二维层状Ti3C2基复合物/二维碳化物晶体基Zif-67衍生氧化钴/二维定向排列填充橡胶复合物/二维层状钛酸铋的高储能复合物

2D材料如WS2和MoS2因其独特的电学、热学和光学特性,有望在逻辑芯片制造中替代Si,解决短沟道效应,实现栅极长度缩放。2D场效应晶体管(2D-FET)已在实验室展现出优异性能, imec的研究证实了其在300mm晶圆上的集成潜力,为未来逻辑器件技术扩展铺平道路。
摘要由CSDN通过智能技术生成

近年来,诸如二硫化钨(WS2)之类的2D在未来逻辑芯片的制造中可以发挥至关重要的作用。由于其卓越的性能,它们有望实现最终的栅极长度缩放,并因此可以扩展逻辑晶体管的缩放路线图。他们还可以通过启用紧凑的后端兼容晶体管,彻底改变我们对芯片架构的看法,从而模糊前端和后端之间的界限。

近年来,基于实验室的2D晶体管已经相当成熟,并且正在为其工业应用开发一条路线。同时,正在解决提高设备性能的剩余挑战。

2D具有卓越的性能

2D是形成二维晶体的一类。在这种优雅的2D尺寸中,它们具有令人着迷的电,热,化学和光学特性。这些中最著名的是石墨烯,一种六角形的蜂窝状碳原子片。石墨烯具有出色的机械强度,高的热电传导性和奇特的光学性能。

但是,二维的探索已经远远超出了石墨烯。化学式为MX 2的一类过渡金属二卤化物具有多用途的性质,可与石墨烯互补。

与石墨烯不同,二硫化钨(WS2),二硫化钼(MoS2)和其他一些具有广泛的带隙,使其成为天然半导体。根据其化学组成和结构配置,原子上薄的2D也可以归类为金属或绝缘物。由于其卓越的性能,二维的机会已经出现在多个应用领域,包括(生物)传感,能量存储,光伏,光电和晶体管缩放。

基于2D的晶体管有望实现最终的栅极长度缩放

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