电容器 & MOS电容（一）

最新推荐文章于 2025-02-04 22:23:59 发布

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0. 前言

MOS电容是MOSFET的核心。在大二下学期学习《半导体物理与器件》第十章时，便是迷迷糊糊的。故，进行梳理。

1.电容器

1.1 电容器的工作原理

图1.1展示了电容器的基本结构。电容器由绝缘材料隔开的两块金属板构成，金属板通常由铝或者其他金属构成，电介质可以用任何一种绝缘材料。

图1.1 电容器基本结构

通常，金属具有等量的带正负电荷的粒子，即处于电中性（electrically neutral）。

如果我们将电源连接到两块金属板上，连接正极的金属板上的电子将被吸引到电源正极（因为电源正极具有高电势），经由非静电力作用从正极搬运到负极，继而来到连接负极的金属板。由于电介质的存在，电子将无法通过电容器，开始在连接负极的金属板上堆积。

图1.2 (a).金属处于电中性状态 (b).电容器充电示意图

当电子间的斥力大到电源无法将新的电子推入金属板时，电容器已经完成充电。此刻，连接负极的金属板带净负电荷（net negative charge）,连接正极的金属板上带净正电荷（net positive charge）。两极板间产生由带有净正电荷极板指向带有净负电荷极板的电场，以保持电容器的电荷。

图1.3 电容器完成充电

1.2 电介质如何增强电容器？

对于一个带有电介质的电容器，其单位面积电容：

其中，εr 是介质材料的相对介电常数，ε0 是真空的介电常数，d 是两个极板之间的距离。

电介质中的分子带有极性，这意味着它们能够根据电场而改变方向，从无序排列到有序排列，如图1.3所示。这将吸引更多的电子到负极板上，排斥更多的电子离开正极板。故，增强了电容器。

图1.3 电介质如何增强电容器

2.理想电容-电压特性

2.1 概述

MOS电容结构是MOSFET的核心。器件的单位面积电容定义为：

其中，dQ为极板上电荷的微分变量，dV是直流栅压的微分变量，可以通过在所加直流栅压上叠加一交流小信号电压。正如下文所述，电容是直流栅压的函数。我们需要区分直流偏压 and 交流小信号。这就像是模拟CMOS中大信号与小信号的区别，大信号确定晶体管的工作状态，小信号则是在某一静态工作点上的微小变化。

本文首先考量理想电容-电压特性，即假设栅氧化层和栅氧化层-半导体界面均无陷阱电荷，后考量MOS电容具有的频率特性。后续文章考虑非理想因素。

记栅极金属相较于p型半导体衬底的偏压为：

当 $V_{GS}$ 由负到正进行扫描时，半导体分别经历堆积、平带、耗尽、反型模式，下面分别分析对应模式下的MOS电容特性。

2.2 Silvaco等EDA工具如何测量电容？

Silvaco和Cadence Virtuoso等EDA工具，通常通过交流（AC）仿真来测量器件的电容。具体方法是在直流偏压上叠加一个交流电压信号，然后通过测量流过电容的电流来间接计算电容值。

进行AC仿真的基本步骤如下：

设置直流偏压：首先需要设置一个直流偏压（DC Bias），这通常用于提供器件所需的静态工作条件。
叠加交流电压：在直流偏压的基础上，再叠加一个交流电压信号。
测量电流：通过测量流过电容的交流电流，可以得到电容值：

电流的本质是电子的定向运动，因此测量电流也是测量单位内通过某一横截面的电荷量。

2.3 堆积模式

当 $V_{GS}<0$ 时，在栅氧化层-半导体界面处产生空穴堆积层（类比于带有净正电荷的金板），如图2.1（a）所示。一个电压微分变量dV将导致金属栅极电荷、空穴堆积层电荷的微分变量dQ发生变化，如图2.1（b）所示。

