RLC振荡原理与RC Snubber吸收电路

RLC阻尼振荡在平时的电路设计中经常遇到，尤其是与各种电源场合相关的波形振荡、RC Snubber吸收电路等，其背后的本质都是RLC二阶电路动态响应过程的阻尼振荡。

1. RLC振荡原理

常见的串联RLC和并联RLC电路，其原理类似相通，本文以串联RLC为例进行说明，但并不进行公式推导，而是从结论出发，与实际电路情况进行对应说明。

1.1 零输入响应

零输入响应的RLC电路如图1所示，初始条件为电容电压UC等于U0，电感电流I等于0，然后开关从左往右拨，根据电路参数的不同，零输入响应有四种情况：

图1
1）过阻尼，R>2$\sqrt{L/C}$，电路中的电流在放电过程中永不改变方向，电容在全部时间内一直在非振荡放电，对应波形示意如图2所示；

图2

2. 临界阻尼，R=2$\sqrt{L/C}$，电容非振荡放电，波形与过阻尼类似，如图2所示；

3）欠阻尼，R<2$\sqrt{L/C}$，电容电压在零值附近做衰减振荡放电，电流也在零值附近做衰减振荡，对应波形示意如图3所示。
这三种有阻尼的情况下，振荡角频率为


图3
4）无阻尼，R=0，电容电压按正弦规律做等幅振荡，振荡角频率为1/$\sqrt{LC}$，对应波形示意如图4所示，现实情况中阻尼R不可能为0，所以不存在这种现象。

1.2 零状态响应

零状态响应的RLC电路如图5所示，初始条件为电容电压UC和电感电流I均等于0，然后输入激励。与零输入响应类似，零状态响应也有四种情况：

图5
1）过阻尼，R>2$\sqrt{L/C}$，电路中的电流在充电过程中永不改变方向，电容在全部时间内一直在非振荡充电，对应波形示意如图6所示；

图6
2）临界阻尼，R=2$\sqrt{L/C}$，电容非振荡充电，波形与过阻尼类似如图6所示；
（3）欠阻尼，R<2$\sqrt{L/C}$，电容电压在电源电压值U0附近做衰减振荡充电，但是不会超过电源电压的2倍，电流在零值附近做衰减振荡，对应波形如图7所示。这三种有阻尼的情况下，振荡角频率为


图7
（4）无阻尼，R=0，电容电压围绕着电源电压值U0按正弦规律在0~2倍的电源电压大小之间做等幅振荡，电流围绕零值附近做等幅的正弦振荡，振荡角频率为1/$\sqrt{LC}$，对应波形示意如图8所示，现实情况中阻尼不可能为0，不存在这种现象。

图8

2. RLC振荡通俗解释

上述的阻尼结论是通过数学公式推导得出，波形是通过Multisim仿真得到，但是数学公式并不能让人对波形图有直观的了解，下面将从电荷和电路角度对波形图进行通俗易懂的解释。
我们知道电容电压是连续不能突变的，电容公式I=Cdu/dt，变换可得du=Idt/C，根据数学中的导数知识可得，连续函数在极值点的导数等于0，因此电容电压值最大时，即电压导数du=0时，Idt/C=0，可得电容电流I=0；同理，电感电流是连续不能突变的，电感公式U=Ldi/dt，电感电流最大的时候，电感电压UL=0。

2.1 零输入响应

从无阻尼零输入响应的波形图9开始分析，初始条件电容电压为U0，电感电流为0，由于电阻R=0，由图1电路，根据基尔霍夫电压定律可知，无论何时，电感电压UL=电容电压UC。
在0时刻，由于电容电压为U0，两侧极板的电荷不平衡，极性为上正下负，所以电容开始放电，电路中的电流开始增加，流向为顺时针方向，如图10所示。
直到t1时，电容放电完毕，电压UC=0，因此电感电压UL=0。根据上述电感特性，此时电路电流I最大，电容两侧极板电荷处于平衡状态。
t1时刻虽然电容处于电荷平衡状态，但是由于电感电流不能突变，不能瞬间从最大值变为0，只能慢慢降低，这就导致电容的电荷平衡状态被打破，电容重新被充电，极性与t0时刻相反，为上负下正，直至t2时电感电流I=0，根据上述电容特性，此刻电容电压达到最大值。
t2时刻虽然电感电流I=0，但是此时电容两侧极板的电荷又处于不平衡状态了，电容又要开始放电，只是方向与0~t1时间段内相反，为逆时针方向，后续分析与前述思路相同，不再赘述，整个过程种电容电压和电流相位正好相差90°。

