1、名称型号说明
名称型号说明以 MT40A1G8WE-083EAAT:B 为例
2、DDR基本原理
常说的 DDR,其实是 Double Data Rate 双倍速率,是指在时钟上升沿和下降沿各采一次数据(即一个时钟周期采两次),是一种技术。因为此技术广泛使用在DRAM上,所以习惯将DDR代指存储器。
DDR内部是一个存储阵列,将其想象成一张表格,先指定一个行,再指定一个列,就可以找到所需的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理。这个单元格可以称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是 Logic Bank(简称Bank)。
如果寻址B1\R2\C3,既能找到下图中标注的单元格。
3、性能指标说明
CAL:Command/Address latency
ODT:Nominal, park, and dynamic on-die termination
DBI:Data bus inversion
CAS: Column Address Strobe Latency,表示读取命令发出后到从列地址读出数据到IO接口的间隔时间。
CL: CAS Latency,列地址延迟时间 ,一般用时钟周期数来表示。CL的延迟对于内存读写性能影响最大,被JEDEC当做内存第一时序中的首位。(PCEVA评测室 https://www.bilibili.com/read/cv11825095 出处:bilibili)。
tRCD: RAS-to-CASDelay,内存行地址传输到列地址的延迟时间。
tRP: Row-prechargeDelay,内存行地址选通脉冲预充电时间。
1、speed rate
高速可以向低速兼容。
(1)MT/s:MegaTransfers/s,即百万次/秒。
(2)DDR4-2400 CL17 的时钟周期时间为0.83ns,则CL = 17*0.83=14.17ns。
(3)以-083E为例,2400MT/s 即 1*109 / (2400 * 1000000) * 2 = 0.833ns。
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