Infineon:N-MOS 电源方案（2）

接上一篇博客讨论了N-MOS方案，英飞凌也有推荐方案如下：

也是背靠背MOS驱动，区别是这里是S极背靠背，可以看到它是外置MOS，可以根据需求选择MOS，提高系统的带载能力。

通过内部框图可以看出它是boost升压驱动提高Gate电压。并且Gate与Source之前钳位18V。

与上一篇不同之处，这里第一个MOS做开关，第二个MOS做防反。用来过抛负载试验的TVS管应该只能放在开关管前面，并且只能选择双向TVS才行，不然没有防反功能。