嵌入式作业07

1、用实验验证，对于有数据的某扇区，如果没有擦除（Flash_erase），可否写入新数据？注：扇区号为学号 后2位，数据文本中要有姓名。

程序代码如下：

main.c:

#define GLOBLE_VAR
#include "includes.h"      //包含总头文件

//----------------------------------------------------------------------
//主函数，一般情况下可以认为程序从此开始运行（实际上有启动过程，参见书稿）
int main(void)
{
//（1）======启动部分（开头）==========================================
//（1.1）声明main函数使用的局部变量
	uint32_t mMainLoopCount;  //主循环次数变量
	uint8_t mK1[32];	 //按照逻辑读方式从指定flash区域中读取的数据
    
    //uint8_t flash_test[32]={'A','B','C','D','E','F','G',' ','t',
    //                        'o',' ','S','o','o','c','h','o','w',' ',
     //                       'U','n','i','v','e','r','s','i','t','y','!'};
	//uint8_t result;    //判断扇区是否为空标识
//（1.2）【不变】关总中断
	DISABLE_INTERRUPTS;

//（1.3）给主函数使用的局部变量赋初值
    mMainLoopCount=0;    //主循环次数变量


//（1.4）给全局变量赋初值
   
//（1.5）用户外设模块初始化
	gpio_init(LIGHT_BLUE,GPIO_OUTPUT,LIGHT_ON);	//初始化蓝灯

//（1.6）使能模块中断
   
   
//（1.7）【不变】开总中断
	ENABLE_INTERRUPTS;
       
//（1）======启动部分（结尾）==========================================
    
    //擦除第55扇区
	flash_erase(55);   
    //向55扇区第0偏移地址开始写32个字节数据
    flash_write(55,0,32,(uint8_t *) "DZW 32106100055");
	flash_read_logic(mK1,55,0,32); //从55扇区读取32个字节到mK1中
	printf("读取55扇区的32字节的内容:  %s\n",mK1);
	memset(mK1, 0, sizeof(mK1));	//内容清零
	
	if(flash_write(55,0,32,(uint8_t *) "32106100055 DZW")!=0)
		printf("不擦除会写入失败");
	else
	{
		flash_read_logic(mK1,55,0,32); //从55扇区读取32个字节到mK1中
		printf("不擦除就写入后读取55扇区的32字节的内容:  %s\n",mK1);
		memset(mK1, 0, sizeof(mK1));	//内容清零
	}
	
	//擦除第55扇区
	flash_erase(55);   
	flash_write(55,0,32,(uint8_t *) "32106100055 DZW");
	flash_read_logic(mK1,55,0,32); //从55扇区读取32个字节到mK1中
	printf("擦除再写入后读取55扇区的32字节的内容:  %s\n",mK1);
	memset(mK1, 0, sizeof(mK1));	//内容清零
	
 //（2）======主循环部分（开头）========================================
	for(;;)   //for(;;)（开头）
	{
//（2.1）主循环次数变量+1
        mMainLoopCount++;
//（2.2）未达到主循环次数设定值，继续循环
		if (mMainLoopCount<=12888999)  continue;
//（2.3.1）清除循环次数变量
		mMainLoopCount=0; 
	}
}   //main函数（结尾）

程序运行结果如下：

(1)先说实验结果，如果没有擦除，不能写入新数据，因为Flash 存储器芯片或微控制器具有硬件级别的保护机制，防止在没有擦除的情况下进行写入。这种保护机制可能会导致写入操作在硬件级别上失败，即使软件层面的函数调用返回成功。

(2)先修改flash.c的内容，flash_write函数内置了扇区擦除功能，我将其注释掉，使其不能自行擦除，并且对flash_best函数的返回值进行了判断，若flash_best函数执行失败则直接返回1。

(3)然后在main.c编写程序

①先是正常的擦除再写入内容，接着读取内容再打印，最后再将内容清零。

②然后尝试不擦除扇区就写入新内容，如果软件层面检测到写入失败，则会显示“写入失败”，如果检测写入成功，则会读取内容再打印。

③最后尝试擦除扇区再写入新内容。

(4)现在运行程序，查看实验结果

①从第二行结果可以看出，不擦除时写入失败了，扇区中还是上一次写入的内容。

②但是从程序的返回值来看，返回值为0，程序认为写入成功了，所以第二行显示的内容是这个而不是“写入失败”

③第三行可以看出擦除后再写入新数据成功了，打印的内容也是正确的。

④从上述结果可以得出结论：如果没有擦除，不能写入新数据，因为Flash 存储器芯片或微控制器具有硬件级别的保护机制，防止在没有擦除的情况下进行写入。这种保护机制可能会导致写入操作在硬件级别上失败，即使软件层面的函数调用返回成功。

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2、在ADC实验中，结合热敏电阻，分别通过触摸芯片表面和热敏电阻，引起A/D值变化，显示芯片内部温度和当前温度。

程序代码如下：

main.c:

