-----本文简介-----
主要内容包括:
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什么是自举电容?
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为何有的DC-DC的BST(BOOT)引脚要接自举电容?
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自举电容如何起作用?
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什么样的DC-DC不需要自举电容
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----- 正文 -----
一、DC-DC的分类
1. 非同步DC-DC
图1 非同步型DC-DC
如上图1是非同步型DC-DC控制器及其外围器件拓扑,其典型特征是外部有输入输出电容、电感以及二极管,这种结构是最常见的DC-DC-BUCK结构,其价格便宜且更适用于高输出电压,但其缺点是由于二极管的压降导致其效率相较于同步型DC-DC要低。
2. 同步型DC-DC
图2 同步型DC-DC
如图二是同步型DC-DC控制器及其外围器件拓扑,其典型特性是外部没有二极管,只有输入输出电容与电感,这种结构的DC-DC由于其二极管用MOSFET代替,而MOSFET具有更低的导通电阻,因而其导通压降很低,因此其效率更高,但其缺点是由于需要对MOSFET进行控制,因此相较于非同步型DC-DC控制更复杂且其价格更贵。
二、同步型DC-DC
1. 双NMOS结构
图4 双NMOS结构与自举电容
2. PMOS+NMOS结构
图4 PMOS+NMOS结构(无自举电容)
三、为何不同结构对自举电容需求不同?
1. MOS导通状态
图5 双MOS导通状态
无论是双NMOS还是PMOS+NMOS结构,其导通逻辑都是上下MOS交替导通。
2. 双NMOS结构中MOS导通条件
如上图,要想使MOS导通,很简单只需要Vgs>VGS(TH)(即VGS门限电压)即可,由于下管S极接地,且VGS(TH)一般不大,因此下管很容易达到开启条件。但对于上管,由于其S极连接到SW引脚,而上管导通时,SW引脚电压与VIN电压相同,对于同样的门限电压VGS(TH),上管的G极电压至少要达到VIN+VGS(TH)才可以,因此其对应驱动器供电电压一定要达到这个电压以上。
如何使驱动器供电电压达到VIN+VGS(TH),此时自举电容能起到作用,由于电容的电压不可突变,因此只需要一个自举电容加上一个BOOST升压控制器即可将驱动器供电电压叠加到VIN+VGS(TH)以上。
3. PMOS+NMOS结构中MOS导通条件
对于上管是PMOS结构的控制器,由于上管的VGS(TH)是负值,因此要想使上管导通只需要减小G极电压即可,不需要驱动器输出多高的电压,因此不需要额外增加自举电容。
四、哪种结构更好?
既然PMOS+NMOS型也能实现DC-DC控制还不需要自举电容,为何其不常见?原因主要有以下几点:
①:PMOS导通电阻较大,开关损耗更高。
②:PMOS工艺复杂价格相较于NMOS昂贵
③:PMOS寄生参数大,响应速度慢
由于以上PMOS硬伤,市面上最常见的同步型DC-DC结构还是双NMOS型结构。
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