SiC弱修饰的Si二维纳米结构/具有类石墨烯结构的二维碳化物晶体Ti2C/氧化锌纳米结构场效应晶体管/硅烯、硼烯和CO分子晶体的MBE生长

通过理论计算分析指出，二维起伏的锗烯比石墨烯和硅烯具有更大的自旋轨道耦合能隙(图1(a)，可实现量子自旋霍尔效应的观测，有望成为未来信息器件的重要基础材料。硅烯被成功制备后，锗元素构成的二维结构的制备成为研究热点。在Pt(111)上利用分子束外延生长方法制备出了单层起伏的锗烯，锗烯为长程有序的单晶结构(图1(b)。由锗元素构成的二维蜂窝状结构的成功制备，在实验上证明了单层起伏的锗蜂窝状结构确实可以稳定存在(图1(c)，结合第一性原理计算分析，揭示了近邻Ge原子间的电子态局域化分布，维持了二维锗烯的连续性(图1(d)，即Ge原子以共价键结合而形成大面积的二维蜂窝状原子晶体。随后分别在Au(111)和Al(111)表面上也实现了单层起伏锗烯的制备。

与硅烯类似，锗烯也具有优秀的拓扑性质，根据Ye和姚裕贵等人的理论计算结果，二维起伏的锗烯具有极高的电荷迁移率，而结构起伏带来的自旋轨道耦合作用打开的能隙高达24 meV，加上其具有的拓扑性质，甚至可能在室温下观测到量子自旋霍尔效应。通过外加电场调制能隙还可以实现拓扑相变和螺旋零能态模式。不仅如此，锗烯具有的近似s 波超导体性质有可能使其形成一种具有马约拉纳费米子的拓扑超导体。这些性质为锗烯提供了在自旋电子学和量子计算等领域诱人的应用前景。

目前，锗元素被用于场效应三极管的沟槽增强层，锗烯对未来5 nm 代技术新工艺的发展、器件速度的提高、能耗的降低等方面都具有重要意义。