LDO主要功能模块概述(第一部分)

LDO主要功能模块概述(第一部分)

下图所示是常见的DC-DC电源的种类:
​​在这里插入图片描述
​​​​可以看到DC-DC电源主要分为线性稳压器和开关电源,其中开关电源又分为两类,分别是基于电感的和基于电容,其中基于电感的通常称为开关电源而基于电容的则称为电荷泵以此来作为区分。下面我们来主要介绍一下线性稳压器的相关结构和性能参数特点。

一、基本结构

对于LDO来说其基本的结构主要由四个基本模块组成,分别是基准电路、误差放大器、功率级和辅助电路,如下所示:

我们可以得到输入到输出的传输函数为: V O U T = V R E F ⋅ A O , E A ⋅ A O , P O W 1 + R F B 2 R F B 1 + R F B 2 ⋅ A O , E A ⋅ A O , P O W = V R E F ⋅ R F B 1 + R F B 2 R F B 2 ( 1 − 1 1 + R F B 2 R F B 1 + R F B 2 ⋅ A O , E A ⋅ A O , P O W ) \begin{equation}\begin{split} \bold{V_{OUT}} &\bold{=V_{REF} \cdot \frac{A_{O,EA} \cdot A_{O,POW}}{1+\frac{R_{FB2}}{R_{FB1}+R_{FB2}} \cdot A_{O,EA} \cdot A_{O,POW} }} \\ &\bold{=V_{REF} \cdot \frac{R_{FB1}+R_{FB2}}{R_{FB2}}(1-\frac{1}{1+\frac{R_{FB2}}{R_{FB1}+R_{FB2}} \cdot A_{O,EA} \cdot A_{O,POW} }) } \end{split}\end{equation} VOUT=VREF1+RFB1+RFB2RFB2AO,EAAO,POWAO,EAAO,POW=VREFRFB2RFB1+RFB2(11+RFB1+RFB2RFB2AO,EAAO,POW1)下面我们将详细介绍不同模块的主要功能和设计指标。

二、基准电路模块

从上述的基本结构中我们可以看到基准电路为误差放大器提供基准电流和基准电压,所以一般来说基准模块中包含基准电流和基准电压两个电路。

2.1、电压基准电路

当LDO拥有足够大的环路增益时,式(1)可以简化为: V O U T ≈ V R E F ⋅ R F B 1 + R F B 2 R F B 2 = V R E F ⋅ α \begin{align} \bold{V_{OUT} \approx V_{REF} \cdot \frac{R_{FB1}+R_{FB2}}{R_{FB2}}=V_{REF} \cdot \alpha } \end{align} VOUTVREFRFB2RFB1+RFB2=VREFα上式表明基准电压 V R E F V_{REF} VREF的任何误差都会被放大 α \alpha α倍。下面介绍其主要性能指标。
①、温漂系数
电压温漂系数是指当温度变化1 ° C \degree C °C时,输出电压变化的百万分比,单位为 p p m / ° C ppm/\degree C ppmC,其表达式定义如下: T d f t , B G = V B G , m a x − V B G , m i n V B G , a v e r ( T m a x − T m i n ) × 1000000 ( p p m / ° C ) \begin{align} \bold{T_{dft,BG}=\frac{V_{BG,max}-V_{BG,min}}{V_{BG,aver}(T_{max}-T_{min})} \times 1000000 (ppm/ \degree C)} \end{align} Tdft,BG=VBG,aver(TmaxTmin)VBG,maxVBG,min×1000000(ppm/°C)我们可以得到LDO的输出电压和基准电压拥有相同的温度系数。
②、电源电压漂移系数
电源电压漂移系数是衡量带隙基准电源输出电压随电源电压变化的参数,其观测是对直流工作点的测量,属于大信号响应,其表达式定义如下: V d f t , B G = V B G , m a x − V B G , m i n V B G , a v e r ( V D D , m a x − V D D , m i n ) × 100 ( % / V ) \begin{align} \bold{V_{dft,BG}=\frac{V_{BG,max}-V_{BG,min}}{V_{BG,aver}(V_{DD,max}-V_{DD,min})} \times 100 (\%/V)} \end{align} Vdft,BG=VBG,aver(VDD,maxVDD,min)VBG,maxVBG,min×100(%/V)③、输出噪声
输出噪声的计算方法为测量带隙基准输出端的噪声谱密度,在关心的频率范围内对噪声谱积分,然后对积分值开方,从而获得带隙基准输出端在关心的频率范围内的噪声大小,有结论LDO的输出噪声大约是电压基准电路输出噪声的 α \alpha α倍。
④、功耗
功耗是衡量在正常工作情况下消耗电流多少的参数。更小的噪声和更快的响应速度都需要以增大功耗为代价,但是在应用中每个单元电路都有功耗要求。
⑤、电源抑制
对于带隙电压基准,其电源抑制为基准电压变化与电源电压变化的比值,以增益的形式出现,单位为dB,其属于小信号特性,在测量该参数时,电路的直流工作点不应该发生变化,其表达式如下: P S R B G = 20 l g ( Δ v O U T , B G / Δ v D D ) = 20 l g ( Δ v R E F / Δ v D D ) \begin{align} \bold {PSR_{BG}=20lg(\Delta v_{OUT,BG}/ \Delta v_{DD})=20lg(\Delta v_{REF}/ \Delta v_{DD})} \end{align} PSRBG=20lg(ΔvOUT,BGvDD)=20lg(ΔvREFvDD)而LDO的电源抑制为: P S R L D O = 20 l g ( α ⋅ Δ v O U T , B G / Δ v D D ) = 20 l g ( α ) + P S R B G \begin{align} \bold {PSR_{LDO}=20lg(\alpha \cdot \Delta v_{OUT,BG}/ \Delta v_{DD})=20lg(\alpha)+PSR_{BG}} \end{align} PSRLDO=20lg(αΔvOUT,BGvDD)=20lg(α)+PSRBG⑥、面积
为了减小功耗,需要大阻值的电阻,其会占用更大面积;为了减小噪声,需要大尺寸的MOS管,因此面积和功耗,噪声之间存在折衷关系,需要仔细考虑。

