外部SRAM

最新推荐文章于 2024-02-28 07:33:44 发布
最新推荐文章于 2024-02-28 07:33:44 发布
阅读量964 收藏 6
点赞数
分类专栏： 笔记 文章标签： 单片机 嵌入式硬件
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/qq_52992446/article/details/121132733
版权

文章目录

IS62WV51216

16位宽512K容量的CMOS静态SRAM芯片

特点

高速；低功耗；兼容TTL电平；全静态操作；三态输出；字节控制功能。

框图

在这里插入图片描述
A0~18地址线 总共19根地址线
I/00~15数据线 总共16根数据线
CS2 CS1片选信号 CS2高电平有效 CS1低电平有效
OE输出使能信号 WE写使能信号 UB高字节控制 LB低字节控制信号

FSMC

在这里插入图片描述
灵活静态存储控制器 可同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接

驱动原理

FSMC驱动外部SRAM时，外部SRAM的控制一般有：地址线 数据线 写信号 读信号 片选信号 支持字节控制的UB/LB信号

NOR PSRAM外设接口

FSMC支持8/16位数据宽度
在这里插入图片描述

存储块1操作简介

FSMCBank1 用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM 被分为四个区 每个区管理64M字节空间 每个区有独立的寄存器对连接的存储器进行配置 共有28根地址线寻址
内部AHB地址总线HADDR25：0对来自外部存储器地址FSMC_A[15:0] 26：27对4个区进行寻址
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
不论外部接8位/16位宽设备 FSMC_A[0】永远接外部设备地址A【0】

FSMC存储块1支持异步突发访问模式：模式1 模式A-D等多种时序模型 驱动SRAM一般用模式1或者模式A
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

寄存器介绍

有FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx寄存器
设置FSMC访问外部存储器时序参数 拓宽了可选用的外部存储器的速度范围

SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）

在这里插入图片描述

SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）

在这里插入图片描述

通过设置EXTMOD位，读写时序共用这个时序寄存器

寄存器组合说明

在这里插入图片描述

写时序

IS62WV51216写时序

IS62WV51216芯片8080并口写时序
重点时序：写周期时间 地址建立时间 WE脉宽（tPWE）
在这里插入图片描述
我们使用55ns的IS62WV51216 TWC=55ns tSA=0ns tPWE=45ns（min）

硬件连接

IS62WV51216 与STM32F407ZGT6的连接原理
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

源码

驱动代码

//FSMC_SRAM_Init函数
void FSMC_SRAM_Init(void)
{	
	GPIO_InitTypeDef  GPIO_InitStructure;
	FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;
  FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming; 
	
	RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_GPIOB|RCC_AHB1Periph_GPIOD|RCC_AHB1Periph_GPIOE|RCC_AHB1Periph_GPIOF|RCC_AHB1Periph_GPIOG, ENABLE);//使能PD，PE，PF，PG时钟
  RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC,ENABLE);//使能FSMC时钟
   
	
	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_15;//PB15 推挽输出 控制背光
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;//普通输出模式
  GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStructure);//初始化//PB15 推挽输出 控制背光

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (3<<0)|(3<<4)|(0XFF<<8);//PD0,1,4,5,8~15 AF OUT
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);//初始化
	
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (3<<0)|(0X1FF<<7);//PE0,1,7~15,AF OUT
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//¸复用输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);//初始化
	
 	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (0X3F<<0)|(0XF<<12); 	//PF0~5,12~15
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
    GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
      GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);//初始化

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin =(0X3F<<0)| GPIO_Pin_10;//PG0~5,10
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);//初始化 
 
 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);//PD1,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC); 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource8,GPIO_AF_FSMC); 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource11,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource12,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource13,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PD15,AF12
 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource7,GPIO_AF_FSMC);//PE7,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource8,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource11,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource12,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource13,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PE15,AF12
 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PF0,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);//PF1,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource2,GPIO_AF_FSMC);//PF2,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource3,GPIO_AF_FSMC);//PF3,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);//PF4,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC);//PF5,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource12,GPIO_AF_FSMC);//PF12,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource13,GPIO_AF_FSMC);//PF13,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);//PF14,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PF15,AF12
	
