常用半导体器件绪论

凉月松心

已于 2022-09-29 19:32:57 修改

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分类专栏：模拟电路文章标签： 51单片机

于 2022-09-28 20:36:43 首次发布

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1.1.基础知识

1.1.1 本征半导体

一.半导体

1. 概念介于导体与半导体之间的东西

2. 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体

二. 本征半导体的晶体结构

四价元素最外层有四个电子，会形成共价键，每一个Si原子周围就会有其他的原子来和

它形成共价键结构，价电子无法导电，导电要靠自由电子

三. 载流子

粒子会有热运动，有能量可以逃离共价键的束缚，就会出来变成自由电子，同时在共价

键里面，会留下一个空穴, 这个叫做本征激发

空穴：假设加了一个电场，在电场力的吸引下，电子就会沿着电场力的方向填补空穴，

依次填补，价电子依次填补空穴，造成空穴的一个相对移动，因此在本征半导体里面有

有两种载流子，这个东西越多，导电能力越好

对应本征激发，有一个运动叫做复合运动, 电子撞到空穴里，这一对自由电子空穴对就会

湮灭，重新变成一对，本征激发还有复合的速度决定载流子的浓度

导电能力和载流子的浓度相关

四. 载流子的浓度与什么相关？

1.温度相关

升高温度，载流子的浓度升高，在某一个温度下这个浓度就会不变，如果我们定性来分析，这是一种动态的平衡，本征激发和复合的速度近似，这样子总的浓度才会几乎不变

第一，本征激发的速度肯定和温度相关，温度越高，本征激发速度越快，复合的这个速度和它的浓度有相关性，所以它在平衡的时候，温度突然上升的时候，本征激发加大

浓度打到一定程度，复合和激发保持了平衡

1.1.2 杂质半导体

一. 在本征半导体里掺入少量的杂质元素

二. N 型半导体

1.掺入磷，还有一个电子就变得非常容易逃脱，在这种半导体里面，具有大量的自

由电子，和本征半导体不一样，自由电子是大大的多，自由电子是多数载流子，简称多子，空穴是少子，自由电子带负电，称为N型半导体

重要特性：温度对半导体里的多子影响大吗？不大，甚至可以忽略成没有，本身多

子就已经是上百万倍了，但是少子对于温度非常敏感，但是对应基数不同，对于

少子的变化就非常大，如果哪一个特性和少子相关，受温度的影响比较大，和多子

相关，影响性就比较小

N型半导体为什么不带负电？答案是原子核带正电，原子核固定在晶格里面，

带正电的原子核不会动

这种原子供应了载流子，我们称之为施主原子

三. P型半导体

掺杂B（硼）

掺入硼之后，由于是三价，我的空穴就是多数载流子，自由电子就是少数载流子，

N型半导体掺入的是P

1.1.3 PN结

一.PN结的形成

1.扩散运动

依据浓度梯度运动，大家可以看P区里空穴浓度高，N区里自由电子浓度高，N区的

自由电子就会勇猛地向P区扩散

扩散会产生什么？

N区自由电子，当它扩散到P区地时候，就跟狼入羊群一般，会被迅速消灭，是一

一对一的抵消，如果没有东西阻之，这两块半导体就会消耗光了，打完了中间就是

无人区，中间由空间电荷区，载流子几乎全部被消耗殆尽，电场方向从右指向左，

2.空间电荷区：又可称之为耗尽层,阻挡层，还有一个名字PN结

相当于中间有一个势垒，阻碍两方的运动

3. 别忘了，两边还有少子，对于多子是势垒，对于少子这个确实个坑，一旦进入电荷区

域就会被拉过去，我们称之为漂移运动

所以这样的话，在一定条件下，多子的扩散运动，和少子的漂移运动就会达成动态平衡

4. 对称结

两边掺杂浓度一样为对称结，如果两边不一样的话，浓度高的地方就会窄，浓度低

的地方就会宽，在偏振结的条件下，偏振结有一个非常重要的特性，

二. 单向导电性，

把PN结外加正向电压，

加外加电场，相当于削弱势垒，就像高考的分数，越往下降，人数越多，我们可以

是外电场削弱了内电场的作用，电流迅速增大，所以加了个电阻，限流

加反向电压，你会发现外电场，内电场一致，偏振结越变越厚，几乎就不导电

加上这样一个外电场，在反向的时候，也会有一点点电流，漂移运动会被加强，

但是漂移是由少子构成的，是微安级别的，我们几乎可以忽略，但是电流对于温度

对于特别敏感，那个温度叫做反向饱和电流

三. PN结的电流方程

Ge $0.2 v \sim 0.3 v$ Si: $0.6 v \sim 0.7 v$

(四) PN结的伏安特性

反向特性：对于反向特性，实际上有一个 $I_s$ ，Ge管的反向电流就比硅管大，刚刚我们说到反向还有一个很特殊的地方，

左下角那个部分叫做反向击穿，反向击穿有两种击穿

（1）雪崩击穿：都是一个链式反应，它也一样，当我掺杂浓度比较低的时候，反向电场的距离就拉的比较长，而且掺杂浓度比较低，外加电场就会变成一个粒子加速器，足够大的场强，不断被加速，撞到共价键上，把共价键撞开，然后就可以得到更多的自由电子，瞬间就可以把偏振结击毁，前提是一定要给偏振结足够的宽度，这就是雪崩击穿

(2) 齐纳击穿：偏振结比较狭窄，很薄，这时候外加的电场你哪怕加一点点电压，距离小，场强就会变得非常大，大到价电子直接被拉出来，克服共价键的束缚，偏振结被击毁，发生在浓度比较高的情况下，一旦击穿之后，载流子就排山倒海一般，畅通无阻

反向击穿之后，偏振结是不是肯定要坏？

绝大数情况下死定了，不是因为反向击穿，而是因为引起了温度升高（电功率变高）发热消耗不了，烧毁了，但是当你的温度没过高，击穿了，我就是没到你烧毁的状态，它可以工作在反向击穿状态下，一定要控制好，不能让它过热（过热之后的击穿，叫二次击穿），自己的热量就可以让它不断出来，热量越大，出来的越多，出来的越多，热量越大，只要控制的好，这一过程就是可逆的

左下角的图线也是一个宝贝，在很大的电压范围内，电流不变，相当于有稳压特性，相当于可以做成稳压二极管，而且这两个击穿又各有不同，温度越高，雪崩击穿所需的越高，温度越高，齐纳击穿所需的越低（温度升高，晶格结构会产生振动）

掺杂一个P得一个自由电子，那我们为什么不参杂六价元素？

通过掺杂浓度，就可以控制反向击穿电压的大小，浓度越高，击穿电压越低

PN结一边像电容的正极板，另一边像电容得负极板，电容是反应什么的？

电容是反应电量和电压之间的关系，我在相同得电压变化内，我电荷得储存量不一样, $\Delta Q$ 和 $\Delta U$ 之间的关系