模电学习笔记（半导体导论）

 

• 电子技术（构成）

• 二极管、三极管、场效应管

1. 线性区    （放大）：模拟电路→连续变化的信号
2. 非线性区（开关）：数字电路→离散的数字信号

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  半导体

1. 什么是半导体？
2. 为什么是半导体？

• 导电特性处于导体和绝缘体之间（Si、Ge）

• 源于它的三大特性：

1. 热敏性—当环境温度升高，导电能力显著增强

2. 光敏性—当受到光照时，导电能力显著变化

3. 掺杂性—往纯净的半导体中参入某些杂质，导电能力显著变化

• 本征半导体

• 1.什么是本征半导体？
• 2.为什么要引入它？
• 完全纯净、具有晶体结构的半导体（没有杂质，内部处于8价稳定状态）
• 引入目的是为了分析其导电机理→为杂质半导体做铺垫

 导电机理：

*本征激发 温度或其他因素引起的外界变化，

使价电子得到能量，挣脱了原子核的束缚→自由电子；

在原来的位置上便留有一个空位→空穴

*复合 空穴吸引相邻原子的价电子来填充（从宏观上看相当于空穴做了相对位移）

*温度调节到特定值 本征激发和复合过程会达到动态平衡

因此在整个过程中

1. 自由电子做了定向移动→电子电流（载流子）
2. 价电子复合空位→空穴电流（载流子）

*注意：在本征半导体中载流子数目极少，导电性能很差

             温度越高→载流子数目越多→导电越好

• 杂质半导体

1. 什么是杂质半导体？
2. 杂质半导体有什么用？

• 在本征半导体中参入杂质

五价元素（磷P）→电子半导体或N型半导体（Negative负极）

多数载流子（多子）：自由电子

少数载流子（少子）：空穴

三价元素（硼B）→空穴半导体或P型半导体（Positive正极）

多子：空穴          少子：自由电子

导电机制：*主要靠多子导电。参杂越多，多子浓度越高，导电越强，从而能够实现导电性可控。

• 这里引出杂质半导体主要为阐释PN结的机理打下基础

•  PN结

1. 什么是PN结？
2. 怎么想出这个现象的，从哪方面进行切入？
3. 有什么用？

• P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层

• * N型半导体中的多子自由电子，由于浓度大向着P型半导体扩散与其结合层中的空穴结合，使P型半导体结合层呈现负电

        *P型半导体中的多子空穴，做自由扩散运动到N型半导体结合           层与其结合层中的自由电子结合，使N型半导体结合层呈正

因而在结合层中形成了内电场，电流方向N→P（多子的扩散运动）

     此时N型半导体中的少子空穴沿着内电场方向流入P型半导体

            P型半导体中的少子自由电子逆电场方向流入N型半导体

分析易知此现象是在某种意义上阻碍了多子的扩散（少子的漂移运动）

• 因此在一定温度和参杂浓度的PN结中多子的扩散运动会与少子的漂移运动达到一定的动态平衡，此时PN结会处于一个固定的平衡状态（空间电荷区的厚度固定不变）
• PN结的用途体现在其性质方面

1. 单向导电性

• PN结加正向电压哦（P接正、N结负极）

P型半导体接正极空穴聚集在空间电荷区，与P型半导体结合层的负电结合

N型半导体接负极自由电子增多聚集在空间电荷区，与N型半导体结合层中正电结合

此番操作下来使得势垒区（PN结）厚度减小，内电场减小，漂移运动减弱，当外加电压足够大时PN结会导通

• PN结接反向电压（P接负、N接正）

P型半导体结合层中自由电子增多，会与P型半导体中的多子结合，扩大势垒区

N型半导体结合层中的空穴增多与其内部多子结合，扩大势垒区

此时PN结内电场会增强，漂移运动增强，当反向偏置电压足够大时会断开

     2.PN结的电容效应