MOS晶体管原理

1.长沟道晶体管I-V特性

NMOS和PMOS管中电子和空穴迁移率之比通常为2~3。

2.简化的MOS电容模型

a：MOS管的栅极是个良好的电容，必须要有这个电容来吸引电荷使沟道反型，因此为得到大的Ids需要有大的栅电容Cg。Cg为一个顶部为栅，底部为沟道的的平行板电容。又因为当晶体管导通时，沟道从源开始延伸，因此我们常常把栅电容近似成它的一端处在源极上而称为Cgs。

b：源、漏电容对器件的工作并不重要，但他们确实会影响电路的性能，因而称为寄生电容。源和漏电容来源于源或漏扩散区与体之间的p-n结，因此也被称为扩散电容Csb和Cdb。

3.精确MOS的栅电容模型

4.阈值电压是表示使沟道反型所需要的栅电压，因而它主要由栅氧厚度和沟道参杂浓度决定。但晶体管中其他电场也会对沟道产生某些影响，即实际上他们会改变阈值电压。例如，加大源和体之间的电压将会由于体效应使阈值电压升高，加大漏极电压将会由于漏致势垒降低使阈值电压降低，加大沟道长度将会由于短沟道效应使阈值电压升高。

5.泄漏