有关Silvaco Altas器件仿真中，相关物理模型的梳理

        本学期有课程，学习Silvaco Altas进行器件仿真。故在此记录学习心得。

1. 引言

        由下图可知，使用Silvaco Altas进行器件仿真共有五个步骤，分别为：定义结构、定义材料和模型、选择求解方法、求解描述、结果分析。

        我在阅读Diode-04例程感到疑惑。由于SiC并不是一个熟悉的材料，对各种材料参数的定义便不可逃避。同时，温度在本例程中是主要因素，模型中需要引入温度依赖的模型参数。因此，对于这些模型的条理和顺序，我不甚清楚。

        故想要通过这篇文章，梳理第二步骤，Material Models Specification。

2. 模型定义

2.1 概述

        Atlas-users1手册中，章节3.6 physical models定义了多种物理模型。在本学期课程中，比较常用的有：

• Mobility Modeling, 迁移率模型
• Carrier Generation-Recombination Models, 载流子产生复合模型
• Impact Ionization Models, 碰撞离化模型
• Band-to-Band Tunneling, 能带隧穿模型

2.2 迁移率模型

2.3 载流子产生-复合模型

2.4 碰撞离化模型

3. 部分常用模型

3.1 迁移率模型（CONMOD, FLDMOD & CVT）

• CONMOD, 描述载流子迁移率与掺杂浓度的依赖关系；
• FLDMOD , 描述载流子迁移率与平行电场的依赖关系；
• CVT，反型层中载流子模型；综合考量横向电场、掺杂浓度、温度对载流子迁移率影响；
             在迁移率模型中具有最高优先级；

3.2 载流子产生-复合模型

3.2.1 SRH综合模型（SRH, CONSRH）

• SRH, Shockley-Read-Hall (SRH) Recombination 
• CONSRH, SRH Concentration-Dependent Lifetime Model

3.2.2 俄歇复合模型（AUGER, KLAAUG）

• AUGER, Standard Auger Model
• Klaassen’s Temperature-Dependent Auger Model

3.3 碰撞离化模型

• SELB, Selberherr’s Impact Ionization Model

• GRANT, Grant’s Impact Ionization Model

• COWELL, Crowell-Sze Impact Ionization Model

3.4 能带模型

• The Universal Energy Bandgap Model，描述能带与温度的依赖关系；
• Passler's Model for Temperature Dependent Bandgap，同样描述能带与温度的依赖关系；
• Bandgap Narrowing，能带变窄理论。重掺杂导致能带变窄。

3.5 Physical Models for MOSFETs, BJTs

        对于初学者而言，Silvaco对于MOS、BJT提供了整合模型。

4.总结

       Silvaco Altas用户手册中，定义了诸多物理模型。以此文章为例，我尝试理解并梳理一些常用的物理模型，以帮助我理解例程中的器件仿真。

        不过显然还需要继续学习，用户手册的文字对我而言仅仅是文字，我无法联系到文字背后的意义。我希望能够回答这两个问题：

1. 本次器件仿真，需要使用哪些物理模型？
2. 考虑到某些因素（如温度、掺杂浓度等），又需要引入哪些模型参数以修正？