sentaurus学习笔记（SiC NMOS仿真）（三）

fset epi_thickness @Ndrift_Thickness@
set epi_time 360
set th1 $epi_thickness*0.1
set th2 $epi_thickness*0.1
set th3 $epi_thickness*0.8
set time1 $epi_time*0.1
set time2 $epi_time*0.1
set time3 $epi_time*0.8
deposit SiliconCarbide anisotropic thickness= $th1 species= Nitrogen concentration= @Ndrift_Doping@
diffuse temperature=1600 time=$time1
deposit SiliconCarbide anisotropic thickness= $th2 species= Nitrogen concentration= @Ndrift_Doping@
diffuse temperature=1600 time=$time2
deposit SiliconCarbide anisotropic thickness= $th3 species= Nitrogen concentration= @Ndrift_Doping@
diffuse temperature=1600 time=$time3在sentaurus里什么意思

1. fset epi_thickness @Ndrift_Thickness@ 这行代码设置了一个名为epi_thickness的变量，其值为@Ndrift_Thickness@，这个变量可能在脚本的其他部分定义，表示外延层的厚度。

2. set epi_time 360 这行代码设置了一个名为epi_time的变量，其值为360，这个值可能表示外延层生长的总时间（单位可能是秒）。

3. set th1 $epi_thickness*0.1、set th2 $epi_thickness*0.1、set th3 $epi_thickness*0.8 这些行代码根据epi_thickness计算了三个不同的厚度值，分别命名为th1、th2和th3。这些值可能用于模拟不同深度的掺杂分布。4. set time1 $epi_time*0.1、set time2 $epi_time*0.1、set time3 $epi_time*0.8 这些行代码根据epi_time计算了三个不同的时间值，分别命名为time1、time2和time3。这些值可能用于模拟不同阶段的扩散时间。

4. deposit SiliconCarbide anisotropic thickness= $th1 species= Nitrogen concentration= @Ndrift_Doping@ 这行代码模拟了在硅碳化物上沉积一个外延层，其厚度为$th1，掺杂物种为氮，掺杂浓度为@Ndrift_Doping@。anisotropic关键字可能表示沉积过程具有各向异性，即在不同方向上的沉积速率可能不同。

5. diffuse temperature=1600 time=$time1 这行代码模拟了在1600摄氏度的温度下进行扩散过程，时间为$time1。这可能是外延层生长后的第一步扩散，用于激活掺杂原子并形成适当的掺杂分布。

6. 接下来的两行代码重复了沉积和扩散过程，但是使用了不同的厚度（$th2和$th3）和时间（$time2和$time3）值。这可能是为了模拟不同深度的掺杂分布，或者是为了模拟多层外延生长和扩散的过程。