图9

图10

当电路中的阻尼电阻R≠0时，波形如图11所示，由于电阻R存在压降UR，电感电压UL就不等于电容电压UC了，而是如下关系：UC=UL+UR。
在0时刻，电容放电，电容电压UC下降，电流I增加，电阻电压UR增加，直到t1时刻，电容电压UC和电阻电压UR相等，即UC=UR=IR时，此时电感电压UL就等于0，电流I达到最大值，I=UC/R，其小于无阻尼状态下的电流最大值。
t1时刻电容尚未放电完毕，因此在t1~t2时间段内，电容继续放电直到t2时刻放电结束。而电感电流在t1时刻达到最大值后开始下降，但电流方向不变，到t2时，电容电压放电完毕，电感电流开始给电容充电，电容极性变为上负下正，直到t3时刻，电感电流I=0，电容电压UC达到最大值。从分析中可知，由于电阻R的存在，电感电流在电容尚未放电完毕时就已经达到最大值，电阻R越大，电流最大值I=Uc/R就越小，电流达到最大值的时刻也越早，当R>2$\sqrt{L/C}$时，电流与电容电压分别都在同一时刻达到0不再振荡，形成非振荡放电。

图11

2.2 零状态响应

零状态响应同样从无阻尼的波形图12开始分析，初始条件电容电压UC和电感电流I均为0，激励电压为U0，由于电阻R=0，由基尔霍夫电压定律得，无论何时，U0=UC+UL。
在0时刻，电容开始充电，电容UC和电流I开始增加，直到t1时刻，电容电压UC上升到U0，此时电感电压UL=0，电感电流I达到最大值。
t1时刻后，电流I开始下降，但方向不变，电容继续充电，直到t2时刻，电流下降到0，电容电压UC达到最大值2U0。
t2时刻后，电容开始放电，电流方向改变为相反方向，电流开始反向增大，直到t3时刻，电容电压UC下降到U0，此时UL=0，电感电流达到反向最大值。后续分析类似，不再赘述。

图12
当电路中的阻尼电阻R≠0时，由于电阻存在压降，故U0=UR+UC+UL，波形如图13所示。
在0时刻，电容开始充电，电容电压UC和电流I开始增加，直到t1时刻，U0=UR+UC，UL=0，电流达到最大值I=（U0-UC）/R，小于无阻尼状态下的电流最大值，此后电感电流开始下降。此时UC<U0，电容电压还未上升到U0，直到t2时刻，电感电流下降到0，电容电压达到最大值，小于无阻尼状态下的电容电压最大值。
t2时刻后，电容开始放电，电流方向变为相反，直到t3时刻，U0=UC+UR（由于电流方向相反，此刻UR值为负数），电流达到反方向最大值，此时UC>U0，电容电压还未下降到U0。从分析中可知，电阻R越大，电流最大值I=（U0-UC）/R就越小，电流达到最大
值的时刻也越早，电容电压所能达到的最大值也越小，当R>2$\sqrt{L/C}$时，电容电压在电流为0时达到的最大值接近等于U0，由于电容电压和激励源U0没有压差，无法再充放电，最终形成非振荡充电。

图13
3. 总结
从前述分析中可知，RLC电路能够振荡的初始条件是电容或电感处于不稳定状态，即电容有充电或者放电的条件，流过电感的电流不为0，最终稳态必然是电容不具备充放电的条件，同时电感电流为0。而振荡的初始条件在实际的电源电路中经常遇到，这也是随处可见振荡的原因.

Buck电路RC Snubber吸收电路设计

BUCK电源开关节点在主开关管导通，二极管（或同步开关管）关断时的电压尖峰振铃；
还有反激开关电源漏感导致的开关节点电压尖峰振荡等等。
上述这几种情形的本质机理都是RLC的欠阻尼振荡。

实际电路设计中需要对RC参数进行合理选取，才能达到理想的效果。
当然如果规格书中有推荐值的话是最好的，可以先按照规格书确定参数，然后根据实际效果再进行微调。但是我们有必要了解参数大小对实际效果的影响，才能使调试不至于盲目进行。

以常见的BUCK电源开关节点处如图14中红圈所示，在主开关管SW导通，续流二极管D（或者MOS管）关闭时会出现类似如图15所示的尖峰振荡波形。
由于实际电路存在寄生电感（比如走线或者器件封装等原因导致），当SW开关管导通时，等效电路如图16所示，
L1为寄生电感，C1为续流二极管的结电容或者下侧MOS管的漏源极寄生电容，R1为走线电阻，值很小。R2和C2为RC Snubber吸收电路，虚线框内的是BUCK电路本身的滤波电感电容和负载。由于滤波电感L2取值较大，并且开关频率很高，开关管开通时间很短，所以可以近似认为流经L2大电感的电流不变。
因此，在没有RC吸收时的电路就可以等效为串联RLC零状态响应，由于电源走线一般都比较粗短，走线电阻较小，就对电容形成了欠阻尼衰减振荡充电.