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource2,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource3,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
	
 	  
 	readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;	 //地址建立时间 ADDSET HCLK 1/36M=27ns
  readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;	 //地址保持时间ADDHLD 模式 A 未用到	
  readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x08;		 数据保持时间DATAST 9个HCLK 6*9=54ns	 	 
  readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
  readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
  readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
  readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;	 //模式A
    

 
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 使用NE3 对应BTCR[4],[5]。
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; 
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;  //SRAM   
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit  
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable; 
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;	//存储器写使能
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序

  FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置

 	FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK1区域3									  
											
}


//FSMC_SRAM_WriteBuffer 函数
//在指定地址开始 连续写入n个字节
//pBuffer字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
	for(;n!=0;n--)  
	{										    
		*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;	  
		WriteAddr++;
		pBuffer++;
	}   
}					


//FSMC_SRAM_ReadBuffer函数
//在指定地址开始读出n个字节
//pBuffer字节指针
//ReadAddr：要读出的起始地址
//n：要写入的字节数
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
	for(;n!=0;n--)  
	{											    
		*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);    
		ReadAddr++;
	}  
}

main函数

u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));//测试用数组
//外部内存测试 支持1M字节内存测试
void fsmc_sram_test(u16 x,u16 y)
{  
	u32 i=0;  	  
	u8 temp=0;	   
	u8 sval=0;	//在地址0读到的数据  				   
  	LCD_ShowString(x,y,239,y+16,16,"Ex Memory Test:   0KB"); 
	//每隔4K字节 写入一个数据 总共写入256个数据刚好是1M字节
	for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
	{
		FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
		temp++;
	}
	//依次读出之前写入的数据 进行校验
 	for(i=0;i<1024*1024;i+=4096) 
	{
  		FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1);
		if(i==0)sval=temp;
 		else if(temp<=sval)break;//后面读出的数据一定要比第一次读到的数据大	   		   
		LCD_ShowxNum(x+15*8,y,(u16)(temp-sval+1)*4,4,16,0);//现实内存容量
 	}					 
}	

int main(void)
{        
	u8 key;		 
 	u8 i=0;	     
	u32 ts=0;
	NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置系统中断优先级分组2
	delay_init(168);  //初始化延时函数
	uart_init(115200);		//初始化串口波特率115200
	
