MC14069UBDR2G六角逆变器

MC14069UBDR2G是一款采用MOS P沟道和N沟道增强模式器件结构的六角逆变器,适用于低功率和高抗噪环境。每个逆变器具有最小传播延迟,能驱动低功率TTL负载。该设备具备三重二极管保护,是CD4069UB的针脚替换选项,适用于汽车等应用,符合AEC-Q100标准,并且无铅,符合RoHS规定。
摘要由CSDN通过智能技术生成

MC14069UB六角形逆变器采用MOS P沟道构建和单通道中的N通道增强模式器件结构体。
这些逆变器主要用于低功率需要耗散和/或高抗噪性。 六个中的每一个逆变器是最小化传播延迟的单一阶段。

特征

•电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc
•能够驱动两个低功率TTL负载或一个额定温度下的低功率肖特基TTL负载范围
•所有输入上的三重二极管保护
•CD4069UB的针脚替换
•符合JEDEC UB规范
•汽车和其他需要的应用程序的NLV前缀独特的站点和控制变更要求;AEC-Q100合格且有PPAP能力
•这些器件是无铅的,符合RoHS标准
封装
最大额定值

概述

FAE:13723714318
最大额定值(参考VSS的电压)
符号参数值单位
VDD DC电源电压范围-0.5至+18.0 V.
Vin,Vout输入或输出电压范围
(DC或瞬态)
-0.5至VDD + 0.5 V.
Iin,Iout输入或输出电流
每个引脚(DC或瞬态)
±10 mA
PD封装,每个封装
(注1)
500毫瓦
TA环境温度范围-55至+ 125°C
Tstg存储温度范围-65至+

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