模拟cmos集成电路（3）

common-source stage 共源放大器 即把源级接AC地 

第三章关注的重点 直流偏置（DC sway）；小信号增益；输入输出电阻

改变Vin mos管经历截止-饱和-线性三个阶段 对于放大器来说 我们希望mos管工作在饱和区

分析小信号 大信号特性的斜率就是小信号放大的能力 即对上式求导可以算出增益 

 （偏置点不同 增益也不同）

使用小信号模型计算增益的方法更加简单  由于其线性性 仿真软件计算更加方便

考虑沟道调制效应

 ro>>Rd（本质上ro是输出IV曲线的斜率）（同时注意rin=∞）

加入Rd做到无穷大 则A=-gm*ro 此时A称作共源放大器的本征增益（理论值不能实现 Rd无穷直流分量为0无法工作）

跨导先增大 在临界点最大 之后进入线性区 跨导逐渐减小

进入线性区后 放大能力下降 进入深线性区时mos管成为压控电阻 此时电路为分压电路 失去放大能力 我们应该避免其工作在该区域

计算Vin1     -Vds=Vin1-Vth   Vin1-Vth=Vdd-Id*Rd 

上式可以看出Vin1会随着Rd变化   大的Rd会导致Vin1下降  会导致sway下降即 放大范围减小

电阻IV曲线与mos管IV曲线交点即为此时电路的工作点 G端电压变化会导致不同的mos IV曲线 

同时 R1<R 工作在R1的增益就比工作在R小很多 但是工作在R1时距离左侧线性区很远 因此在R1处 可提供的放大范围sway就很大

上述考虑的是使用电阻负载的情况 下面考虑二极管负载的情况（制作精确阻值或者合理尺寸的电阻困难因此使用mos管代替） 负载为下图方式连接的mos管 

此时 M1和M2的Id相等（电流由M1确定 即M1为起支配作用的晶体管） 通过漏电流公式和相等关系可以推出上式 如果标C的地方都不变 等式两端是线性关系。但是由于M2的Vs>Vb 其Vth会因为体效应变化——almost。 

由于电容的存在 Vout不能跳变到Vdd 同时对于大信号 Vout只能到达Vdd-Vth2（M2亚阈值导通导致 subVth）

 

推导小信号 

方法1 通过对大信号的输入输出特性求导即得到小信号的增益

因为M2存在体效应，所以Vth2没有消去

求导得到小信号的增益为上式所示（希望看到的 增益取决于宽长比） 

（制造过程中 两根不同的管子要相同的W 偏差在20%都可能出现 但是对于同一根管子 宽长比偏差可以控制在1%  因此做绝对值不准 但是比值较准确）

 方法2 使用小信号等效模型来分析 由于1/gm<<Rd<<ro

考虑体效应时

 整个电路的小信号等效模型

 得到的结果与大信号分析得到的结果一致

 

 

 高增益时 sway很小

解决sway很小的这个问题可以与M2并联一根pmos管（理想电流源） 使Id1更多的流过电流源 这样Vout更大 以获得更大的sway

电流源负载的分析

接理想电流源负载可以实现放大器增益为最大的本征增益 

有很大的输出阻抗

 

看似矛盾 左低电流获得高增益 但低电流会导致低速和高噪声的问题 右高电流会带来高增益

（因为左侧增大电流会导致跨导增加 但是也会导致自身输出电阻的降低 且输出电阻降低的更快）

右侧的摆幅在P管和N管进入线性区的两个电压之间 

DC output voltage is very sensitive to PVT

Vout 非常容易变化 且最终电流取决与电流小的那根晶体管

对于这种结构输出sway更重要Vod1<Vout<Vod2(因为输入端微小的变化就能导致输出端巨大变化)

分析方法的总结如上图 

对与输出电阻的总结

接工作负载（class-AB stage）

两只晶体管都将输入信号转换为电流 且两只晶体管的作用相互促进 增大了跨导

优点：增益增加（电流复用） 降低等效噪声

缺点：难以偏置 输入偏置点sway很窄（关注输出sway） 很受电源噪声影响

 跨导作为增益的一部分 但其会随着Vin变化而变化引起非线性 这是不希望出现的 （对偶解决）

 定义等效跨导 

使用小信号模型分析可以得到一样的结果

 

 可以看到采用这种方式连接时的输出电阻提升很大