3-CMOS损坏，表现为VCC对GND短路，产生原因是什么

于 2024-08-29 08:45:32 发布
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分类专栏： 嵌入式设计隐患点分析 文章标签： 嵌入式硬件
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1.芯片栓锁形成机理

大致形成过程就是，因为干扰导致右侧三极管向下电流增大，这里的电流一部分提供左边基极电流，基极电流增大导致Ic当大，左边Ic增大又给右边PNP提供了更大的Ib,从而导致Ic又增大。

这种根本原因还是厂家芯片的问题。

2.电路级设计措施防栓锁

小吴的嵌入式笔记
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