图14

图15

图16
在并联RC吸收电路后，我们可以近似如下分析，来获悉RC参数大小对振铃抑制效果的影响：

1. 确定电阻R2。
   首先，实际电源电路的走线都比较粗短，所以电阻R1较小，我们暂时先忽略不计；然后，先考虑只并联电阻R2，这样就形成了如图4所示的RLC并联电路（大电感L2的滤波电路形式也是这样，包括开关电源的最后一级基本都可以等效为此电路），这是控制系统中典型的二阶阻尼系统，其品质因素Q=R$\sqrt{C/L}$（串联RLC的品质因素Q为其倒数，等于(1/R)$\sqrt{L/C}$），要想振铃峰值越小，Q值应该也越小，则R2值应该较小。但R2不能太小，假设R2趋向于0，则RC吸收就只有电容C2了，就变成了C1和C2并联，形成LC串联振荡了。因此，R2有一个相对值，TI参考文档给出的意见是，可以先理论假设(1/2)$\sqrt{L1/C1}$，然后再根据实际效果进行微调。
   
2. 确定电容C2。
   定好R2之后，暂时将其忽略不计，只考虑C2，C2和C1并联最终还是RLC串联电路，根据其品质因素(1/R)$\sqrt{L/C}$）可知，理论上电容C2越大，Q值越小，振荡的抑制效果越好，从另一个角度也很容易理解，电容越大，电压越不容易发生突变。
   但是当C2值增大到一定程度之后，对应的容抗值已经很小，其值相对R2来说已经不大，所以影响甚微。另一方面，C2越大，电源的效率会越低，因为电容C2的充放电过程会在电阻R2上形成功率损耗。
   知道了吸收电路参数对振荡抑制效果的影响后，就可以设定一个初值，然后根据实际效果进行调整，直到满意为止。
   TI的文档有提供一个方法可以参考，现分享步骤如下：
   

补充拓展：

如何消除mos管的GS波形振荡

我们测MOS管GS波形时，有时会看到下图中的这种波形，在芯片输出端是非常好的方波输出，但一旦到了MOS管的G极就出问题了，有振荡，这个振荡小的时候还能勉强过关，但是有时候振荡特别大。

这个波形中的振荡是怎么回事？有没有办法消除？

IC出来的波形正常，到C1两端的波形就有振荡了，实际上这个振荡就是R1，L1和C1三个元器件的串联振荡引起的，R1为驱动电阻，是我们外加的，L1是PCB上走线的寄生电感，C1是mos管gs的寄生电容。
对于一个RLC串联谐振电路，其中L1和C1不消耗功率，电阻R1起到阻值振荡的作用阻尼作用。
实际上这个电阻的值就决定了C1两端会不会振荡。

1、当R1>2$\sqrt{L1/C1}$时，S1，S2为不相等的实数根。过阻尼情况。
在这种情况下，基本不会发生振荡的。

2、当R1=2$\sqrt{L1/C1}$时，S1，S2为两个相等的实数根。临界情况。
在这种情况下，有振荡也是比较微弱的。

3、当R1<2$\sqrt{L1/C1}$时，S1，S2为共轭复数根。欠阻尼情况。
在这种情况下，电路一定会发生振荡。

所以对于上述的几个振荡需要消除的话，我们有几个选择。

1，增大电阻R1使R1≥2（L1/C1）^0.5，来消除振荡，对于增大R1会降低电源效率的，我们一般选择接近临界的阻值。
2，减小PCB走线寄生电感，这个就是说在布局布线中一定要注意的。
3、增大C1，对于这个我们往往都不太好改变，C1的增大会使开通时间大大加长，我们一般都不去改变他。

所以最主要的还是在布局布线的时候，特别注意走线的长度“整个驱动回路的长度”越短越好，另外可以适当加大R1。

MOS管GS之间并联电阻作用

在MOS管的驱动电路里,某些场合下,会看到这个电阻,在某些场合中,又没有这个电阻.这个电阻的值比较常见的为5k,10k.但是这个电阻有什么用呢?
在分析这个问题之间,可以做一个简单的实验:
找一个mos管,MOS管GS击穿让它的G悬空,然后在DS上加电压,结果是怎样?结果是在输入电压才几十V的时候,管子就烧掉了,因为管子导通了.
为什么mos管在没有加驱动信号（比如驱动芯片在没启动或者损坏的情况下芯片驱动脚为高阻态）的前提下会导通,那是因为管子的DG,GS之间分别有结电容,Cdg和Cgs.所以加在DS之间电压会通过Cdg给Cgs充电,这样G极的电压就会抬高直到mos管导通.
所以在驱动电路没有工作,而且没有放电回路的时候,mos管很容易被击穿.假如采用变压器驱动,变压器绕组可以起到放电作用,所以即使不加GS电阻,在驱动没有的情况下,管子也不会自己导通 。

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转自--------《硬核电子》公众号