	LED_Init();					//初始化LED
 	LCD_Init();         //LCD初始化
 	KEY_Init();					//按键初始化
 	FSMC_SRAM_Init();			//初始化外部SRAM  
 	POINT_COLOR=RED;//设置字体为红
	LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Explorer STM32F4");	
	LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"SRAM TEST");	
	LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
	LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2014/5/14");   
	LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY0:Test Sram");
	LCD_ShowString(30,150,200,16,16,"KEY1:TEST Data");
 	POINT_COLOR=BLUE;//设置字体为蓝色 
	for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=ts;//预存测试数据  
  	while(1)
	{	
		key=KEY_Scan(0);//不支持连接
		if(key==KEY0_PRES)fsmc_sram_test(60,170);//测试SRAM容量
		else if(key==KEY1_PRES)//打印预存测试数据
		{
			for(ts=0;ts<250000;ts++)LCD_ShowxNum(60,190,testsram[ts],6,16,0);//显示测试数据
		}else delay_ms(10);   
		i++;
		if(i==20)//DS0闪烁
		{
			i=0;
			LED0=!LED0;
 		}
	}
}
｡✧* ꧁流痕꧂✧*｡
关注
  • 0
    点赞
  • 踩
  • 6
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 打赏
    打赏
  • 0
    评论
专栏目录
扩展外部SRAM
Kudo_chitose的博客
08-15 3994
扩展外部SRAM 一、SRAM控制原理 STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间，但当程序较大，内存和程序空间不足时，就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。SRAM中的数据断电即失（属于易失性存储器），因此只适用于存储经常改变的变量。扩展内存时一般使用SRAM和SDRAM存储器，但STM32F407系列的芯片不支持扩展SDRAM（STM32F429系列支持），它仅支持使用FSMC外设扩展SRAM。给STM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的，只是PC上一般
STM32芯片--FSMC外设扩展外部SRAM
IssacMi的博客
10-14 7576
这里写自定义目录标题为什么要扩展外部SRAM(一)什么是SRAM简介存储器型号容量引脚配置通讯方式读写特性读取数据时序图读取数据的时序要求写入数据时序图写入数据的时序要求(二)什么是FSMC外设简介功能快捷键合理的创建标题，有助于目录的生成如何改变文本的样式插入链接与图片如何插入一段漂亮的代码片生成一个适合你的列表创建一个表格设定内容居中、居左、居右SmartyPants创建一个自定义列表如何创建...
【STM32】FSMC——扩展外部SRAM
热门推荐
weixin_63726869的博客
08-31 1万+
介绍了使用FSMC扩展外部SRAM的原理，结构体配置，以及代码实现
外部 SRAM 实验
qq_64531765的博客
10-02 938
外部 SRAM 实验
STM32F4_外部SRAM
light_2025的博客
08-02 2351
因为数据宽度是16位的，所以一行可以存放2个字节，每次写入一个字节，那么就需要分别写入这16位的高8位和低8位，那么就需要借助I/O0-I/O7、I/O8-I/O15数据线分别写入这16位的高字节和低字节）因为SRAM读取数据是异步通讯，也就是没有时钟总线，也可以说是双方没有规定好时间，那么我将要读取的地址发送以后，就需要给出一定的反应时间（因为没有时钟，不是同步通信），也就是图中程序区域的。对于一般的应用来说，192K字节已经够用了，但是对于那些对内存要求比较高的，192K字节是远远不够用的；
SRAM.rar_外部SRAM
09-24
外部SRAM，全称为Static Random-Access Memory，是一种非易失性存储器，与内部RAM相比，它提供了更大的存储容量，对于需要处理大量数据或运行复杂程序的微控制器（如STM32F103）而言是十分重要的扩展资源。...
sram.rar_SRAM_外部SRAM
09-21
描述中提到"STM32F10X扩展外部SRAM程序，使用外部SRAM存放数组变量"，这暗示了该程序的核心功能是配置STM32的内存映射，以便能够有效地使用外部SRAM来存储和操作大数组。在实际应用中，比如图像处理、信号处理或者大...
