2021-6-8集成电路可靠性试验项目、方法及标准汇总

可靠性(Reliability)是对产品耐久力的测量,我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线(Bathtub Curve)来表示。集成电路的失效原因大致分为三个阶段:Region (I) 被称为早夭期(Infancy period), 这个阶段产品的失效率快速下降,造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷;Region (II) 被称为使用期(Useful life period), 这个阶段产品的失效率保持稳定,失效的原因往往是随机的,比如温度变化等等;Region (III) 被
摘要由CSDN通过智能技术生成

可靠性(Reliability)是对产品耐久力的测量,我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线(Bathtub Curve)来表示。

集成电路的失效原因大致分为三个阶段:
Region (I) 被称为早夭期(Infancy period), 这个阶段产品的失效率快速下降,造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷;
Region (II) 被称为使用期(Useful life period), 这个阶段产品的失效率保持稳定,失效的原因往往是随机的,比如温度变化等等;
Region (III) 被称为磨耗期(Wear-Out period) 这个阶段产品的失效率会快速升高,失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。

军工级器件老化筛选
元器件寿命试验
ESD等级、Latch_up测试评价
高低温性能分析试验
集成电路微缺陷分析
封装缺陷无损检测及分析
电迁移、热载流子评价分析

根据试验等级分为如下几类:

一、使用寿命测试项目(Life test items)
EFR:早期失效等级测试( Early fail Rate Test )
目的:评估工艺的稳定性,加速缺陷失效率,去除由于天生原因失效的产品
测试条件:在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试
失效机制:材料或工艺的缺陷,包括诸如氧化层缺陷,金属刻镀,离子玷污等由于生产造成的失效
参考标准:
JESD22-A108-A
EIAJED- 4701-D101

HTOL/ LTOL:高/低温操作生命期试验(High/ Low Temperature Operating Life )
目的:评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力
测试条件: 125℃,1.1VCC, 动态测试
失效机制:电子迁移,氧化层破裂,相互扩散,不稳定性,离子玷污等
参考数据:
125℃条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年,2000小时测试持续使用8年;150℃ 1000小时测试通过保证使用8年,2000小时保证使用28年
参考标准:
MIT-STD-883E Method 1005.8
JESD22-A108-A
EIAJED- 4701-D101

二、环境测试项目(Environmental test items)

PRE-CON:预处理测试( Precondition Test )
目的:模拟IC在使用之前在一定湿度,温度条件下存储的耐久力,也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性

THB:加速式温湿度及偏压测试(Temperature Humidity Bias Test )
目的:评估IC产品在高温,高湿,偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程
测试条件:85℃,85%RH, 1

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