2.2、电流基准电路

由于LDO的输入电压变化范围较大,且LDO的输入电压就是内部电路的电源电压,因此产生一个不受电源电压影响的基准电流是电流基准电路的首要目标。通过分析我们可以知道基准电流作为整个LDO系统中最小的电流单位,会影响LDO系统的功耗和输出噪声,因此电流基准电路的主要设计目标是产生小的基准电流和高的电源抑制。下面介绍其主要性能指标。
①、基准电流大小
基准电流的大小是首先要衡量的指标,可以通过电路仿真直接得到。
②、温漂系数
电流温漂系数是指当温度变化1 ° C \degree C °C时,输出电流变化的百万分比,单位为 p p m / ° C ppm/\degree C ppmC,其表达式定义如下: T d f t , B I A S = I B G , m a x − I B G , m i n I B G , a v e r ( T m a x − T m i n ) × 1000000 ( p p m / ° C ) \begin{align} \bold{T_{dft,BIAS}=\frac{I_{BG,max}-I_{BG,min}}{I_{BG,aver}(T_{max}-T_{min})} \times 1000000 (ppm/ \degree C)} \end{align} Tdft,BIAS=IBG,aver(TmaxTmin)IBG,maxIBG,min×1000000(ppm/°C)③、电源电压温漂系数
反映了在不同电源电压下,基准电流的变化情况,属于大信号响应,在仿真时电路的直流工作点会发生变化,其表达式如下: V d f t , B I A S = I B I A S , m a x − I B I A S , m i n V B I A S , a v e r ( V D D , m a x − V D D , m i n ) × 100 ( % / V ) \begin{align} \bold{V_{dft,BIAS}=\frac{I_{BIAS,max}-I_{BIAS,min}}{V_{BIAS,aver}(V_{DD,max}-V_{DD,min})} \times 100 (\%/V)} \end{align} Vdft,BIAS=VBIAS,aver(VDD,maxVDD,min)IBIAS,maxIBIAS,min×100(%/V)④、电源抑制
对于电流基准电路,电源抑制指基准电流变化与电源电压变化的比值,其单位为 S ⋅ d B S \cdot dB SdB,其属于小信号特性,在仿真时其直流工作点不会发生变化,其表达式为: P S R B I A S = 20 l g ( Δ i R E F / Δ v D D ) \begin{align} \bold {PSR_{BIAS}=20lg(\Delta i_{REF}/ \Delta v_{DD})} \end{align} PSRBIAS=20lg(ΔiREFvDD)⑤、面积
通常在电流基准电路中包含电阻,为了获得较小的基准电流,一般会采用较大阻值的电阻,这会产生较大的面积消耗。

