sinat_22081411的博客

因为我在新建项目的时候选择的是STM32F103ZGT6（flash1G，SRAM 96K），而实际的芯片是STM32F103ZGT6（flash 512M，SRAM 64K），所以HEAP地址错误，导致使能动态内存后，程序无法找到内存空间，系统无法正常运行。RT-Thread Studio使用的是GCC编译器，使能动态内存后，在drv_common.h文件中，定义了heap的开始和结束地址。原因是没有指定动态内存堆的起始地址和结束地址，需要在board.c中指定。，新建nano工程后，可以正常运行。

CCxI：capture/compare x interrupt，例如CC1I，表示CC1 interruptBI：break interrupt 刹车中断TI：Trigger interrupt 触发中断COMI：COM interrupt COM中断CCxI：capture/compare interrupt，捕获/比较中断UI：update interrupt，更新中断。

PS：小问题，这里是PWM1通道高电平打开时，触发ADC转换。但是这样设置会导致FOC计算出来的Ta，Tb，Tc参数都需要调整。配置，但是发现只能启动一次DMA，测试发现需要将ADC1的DMA continuous request设置为enable。ADC设置不用改变，仍然使用注入模式，Trigger source 选择Timer1 Trigger out event。DMA+TIM触发，由TIM trigger event触发DMA采集，只需要在main函数中启动一次DMA采集即可。

【代码】AS5047P STM32CubeMX HAL库 调试。

STM32 SPI CRC校验理解

C程序设计》来说，字符串常量是由一对双引号括起的字符序列，区别于字符常量的单引号。在C中，没有专门的数据类型用于存放字符串常量，但可以用字符数组存放一个字符串常量。C语言编译时，在末尾添加了结束符“\0”，实际存储等效于。采用C标准库中的printf函数输出时，不会在str后添加结束符“\0”，代码如下。STM32的C编程时，没有string类型，可以用字符串数组来表示。(C标准规定是这样，一般使用也是这样，当然也有特殊情况，如果要去掉末尾的结束符“\0”,可以指定字符长度。

在使用STM32CubeMX配置串口DMA+IDLE中断接收不定长度数据时，发现只有在main函数调用HAL_UARTEx_ReceiveToIdle_DMA()时执行一次，在中断回调函数中再次开启DMA时，发现huart- rxstate = 0x22 (HAL_UART_STATE_BUSY_RX)，RX一直处于Busy状态，无法再次开启DMA接收。代码单步调试发现，中断回调函数中调用HAL_UARTEx_ReceiveToIdle_DMA()再次启动DMA时，

CLion STM32使用时 .elf not found 问题解决

SysTick：系统滴答时钟，属于Cortex-M4内核中的一个外设，24bit向下递减计数。Systick定时器常用来做延时，或者实时系统的心跳时钟。这样可以节省MCU资源，不用浪费一个定时器。比如UCOS中，分时复用，需要一个最小的时间戳，一般在STM32+UCOS系统中，都采用Systick做UCOS心跳时钟。

把STMCubeMX生成的.c,.h文件复制到RTThread Studio工程中，在main中添加对应的头文件，同时main函数中添加初始化函数调用。目前我使用RT-Thread Studio + STM32CubeMX配合开发：目前比较稳定。最后结合STM32CubeMX时做如下改动。每个驱动单独生成.c,.h文件。用RTThread Studio新建RTThreadNano工程参考。

尝试更换CDT（C/C++development tools），STM32CubeIDE默认使用GNU Tools for STM32，更换使用GNU ARM Embedded。编译时 libcpu/arm/cortex-m4/context_gcc.s (RT-Thread 启动文件）时出现如。目前仍然不能使用STM32CubeIDE+RTThread联调测试。按照以下几种方式处理后仍然不能正常运行。安装的时候软件反应有点慢，开始以为卡死了，等了一会才反应过来。安装进度在整个界面的左下角，不是很直观。

STM32CubeIDE使用技巧

220V市电进来后，L端连接一个倾倒开关，电油汀倾倒后能立即断电，起到保护作用。顺时针旋转旋钮，动静触头在旋转轴顶压下闭合，当腔室空气温度达到一定温度时，双金属片变形，导致动静触头分离，电加热管停止发热。当空气温度降低到一定程度，双金片恢复至初始状态，动静触头闭合，电加热管再度发热。0挡关机，1挡加热管1开，2挡加热管2开，3挡加热管1/2同时开。突跳式温控器是电热油汀热元件的一级保护，保护动作，电加热管1就退出运行。拆解后实物图如下图，内部只使用了简单的开关控制、温度保护，没有用到一个芯片。

platformIO工程文件存放路径

STM32启动文件重复加载问题解决

拆解一个AC/DC电源，分析一下电路

EMI滤波器拆解分析

示波器测量市电的理解和注意事项

@目录惠斯通电桥各个臂上电阻变化时，计算过程如下图所示：电阻应变片的工作原理是基于应变效应制作的，即导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应的发生变化，这种现象称为“应变效应”。半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率发生变化的现象。应变片是由敏感栅等构成用于测量应变的元件，使用时将其牢固地粘贴在构件的测点上，构件受力后由于测点发生应变，敏感栅也随之变形而使其电阻发生变化，再由专用仪器测得其电阻变化大小