#define GLOBLE_VAR
#include "includes.h"      //包含总头文件
void Delay_ms(uint16_t u16ms);
float Regression_Ext_Temp(uint16_t tmpAD);      //环境温度AD值转为实际温度
float Regression_MCU_Temp(uint16_t mcu_temp_AD); //MCU温度AD值转为实际温度

//----------------------------------------------------------------------
//主函数，一般情况下可以认为程序从此开始运行（实际上有启动过程，参见书稿）
int main(void)
{
    //（1）======启动部分（开头）==========================================
    //（1.1）声明main函数使用的局部变量
    uint32_t mMainLoopCount;  //主循环次数变量
    uint16_t num_AD2;
    uint16_t num_AD3;
    uint16_t temp_AD2;
    uint16_t temp_AD3;
    //（1.2）【不变】关总中断
    DISABLE_INTERRUPTS;
    
    //（1.3）给主函数使用的局部变量赋初值
    mMainLoopCount=0;    //主循环次数变量
    
    //（1.4）给全局变量赋初值
    
    //（1.5）用户外设模块初始化
    adc_init(ADC_CHANNEL_15,AD_DIFF);			   //初始化ADC通道15
    adc_init(ADC_CHANNEL_TEMPSENSOR,AD_SINGLE);	//初始化ADC通道：内部温度
    
    emuart_init(UART_User,115200);
    //（1.6）使能模块中断
    uart_enable_re_int(UART_User);
    
    //（1.7）【不变】开总中断
    ENABLE_INTERRUPTS;
     
    //（1）======启动部分（结尾）==========================================
    
    //（2）======主循环部分（开头）========================================
    for(;;)   //for(;;)（开头）
    {
        //（2.1）主循环次数变量+1
        mMainLoopCount++;
        //（2.2）未达到主循环次数设定值，继续循环
        //延时1秒
        if (mMainLoopCount<=3000000)  continue;
        //（2.3）达到主循环次数设定值，执行下列语句，进行灯的亮暗处理
        //（2.3.1）清除循环次数变量
        mMainLoopCount=0;
        num_AD2 = adc_ave(ADC_CHANNEL_15,8);
        num_AD3 = adc_ave(ADC_CHANNEL_TEMPSENSOR,8);
        temp_AD2 =Regression_Ext_Temp(num_AD2);      //环境温度AD值转为实际温度
		temp_AD3=Regression_MCU_Temp(num_AD3);		//芯片温度AD值转为实际温度
        printf("环境温度的A/D值：%d\r\n",num_AD2);
        printf("环境温度：%d\r\n",temp_AD2);
        printf("内部温度传感器的A/D值：%d\r\n",num_AD3);   
        printf("内部温度：%d\r\n",temp_AD3);
        Delay_ms(1000);
    }  //for(;;)结尾
    //（2）======主循环部分（结尾）========================================
}   //main函数（结尾）

void Delay_ms(uint16_t u16ms)
{
    uint32_t u32ctr;
    for(u32ctr = 0; u32ctr < 8000*u16ms; u32ctr++)
    {
        __ASM("NOP");
    }
}

//============================================================================
//函数名称：Regression_Ext_Temp
//功能概要：将读到的环境温度AD值转换为实际温度
//参数说明：tmpAD：通过adc_read函数得到的AD值
//函数返回：实际温度值
//============================================================================
float Regression_Ext_Temp(uint16_t tmpAD)
{
    float Vtemp,Rtemp,temp;
    if(tmpAD<=72)
    {
       return -274;
    }
    Vtemp = (tmpAD*3300.0)/4096;
    Rtemp = Vtemp/(3300.0 - Vtemp)*10000.0;
    temp = (1/(log(Rtemp/10000.0)/3950.0 + (1/(273.15 + 25)))) - 273.15 + 0.5; 
    return temp+8; 
}


//============================================================================
//函数名称：Regression_MCU_Temp
//功能概要：将读到的mcu温度AD值转换为实际温度
//参数说明：mcu_temp_AD：通过adc_read函数得到的AD值
//函数返回：实际温度值
//============================================================================
float Regression_MCU_Temp(uint16_t mcu_temp_AD)
{
	float mcu_temp_result;
	mcu_temp_result=(float)(55+(100*((float)(mcu_temp_AD) - AD_CAL1))/(AD_CAL2 - AD_CAL1));
	return mcu_temp_result+8;
}

程序运行结果如下：

        首先初始化ADC通道15和17，通道15对应热敏电阻引脚，可以用来获得环境温度AD值；通道17对应内部温度传感器，可以获得芯片内部温度AD值。

        然后通过Regression_Ext_Temp和Regression_MCU_Temp函数将获得的环境和芯片内部温度AD值转化为实际温度。

        运行程序后发现测量温度值和实际温度值有较大差距，这里用一种较简单的方式缩小差距。

        接下来进行串口更新，打开串口，运行结果如下：

        然后给热敏电阻降温，运行结果如下：

        可以看到环境温度的AD值逐渐上升，环境温度逐渐下降。

        现在再用手触摸热敏电阻，使热敏电阻升温

        可以看到环境温度的AD值逐渐下降，环境温度逐渐上升。