模拟cmos集成电路（1）

nmos 高电压一侧：drain 低电压一侧：source 

pmos 高电压一侧：source 低电压一侧：drain

pmos制作在n阱中（n-well）n阱要接电路中最高电位Vdd 使得PN结截止防止贯通（不同pmos的B可以接不同电位）

现代常用双阱工艺（double-well）即Psub上也制作浅的P阱 也叫做标准cmos工艺

但不同的nmos的bulk（body）端不能接不同的电压（本质上是在同一块P衬底上），可以看作一块wafer上所有的nmos的B是连在一起的。（通常接地）

crosstalk 各个nmos会相互串扰 因为所有nmos的B端都是连接在一起的 

上图为解决方法 深n阱工艺 实现不同nmos有不同bulk（不同电位/降低串扰） 但工艺复杂（更大电路区域/多一层掩膜）

 

cmos做开关较常见

cmos做压控电流源（VCCS）