三、误差放大器

误差放大器是LDO中最重要的模块,它影响输出电压的精度,负载瞬态响应,线性瞬态响应和过冲,欠冲电压的大小。下面我们介绍误差放大器的基本结构和其主要的性能参数。

3.1、基本结构

在误差放大器中一个带电流镜负载的差分输入单端输出的放大器是必不可少的【注:很少使用差分输入差分输出的全差分放大器,因为其需要共模反馈,是电路变得复杂】除此之外一般会在其后接一个单级放大器,可以是共源级的也可以是源跟随的。同时为了保证系统的稳定性,在误差放大器中产生的极点一般被控制在2个左右。
【下面给出其极点的简单分析:
在没有补偿电路时,各级放大器的输出端极点频率可以表示为: p i = 1 R O i C L i \begin{align} \bold{p_{i}=\frac{1}{R_{Oi}C_{Li}}} \end{align} pi=ROiCLi1其中 R O i R_{Oi} ROi是第i级放大器的输出阻抗, C L i C_{Li} CLi是第i级放大器的负载电容,包括输出端的寄生电容和下一级输入MOS管的输入栅电容。因为第二级放大器驱动的功率MOS管的尺寸很大,所以其寄生栅电容很大,使得第二级放大器的输出极点的频率很低。而第一级放大器的输出极点频率可以通过减小输入对管尺寸推到高频,通关添加密勒补偿电容或使用共源共栅结构推到极低频,所以其输出极点频率的变化范围比较大。

3.2、主要性能指标

①、增益
误差放大器的增益决定着LDO输出电压的精确度和电源抑制特性,一般来说增益越大,其精度和抑制特性越好。
②、3dB带宽
这里重点关注3dB带宽的原因是其关系到LDO整体的电源抑制特性中的频率拐点。​​​​​​而对于误差放大器来说其3dB带宽也就是误差放大器中的最低极点频率。
③、压摆率
压摆率是大信号特性,它由放大器最大输出电流和放大器所驱动的容性负载共同决定,计算公式如下: S R i = I m a x , i C L i \begin{align} \bold{ SR_{i}=\frac{I_{max,i}}{C_{Li}}} \end{align} SRi=CLiImax,i在误差放大器中其压摆率取决于两个放大器中最小的压摆率。
④、工作电压范围
误差放大器的工作电压分为最高和最低工作电压,最高工作电压由MOS管的耐压特性决定。最低工作电压主要由所有MOS管都能正常工作的最低工作电压决定。
⑤、输出电压范围
误差放大器的输出电压需要大于功率管栅端电压的变化范围。这里注意不是栅源电压的变化范围。
⑥、输入电压范围
这里所说的输入电压范围是指误差放大器非饱和时所允许的输入电压变化范围。这里饱和是指误差放大器中的任何一个放大器的输出电流达到其最大值,这个数值通常由放大器的尾电流决定,即 V I N , m a x = I T A L L g m , I N \begin{align} \bold {V_{IN,max}=\frac{I_{TALL}}{g_{m,IN}}} \end{align} VIN,max=gm,INITALL假设加载到放大器输入端的电压超过了式(12)计算的结果,此时LDO环路进行大信号响应,反之则进行的是小信号响应。
⑦、电源抑制
因为误差放大器之中和之后都包含增益级,因此从误差放大器进入的电源噪声会被放大后记入LDO的输出噪声中,用电源抑制表示放大器的电源抑制特性,它表示电源到该放大器输出端的增益,表示为: P S R i = v O , i v D D \begin{align} \bold {PSR_{i}=\frac{v_{O,i}}{v_{DD}}} \end{align} PSRi=vDDvO,i

