## Tool: Sentaurus Device
## Characteristics: Breakdown Voltage
//击穿电压特性
## Dependency: Should be run after the process simulation ofNMOS device
//应该在NMOS器件过程仿真后进行运行
#setdep @node|NMOS@
## Initial settings forNMOS power device simulations
## Math Set-up
#if"@tool_label@"=="IdVg"||"@tool_label@"=="IdVd"||"@tool_label@"=="BV"||"@tool_label@"=="IsVs"//如果节点标签为IdVg或IdVd或BV或IsVs时,执行以下命令
Math {ExtendedPrecision(80)//使用扩展的精确浮点算法进行仿真//在Linux操作系统上,硬件上支持80位扩展精度算法,性能没有明显下降
Iterations=50//求解所需的迭代次数
Notdamped=50//应用Bank - Rose阻尼前的牛顿迭代次数。//当迭代次数超过数学部分(默认为1000)中NotDamped指定的值时,Bank - Rose阻尼被激活
eDrForceRefDens=1//0cm^-3(r)高场迁移率驱动力阻尼参数,别名RefDens_ eGradQuasiFermi_Zero
hDrForceRefDens=1//0cm^-3(r)高场迁移率驱动力阻尼参数,别名RefDens_ hGradQuasiFermi_Zero
Digits=5//ANP误差计算中相对误差位数ErrRef(electron)=1//ErrRef用于ANP误差计算的参考误差参数ErrRef(hole)=1
Extrapolate
//使用外推法
Transient=BE//使用Transient命令进行瞬态时间仿真
TensorGridAniso
//只针对应力移动性,Off (g)对各向异性压电迁移率使用张量-网格近似。
RHSmin=1e-30//用于松弛收敛的ANP RhsMin,//1e-5 Minimum of -norm of the RHS in each Newton iteration.
RHSmax=1e30//对于瞬态模拟,如果RHS范数超过RhsMax,则认为解发散//1e15 Maximum of -norm of the RHS in each Newton iteration. Used only during transient simulations.
RHSFactor=1e30//1e10 Maximum increase of the -norm of the RHS between Newton iterations.
CDensityMin=1e-30//3e-8 (r) Current limit for parallel electricfield computation.
number_of_threads=4//以激活光线跟踪的多线程能力ParallelToInterfaceInBoundaryLayer(FullLayer -ExternalBoundary)//控制沿界面移动和雪崩模型驱动力的计算
ElementAvalancheMinAngle=0//元素雪崩最小角度
eMobilityAveraging=ElementEdge
//使用元素-边缘平均电子迁移率
hMobilityAveraging=ElementEdge
//使用单元-边缘平均空穴迁移率
Method= ParDiso
//非对称置换迭代求精
BreakCriteria{Current(Contact="drain" absval=1e-4)}//可以指定接触电压和接触电流的限值
ExitOnFailure
// 一旦Solve命令失败,则终止仿真}