从DDR4芯片名称开始了解DDR4 --- 个人笔记

本文链接：https://blog.csdn.net/swang_shan/article/details/128853132

DDR是一种双倍速率的存储技术，它在时钟的上升沿和下降沿传输数据。内存寻址基于存储阵列，通过行和列地址找到特定单元格。性能指标如CAS延迟(CASLatency)、列地址延迟时间(CL)、行地址到列地址延迟(tRCD)和行地址选通脉冲预充电时间(tRP)对内存性能有直接影响。DDR4-2400的时钟周期为0.83ns，速度率为2400MT/s。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

1、名称型号说明
 2、DDR基本原理
 3、性能指标说明

1、名称型号说明

名称型号说明以 MT40A1G8WE-083EAAT:B 为例

在这里插入图片描述

2、DDR基本原理

常说的 DDR,其实是 Double Data Rate 双倍速率，是指在时钟上升沿和下降沿各采一次数据（即一个时钟周期采两次），是一种技术。因为此技术广泛使用在DRAM上，所以习惯将DDR代指存储器。
DDR内部是一个存储阵列，将其想象成一张表格，先指定一个行，再指定一个列，就可以找到所需的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。这个单元格可以称为存储单元，那么这个表格（存储阵列）就是 Logic Bank（简称Bank）。
如果寻址B1\R2\C3，既能找到下图中标注的单元格。
在这里插入图片描述

3、性能指标说明

CAL：Command/Address latency
ODT：Nominal, park, and dynamic on-die termination
DBI：Data bus inversion
CAS： Column Address Strobe Latency，表示读取命令发出后到从列地址读出数据到IO接口的间隔时间。
CL： CAS Latency，列地址延迟时间，一般用时钟周期数来表示。CL的延迟对于内存读写性能影响最大，被JEDEC当做内存第一时序中的首位。（PCEVA评测室 https://www.bilibili.com/read/cv11825095 出处：bilibili）。
tRCD： RAS－to－CASDelay，内存行地址传输到列地址的延迟时间。
tRP： Row－prechargeDelay，内存行地址选通脉冲预充电时间。

1、speed rate

高速可以向低速兼容。

在这里插入图片描述