四、功率级

从LDO的基本结构中可以看到系统中的功率级是由功率管,反馈电阻网络,片外负载电容和片外负载电阻构成。在功率管的选择上一般选择PMOS管,因为采用PMOS管不仅使功率级是一个共源极放大器结构,能为LDO环路提供增益,更重要的是LDO的压差将是PMOS管的漏源电压 V D S V_{DS} VDS,当PMOS管处于饱和区工作时,仅需要很小的 V D S V_{DS} VDS就可以产生足够的输出电流。下面我们介绍其主要性能参数。
①、输出电流范围
LDO的最大输出电流由系统定义,一般比设计要求高50%,其最小输出电流为0mA,但是这里要注意此时功率管的漏源电流不等于0,而是: I D S , P O W , m i n = V O U T R F B 1 + R F B 2 \begin{align} \bold {I_{DS,POW,min}=\frac{V_{OUT}}{R_{FB1}+R_{FB2}}} \end{align} IDS,POW,min=RFB1+RFB2VOUT②、功率管栅源电压变化范围
由MOS管漏电流的平方律关系可以得到: ∣ V G S , P O W , m a x ∣ = I O U T , m a x 2 μ P O W ⋅ C O X , P O W ( W L ) P O W + ∣ V T H , P O W ∣ \begin{align} \bold {|V_{GS,POW,max}|=\sqrt{{\frac {I_{OUT,max}}{2 \mu_{POW} \cdot C_{OX,POW} (\frac {W}{L})_{POW}}}}+|V_{TH,POW}|} \end{align} VGS,POW,max=2μPOWCOX,POW(LW)POWIOUT,max +VTH,POW ∣ V G S , P O W , m i n ∣ = I O U T , m i n 2 μ P O W ⋅ C O X , P O W ( W L ) P O W + ∣ V T H , P O W ∣ \begin{align} \bold {|V_{GS,POW,min}|=\sqrt{{\frac {I_{OUT,min}}{2 \mu_{POW} \cdot C_{OX,POW} (\frac {W}{L})_{POW}}}}+|V_{TH,POW}|} \end{align} VGS,POW,min=2μPOWCOX,POW(LW)POWIOUT,min +VTH,POW这里给出的是栅源电压的范围,但是我们关心的栅端的电压,因为如果栅端的电压变化范围过大,可能会超出误差放大器的输出范围,使得误差放大器的增益下降,影响输出精度。其栅电压的变化范围为: V G , P O W , m a x = V D D , m a x − ∣ V G S , P O W , m i n ∣ V G , P O W , m i n = V D D , m i n − ∣ V G S , P O W , m a x ∣ \begin{align} \bold{ V_{G,POW,max}}&\bold {=V_{DD,max}-|V_{GS,POW,min}|} \\ \bold{ V_{G,POW,min}}&\bold {=V_{DD,min}-|V_{GS,POW,max}|} \end{align} VG,POW,maxVG,POW,min=VDD,maxVGS,POW,min=VDD,minVGS,POW,max我们可以得到,在输出电流范围给定的情况下,要减小功率管栅端变化的范围,可以通过加大功率管宽长比实现。
③、功率级增益
功率管的跨导,负载电阻和增益如下所示: g m , P O W = 2 μ P O W ⋅ C O X , P O W ( W L ) P O W I O U T \begin{align} \bold {g_{m,POW}=\sqrt{{{2 \mu_{POW} \cdot C_{OX,POW} (\frac {W}{L})_{POW}I_{OUT}}}}} \end{align} gm,POW=2μPOWCOX,POW(LW)POWIOUT R O , P O W = ( R F B 1 + R F B 2 ) / / R L = ( R F B 1 + R F B 2 ) / / V O U T I O U T = { ( R F B 1 + R F B 2 ) , I O U T → 0 V O U T I O U T , I O U T → I m a x \begin{equation} \begin{split} \bold {R_{O,POW}} & \bold {= (R_{FB1}+R_{FB2})//R_{L}=(R_{FB1}+R_{FB2})// \frac {V_{OUT}}{I_{OUT}}} \\ & \bold {=} \begin{cases} \bold{ (R_{FB1}+R_{FB2}),}&\bold{I_{OUT} \rarr 0} \\ \bold{ \frac {V_{OUT}}{I_{OUT}} ,}&\bold{I_{OUT} \rarr I_{max}} \end{cases} \end{split} \end{equation} RO,POW=(RFB1+RFB2)//RL=(RFB1+RFB2)//IOUTVOUT={(RFB1+RFB2),IOUTVOUT,IOUT0IOUTImax由跨导和负载电阻可以得到其增益 A O , P O W = g m , P O W ⋅ R O , P O W A_{O,POW}=g_{m,POW} \cdot R_{O,POW} AO,POW=gm,POWRO,POW,可以看到功率级的参数都是和输出电流相关的变量。其中增益和输出电流的关系是:输出电流减小,功率级的增益增大。
④、带宽
没有辅助电路时,功率级的3dB带宽等于他的输出极点频率,其输出极点表达式为: P P O W = 1 ( ( R F B 1 + R F B 2 ) / / R L ) C L \begin{align} \bold {P_{POW}=\frac {1}{((R_{FB1}+R_{FB2})//R_{L})C_{L}}} \end{align} PPOW=((RFB1+RFB2)//RL)CL1其与输出电流的关系是:输出电流减小,带宽减小。
⑤、单位增益带宽
功率级的增益带宽积的表达方式为: G B W P O W = A O , P O W ⋅ P P O W \begin{align} \bold {GBW_{POW}=A_{O,POW} \cdot P_{POW}} \end{align} GBWPOW=AO,POWPPOW其与输出电流的关系是:输出电流增加,单位增益带宽和增益带宽积增加。
⑥、栅电容
功率级MOS管栅电容的计算公式为: C G G , P O W = C O X , P O W ⋅ W ⋅ L \begin{align} \bold {C_{GG,POW}=C_{OX,POW} \cdot W \cdot L} \end{align} CGG,POW=COX,POWWL所以,功率管的尺寸越大,栅电容也越大,所以在保证相同宽长比的情况下优先选择最小栅长,来减小面积和栅电容。
⑦、反馈电阻网络
反馈电阻网络的设计重要性体现在版图设计方面,为了能欧实现流片后对输出电压的修正,通常在反馈网络中添加1:2:4:8:16的小电阻模块。
⑧、片外负载电容
大的片外负载电容可以降低过冲电压使输出电压的瞬态响应更加稳定,小的片外负载电容可以将输出极点推向更高的频率。同时注意其寄生电阻ESR的存在会引入一个左半平面零点。
⑨、电源抑制
功率级也存在电源抑制的问题,其所带来的电源抑制 P S R P O W PSR_{POW} PSRPOW的值较大,类似于 g m r o g_{m}r_{o} gmro