STM32 外部 SRAM
08-11
STM32外部SRAM是指当STM32微控制器自带的内部SRAM容量不足以满足应用程序需求时，通过扩展外部存储器来增加系统内存的一种方法。在本文中，我们将深入探讨如何在STM32F103ZET6上连接并访问外部SRAM，以解决内存不足...
sram_test.rar_SRAM_外部 sram
09-21
标题 "sram_test.rar_SRAM_外部 sram" 指的是一个关于静态随机存取内存（Static Random Access Memory，简称SRAM）的项目或设计，重点在于如何使用外部SRAM进行扩展。描述中提到“SRAM模块功能描述”，这表明文件...
STM32的外部SRAM程序，亲测可用
11-26
STM32的外部SRAM程序，亲测可用。内有详细注释和说明文档，很好的参考资料。
fpga外部sram写测试
08-19
外部SRAM（Static Random-Access Memory）常常被用作FPGA的存储扩展，特别是在需要高速数据存取或者大量数据缓存的应用中。本文将详述“fpga外部sram写测试”的过程，并通过逻辑分析仪来验证数据传输的正确性。 ...
STM32——外部SRAM实验
weixin_62584795的博客
10-08 2993
STM32——外部SRAM实验
【正点原子STM32】FSMC_FMC——外部SRAM实验（SRAM外部静态随机存取存储器、SRAM读写操作步骤、FSMC灵活的静态存储控制器、FSMC HAL库相关驱动、SRAM模块驱动步骤）
最新发布
咖喱年糕的博客
02-28 2148
例如，可以将外部存储器的地址范围映射到CPU的内存地址空间中的某个片区，比如将外部存储器的地址范围映射到内存地址0x60000000开始的区域。SRAM中的数据通常被组织为字节。综上所述，SRAM是一种高性能、低功耗、易于集成和操作的存储器类型，适用于许多不同的应用领域，包括计算机内存、嵌入式系统、通信设备和其他需要快速、可靠的数据存储和访问的设备。总之，内核地址映射是通过配置MMU或者直接修改内存映射表来实现的，通过将外部存储器的地址空间映射到CPU的内存地址空间中，从而实现CPU对外部存储器的访问。
STM32FreeRTOS配置外部SRAM
weixin_64899603的博客
10-03 1180
CubeMX+FreeRTOS配置外部SRAM
STM32-基本知识梳理9-FSMC控制外部SRAM
ADAS_sunshine的博客
04-21 1902
SRAM比较小，没有列地址线，它的数据宽度为16位，即一个行地址对应2字节空间，框图中左侧的A0-A18是行址信号，18根地址线一共可以表示218=28x1024=512K行存储单元，所以它一共能访问512Kx16bits大小的空间。访问时，使用UB#或LB#线控制数据宽度，1，用FSMC外设来管理扩展的存储器，FSMC是Flexible Static Memory Controller的缩写，译为灵活的静态存储控制器。①外部接线引脚，根据不同的存储器类型，由对应的控制引脚，但是地址线和数据线是共用的；
[STM32]使用外部SRAM，MDK自动分配地址
qq_29347269的博客
05-25 4308
1.选中片外SRAM。2.修改分散加载文件，增加外部SRAM的标签。3.定义变量时，较大的数组使用标签定义在外部SRAM。4.查看MAP文件确认变量位置。
STM32-FSMC外扩SRAM讲解以及实际操作
weixin_72238916的博客
01-20 1474
STM32-FSMC外扩SRAM讲解以及实际操作
stm32——fmsc控制外部SRAM——小结
liming0931的专栏
02-25 783
近期项目中使用到了 IS64LV25616AL 的芯片，因此我要总结一下。 IS64LV25616AL这个是256*16的的，数据格式是16位，所以一共有512KB的空间，比较大了，stm32F103zet6才64KB内部SRAM。 可以使能byte enable，进行8位的访问，只要设置好了后，可以像片内的sram一样，随意访问的片外的sram，可以使用指针形式，可以at绝对地址定位的方式（ac...
stm32外部sram启动
06-11
要在STM32上启动外部SRAM，您需要遵循以下步骤： 1. 配置外部SRAM芯片的引脚连接。这些连接应该与STM32的GPIO引脚相连。 2. 在STM32的系统时钟中启用外部SRAM的时钟。这可以通过RCC寄存器配置实现。 3. 配置存储器映射控制器（MMC）以管理外部SRAM。您需要设置MMC的时序参数和存储器类型。 4. 配置存储器管理单元（MPU）以允许STM32访问外部SRAM。您需要设置MPU的存储器区域和保护属性。 5. 在应用程序中使用外部SRAM。您可以通过以下方式访问外部SRAM： a. 使用指针访问外部SRAM的存储器地址。 b. 使用库函数（如memcpy）将数据从内部SRAM复制到外部SRAM或反之亦然。 请注意，外部SRAM的启动过程可能因不同的SRAM芯片而异。因此，请参考SRAM芯片的数据手册以获取详细信息。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

｡✧* ꧁流痕꧂✧*｡

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值