Silvaco TCAD仿真学习Lesson1——Atlas仿真

最新推荐文章于 2024-10-11 10:19:11 发布

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分类专栏：微电子仿真文章标签：云原生 mesh unity

本文链接：https://blog.csdn.net/woaiyyx_yhq/article/details/122278852

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本文介绍了Silvaco TCAD仿真工具的学习，重点讲解了如何设计MOS结构，包括网格设置、区域划分、电极配置、掺杂处理等步骤，并演示了进行漏极电流与漏极电压关系的模拟分析过程，为微电子领域的初学者提供了详细的指南。

摘要由CSDN通过智能技术生成

今天学习了Silvaco TCAD的第一节课，大概了解了仿真的基本流程，以MOS为例，来和大家分享啦~分享如下：

第一步：设计结构（有了结构模型，才能在上面进行模拟呐。）

go atlas simflags="-P 3" #使用atlas工具，simflags="-P 3"表示使用3颗CPU执行仿真计算

mesh width=1 #这个就是设置网格基准，默认为1就ok

#下面是设置网格mesh，坐标单位默认是微米(um). loc表示在哪里画一条网格线，spac表示在loc !附近! 按照设定值进行画网格线

x.mesh loc=0 spac=0.05

x.mesh loc=0.1 spac=0.02

x.mesh loc=0.35 spac=0.01

x.mesh loc=0.6 spac=0.1

x.mesh loc=0.85 spac=0.01

x.mesh loc=1.1 spac=0.02

x.mesh loc=1.2 spac=0.1

#上面是在垂直x轴方向画线，下面是在垂直y轴方向上画线

y.mesh loc=-0.3 spac=0.05

y.mesh loc=-0.21 spac=0.05

y.mesh loc=-0.01 spac=0.002

y.mesh loc=0 spac=0.002

y.mesh loc=10 spac=1

#下面是对上面的网格进行区域划分，region关键字，然后区域编号，给出区域（矩形）范围，给定区域材料

region number=1 x.min=0 x.max=1.2 y.min=0 y.max=10 material=silicon

region number=2 x.min=0 x.max=1.2 y.min=-0.3 y.max=0 material=oxide

region number=3 x.min=0.35 x.max=0.85 y.min=-0.21 y.max=-0.01 material=poly

region number=4 x.min=0.35 x.max=0.85 y.min=-0.3 y.max=-0.21 material=aluminum

region number=5 x.min=0 x.max=0.1 y.min=-0.3 y.max=0.0 material=aluminum

region number=6 x.min=1.1 x.max=1.2 y.min=-0.3 y.max=0.0 material=aluminum

#设置电极，electrode是关键字，reg表示设置的区域，name就是电极名字啦~

electrode reg=4 name=gate

electrode reg=5 name=source

electrode reg=6 name=drain

electrode bottom name=substrate

#下面是对各个区域做掺杂，doping还是关键字，uniform表示均匀掺杂，然后设置要掺杂的区域，选定p/n型掺杂，给定掺杂浓度~~

doping uniform region=1 x.min=0 x.max=1.2 y.min=0 y.max=10 p.type concentration=1e17

doping uniform region=3 x.min=0.35 x.max=0.85 y.min=-0.21 y.max=-0.01 n.type concentration=5e20

#和上面一样哦，uniform -> gauss 就是表示高斯掺杂，区域只给x值，表示横向扩散，然后是结深，扩散比率（一般都是0.6~0.7喔）

doping gauss region=1 x.min=0 x.max=1.2 junc=0.02 rat=0.6 p.type concentration=5e17

doping gauss region=1 x.min=0 x.max=0.35 junc=0.05 rat=0.6 n.type concentration=4e18

doping gauss region=1 x.min=0.85 x.max=1.2 junc=0.05 rat=0.6 n.type concentration=4e18

doping gauss region=1 x.min=0 x.max=0.15 junc=0.2 rat=0.6 n.type concentration=5e20

doping gauss region=1 x.min=1.05 x.max=1.2 junc=0.2 rat=0.6 n.type concentration=5e20

#下面就是保存，输出文件，命名为nMOS_atlas.str

save outf=nMOS_atlas.str

#quit是程序结束关键字，就不会再执行下面的代码啦，以上基本就完成了MOS结构的制作了，然后就可以在这个结构之上做模拟，分析电压、电流等特性啦~

quit

go atlas simflags="-P 3"	#设置使用三颗CPU

mesh width=1

x.mesh loc=0	spac=0.05
x.mesh loc=0.1	spac=0.02
x.mesh loc=0.35	spac=0.01
x.mesh loc=0.6	spac=0.1
x.mesh loc=0.85	spac=0.01
x.mesh loc=1.1	spac=0.02
x.mesh loc=1.2	spac=0.1

y.mesh loc=-0.3		spac