图2.1 (a)MOS电容器在堆积模式下的能带图；(b)堆积模式下当栅压微变时的微分电荷分布

这种电荷密度的微分改变发生栅氧化层两侧边缘，就像平行板电容器中的那样。堆积模式下，MOS电容器的单位面积电容C就是栅氧化层电容：

2.4 平带

当 $V_{GS}$ 上升到某一特定值时，半导体处于平带模式，图2.2展示了平带模式下的MOS电容能带图。

平带电压的定义为当半导体内没有能带弯曲时所施加的栅压。平带电压是MOS电容器电容-电压特性中非常重要的一个数据点，后续的文章会介绍我的理解。

图2.2 平带时MOS电容的能带图

2.5 耗尽模式

当 $V_{GS}>0$ 时，半导体先经历耗尽模式，图2.3展示了耗尽模式下的MOS器件的能带图。

图2.3 (a)MOS电容器在耗尽模式时的能带图；(b)耗尽模式下当栅压微变时的微分电荷分布

耗尽模式下，栅极金属一侧电子被抽取，带有净正电荷；净负电荷由空间电荷区内带负电的硼离子提供。当栅压产生一个微分变量dV时，金属一侧完全能够响应而产生净电荷变化，半导体一侧只能通过改变空间电荷区宽度dx，以改变净负电荷量dQ。

耗尽模式下，MOS电容是栅氧化层电容和耗尽层电容的串联（类比：一个电容中分别填充了两种不同的电介质）：

耗尽层随着 $V_{GS}$ 的增加而变宽，导致 $C^{\prime}(\text { depl })$ 减小，达到阈值反型点时：

2.6 反型模式

当 $V_{GS}$ 继续增大时，半导体进入反型模式，图2.4展示了反型时的MOS器件的能带图。

图2.4 (a)反型模式时 MOS电容器的能带图；(b)反型模式下栅压低频变化时的微分电荷分布

在反型模式下，栅极金属一侧电子被抽取，带有净正电荷；净负电荷有两部分来源，一是反型层内电子（在空间电荷区中由热运动形成产生电子-空穴对。在电场的作用下，电子被吸引到半导体表表面堆积，产生的空穴被电源产生的电子复合），二是空间电荷区内的硼离子：

当栅压产生一个微分变量dV时，对净负电荷求微分变量，有：

2.6.1低频特性

低频条件下，由热运动产生的电子-空穴对能够响应电容电压的变化，反型层中的电子浓度也能够发生瞬间变化。

我是这样理解的，这是一个动态平衡的过程，当直流栅压固定时，空间电荷区电场恒定地向反型层输送电子，补充被复合的电子，保证反型层内浓度恒定；同时，电场将空穴输送到衬底，与来自金属栅极的电子复合。相当于来自金属栅极的电子来补充反型层的电子浓度。

若叠加交流信号导致总栅压降低，电场减弱，输送的电子数量降低，复合保持不变，因此反型层电荷浓度降低，净负电荷浓度降低；若叠加交流信号导致总栅压抬升，电场增强，输送的电子数量提高，复合保持不变，因此反型层电荷浓度太高，净负电荷浓度抬升。

此时，反型层就相当于带有净负电荷的极板，有：

2.6.2高频特性

高频条件下，由热运动产生的电子-空穴无法响应电容电压的变化，有：

此时只能由空间电荷区的宽度变化，继而使得净负电荷密度变化，如图2.5所示。

图2.5 反型模式下栅压高频变化时的微分电荷分布

需要指出的是，由于此时空间电荷区宽度已经达到最大，故：

我们需要区分直流偏压 and 交流小信号。尽管空间电荷区在交流小信号的影响下，产生宽度的微分变化，但是空间电荷区的宽度将不会像在耗尽模式下那样，随着直流栅压的升高，有大幅度的变化。这就像是模拟CMOS中大信号与小信号的区别，大信号确定晶体管的工作状态，小信号则是在某一静态工作点上的微小变化。

3.总结与后续展望

3.1 总结

本文章梳理了理想MOS电容器的电容-电压特性，并分析MOS电容器处于反型模式下的频率特性，图3.1展示了进行Silvaco仿真得到的电容-电压特性；
通过文章梳理，了解了Silvaco等仿真软件测量电容的方法，对大信号和小信号有了更加深刻的理解。

图3.1 p型衬底MOS电容器低频和高频电容-电压特性

3.2 后续展望

结合Silvaco仿真程序，梳理固定栅氧化层电荷和界面电荷效应对于MOS电容器的影响；
思考低频、高频条件下， $C^{'}_{min}$ 存在差异的原因？

4.参考文献

1. Neamen D A. 半导体物理与器件[M]. 第四版. 电子工业出版社, 2018.

2.电容器的原理_哔哩哔哩_bilibili.

3.MOS电容C-V特性_哔哩哔哩_bilibili.