Silvaco 学习笔记 3——物理模型：迁移率模型

最新推荐文章于 2025-03-19 10:00:00 发布

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分类专栏： Silvaco 器件仿真文章标签：学习

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迁移率模型一般可以分为一下四种：

1.低场行为：此时载流子与晶格几乎处于平衡，其迁移率具有典型的低场值，一般用 $u_{no,po}$ 来表示。低场载流子的迁移率可以采用5种不同的方式进行定义；

第一种方法使用MUN和MUP参数设置电子和空穴迁移率的常数值，并是需要指定温度相关性。
第二种方法使用查表模型(CONMOB)将300K时的低场迁移率与杂质浓度联系起来。
第三种方法是使用低场迁移率解析模型（ANALYTIC , ARORA , or MASETTI）将低场载流子迁移率与杂质浓度和温度联系起来。
第四种方法是选择载流子-载流子散射模型(CCSMOB, CONWELL或BROOKS)将低场迁移率与载流子浓度和温度联系起来。
第五种方法是采用统一的低场迁移率模型(KLAASSEN)，将低场迁移率与施主、受主、晶格、载流子-载流子散射和温度联系起来。

2.高场行为：在高电场情况下，栽子的迁移率随电场的增大而下降，其漂移速度最终达到一个饱和值，用 $v_{sat}$ 来表示，他一般是晶格温度的函数。