五、辅助电路

常用的辅助电路包括:关断电路、启动电路、摆率增强电路、片外电容放电电路、限流电路、短路保护电路和过温保护电路,下面我们介绍它们各自的作用。
①、关断电路
关断电路的主要功能是当外部给LDO芯片关断信号时,将输出电压归0,有效降低此时的LDO的静态功耗。
②、启动电路
启动电路的主要作用是保证在芯片上电时,所有模块都能脱离零工作点。
③、摆率增强电路
摆率增强电路能够在输出LDO负载电流发生突变时,提供额外的支路对功率管进行充放电,而在LDO的负载电流稳定时,不对外提供任何充放电电流。
④、片外电容放电电路
该电路主要在负载电流由重负载变为轻负载时发挥作用,为负载电容提供放电电路。
⑤、限流电路
限流电路通过检测LDO输出电流的大小,在输出电流到达阈值后,通过控制功率管的栅端,形成一个新的环路来稳定LDO的输出电流,进而实现限流的作用。
⑥、短路保护电路
短路保护电路的作用是,当LDO进入限流状态后,并且输出电压低于某一阈值时,将LDO暂时关断,起到保护电路和节约功耗的作用。
⑦、过温保护电路
过温保护电路的主要作用是通过设计的温度传感器感知芯片内部温度,当温度超过阈值 T H T_{H} TH后,关断芯片;当温度低于阈值 T L T_{L} TL后,恢复工作。

六、总结

在本部分中我们给出了LDO基本组成模块各自的主要性能参数,帮助我们建立对不同模块的理解,为后续设计所面临的问题提供帮助。

参考文献

【1】CMOS低压差线性稳压器 /王忆,何乐年 著.—北京:科学出版社,2012

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