与总结：可以加一些自己的感悟等

2.1.2 能用自己的话说清楚才变成自己的知识

一般来说作者的逻辑最清晰肯定是毋庸置疑的。但是，再清晰是作者的，如果不进行消化整理，看过就看过了，可能真正转变成自己知识的部分很少。所以，我认为有必要将作者的内容提炼出来，填充自己的知识体系。

2.2 改变顺序的具体做法

此处的写文顺序完全考虑到便于自己高效写作哈哈哈，所以第一步直接搬运很简单的，也是一个从简单到复杂慢慢深入的过程。

2.2.1 先写与课程的联系

①copy大法，就在FET基础那一块，直接copy原文，能看懂就行。

基本结构、能带图、电容分布网络

npn型：电容很好说，两个pn结，自然两个结电容，这篇文章里提到了一个Cgox'，何来的'？

文献原文：Cgox’是修正的栅极电容，其解释了由于波形扩展而从沟道表面产生的电荷质心偏移(可以被描述为与物理栅氧化物电容Cgox串联的附加电容Ccent，其等效地增加栅氧化物厚度)。

理解：最基本理论是求解不同势函数下的电子分布，界面处有三角形势垒，左侧是绝缘层的极高势垒，在该条件下求解薛定谔方程，得到电子不是恰好就分布在表面一层，而是距离表面有一定的距离，在该距离处有极大值，所以相当于栅氧化层的厚度等效是增大的。但是在我们学习中为了运算方便，就简单认为电子就分布在界面处一层，但是考虑到器件微缩，栅氧化层厚度可能本来就很小，这时候或许不能忽略，而要对栅氧化层电容进行修正。