MOS管关键参数

MOS管关键参数

1、开关速度：（T= Ton + Toff）

Ton = Td-on + Tr ；（开通时间 = 延迟时间 + 开通上升时间）

Toff = Td-on + Toff ；（关断时间 = 延迟时间 + 关断下降时间）

频率： f = 1 / （Ton + Toff）

2、寄生电容ESC

Ciss： Ciss = Cgs + Cgd；

Coss： Coss = Cgd + Cds；

Crss： Crss = Cgd；

如上图，GS间寄生电容是Ciss；GD间寄生电容是Crss；DS间寄生电容是Coss；

3、导通电阻Rds（on）

MOS都是有内部的寄生电阻Rds（on），其中：
寄生电阻R越小，MOS的损耗越小；在选取MOS管时一定要去查寻Rds（on）这个参数，一般时mΩ级别的；

4、最大耐压值Vds

在对MOS管选型时，还要注意它的最大耐压值，一般按1.5 ~ 2倍进行选取；

5、米勒平台现象详解

米勒平台是MOSFET在开通过程中特有的一个电压稳定阶段。当MOSFET的栅极电压Vgs上升到一定值时，漏极电压Vds开始下降，但由于栅漏电容Cgd（也称为米勒电容）的存在，栅极电压在一段时间内似乎“停滞不前”，形成一个平台状区域，即米勒平台。

在米勒平台期间，虽然栅极电压看似稳定，但实际上漏极电流Id仍在继续增加，而漏极电压Vds则在逐渐下降。这是因为在这个阶段，栅极电流主要用于对米勒电容Cgd进行充电，而不是继续提升栅极电压。因此，栅极电压在这段时间内保持稳定，形成了所谓的米勒平台。
MOS管导通过程中的各电压电流曲线如图3所示，其中Vgs曲线有著名(臭名昭著)的米勒平台，即Vgs在某段时间(t3-t2)内保持不变。

我们知道MOS管是压控器件，不同于三极管是流控器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程也是需要电流（电荷）的，原因是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs和Cds，如图4所示。MOS管导通条件是Vgs电压至少达到阈值电压Vgs(th)，其通过栅极电荷对Cgs电容充电实现，当MOS管完全导通后就不需要提供电流了，即压控的意思。这三个寄生电容参数值在MOS管的规格书中一般是以Ciss，Coss和Crss形式给出，其对应关系为：

反向传输电容：Crss=Cgd；米勒电容

输入电容：Ciss=Cgs+Cgd；

输出电容：Coss=Cds+Cgd。

然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源极电容的充电。

这儿就是第2点中说到的寄生电容；

6、米勒平台的影响与应用

米勒平台对MOSFET的开关速度和效率有重要影响。一方面，米勒效应会延长MOSFET的开通时间，增加开关损耗；另一方面，通过合理设计电路，我们可以利用米勒平台来实现特定的功能，如电源缓启动等。

缓启动电路：在电源缓启动电路中，通过增加米勒电容Cgd的值，可以延长MOSFET两端电压Vds的下降时间，从而实现电源的平稳启动。这种方法对于防止电路在启动时产生过大的冲击电流非常有效，可以保护电路中的其他元件免受损坏。
开关损耗优化：虽然米勒平台会增加开关损耗，但通过合理的电路设计和控制策略，我们可以将这种损耗降至最低。例如，在高频开关电源中，可以通过优化栅极驱动电路和选择合适的MOSFET型号来减少米勒效应带来的损耗。