KP2161SGA带高压启动的多模式7.5W恒流恒压原边控制芯片简要解析

在当今电子设备快速发展的背景下，小功率电源芯片的设计不仅要满足高效、稳定的输出需求，还要兼顾成本和空间的优化。KP2161SGA 正是为这一需求而生。作为一款带高压启动功能的多模式原边控制芯片，KP2161SGA 以其高集成度、低待机功耗和出色的恒流恒压性能，成为小功率离线式充电器和适配器的理想选择。本文将深入解析 KP2161SGA 的核心特点、管脚封装、典型应用电路以及参数特性，帮助工程师快速掌握其设计要点，提升开发效率。

芯片速写

项目	数据
拓扑	原边反馈反激（PSR）
功率	7.5 W@230 VAC（6 W@85-265 VAC）
精度	±4 % CV / ±4 % CC
待机	<30 mW@230 VAC
启动	内部 650 V 高压电流源，无需启动电阻
频率	35 kHz-70 kHz 多模式 PWM/PFM
封装	SOP-7（165 ℃/W）
保护	UVLO/OVP/OCP/OTP/SLP/单点失效保护

管脚一眼记

关键外围：FB 分压电阻 ×2、CS 电阻 ×1、VDD 电解 ×1，没了。

典型应用：两/三绕组任挑

KP2161SGA 支持“无辅助绕组”方案，只要把 FB 分压到输出绕组平台，即可实现 5 V/1.5 A 或 9 V/0.8 A 快充。官方给出两张参考图：

1. 3 绕组传统：辅助绕组给 VDD 供电，适合 12 V 以上输出。

2. 2 绕组极简：输出绕组耦合取电，节省 1 个绕组+2 颗二极管，BOM 再降 ¥0.08。

参数亮点

参数	典型	单位	意义
VDD 启动电流	180	µA	大启动电阻也能秒启
VDD 工作电流	0.2	mA	轻载 PFM 效率↑
电流限阈值	550	mV	Rs=1 Ω→Ipk=0.55 A
线补电流	8	µA	长线压降自动补
过温保护	150	℃	自恢复，不锁死
Rdson	9	Ω	7.5 W 温升<50 ℃

设计锦囊

1. 电感量：反激原边 1.2-1.8 mH，CCM/DCM 边界，效率 83 %±。

2. FB 分压：基准 2.0 V，按 Naux/Ns 比例调，1 % 精度电阻即可。

3. 线补：FB 上分压 200 kΩ，线补电流 8 µA，可补 200 mV，长线也稳。

4. EMI：抖频±4 %，内置 LEB 500 ns，无需外接 RC 吸收，辐射余量 6 dB 轻松过。

5. 单点失效：FB 上拉/下拉开路、SR 短路、绕组短路——芯片统统保护，不炸机。