WPM3401 P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管WILLSEM

最新推荐文章于 2024-07-03 11:00:25 发布
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分类专栏： WILLSEM 文章标签： WPM3401 P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管 WPM3401 电源场效应晶体管WILLSEM WPM3401 场效应晶体管WILLSEM WPM3401 P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管WILLSEM
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版权

说明

WPM3401是P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管高单元密度，DMOS沟槽技术。
这么高密度过程特别适合于最小化耐受状态。 这些设备特别适合适用于低压应用，笔记本电脑电源
管理和其他电池供电电路在哪里高端切换。
封装

特征

海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
小包装SOT-23-3L
最大额定值

应用

笔记本中的电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负载开关
P沟道
SOT23

szriley123
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专栏目录
WNM6002 N通道增强功能MOS场效应晶体管
szriley123的博客
03-28 866
单N沟道，60V，0.30A，功率MOSFET 说明 WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-323 ...
AO3401应用之5V开关电路
ba6666的博客
05-06 7113
用AO3401来做了一个控制USB Vbus（5V）开关的小电路，小巧好用。 电路解析 PW_1为gpio控制口，正常情况下设为高电平输出状态，此时三极管Q1 S9014导通，Q2 mos管的栅极（G）相当于接地，栅极（G）和源极（S）间有负压-5V，mos管导通，漏极（D）有5V输出。当PW_1为低电平输出状态时，三极管Q1不导通，mos管的栅极和源极直接无压差，mos管关断，漏极...
WPM3401-3-TR-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管
最新发布
VBsemi_MOS的博客
07-03 167
WPM3401-3-TR-VB 是一款 P-Channel 沟道 MOSFET，采用 SOT23 封装。其主要参数包括最大耐压 -30V，最大漏极电流 -5.6A，漏极-源极电阻 RDS(ON) 在 VGS=10V 和 VGS=20V 时分别为 47mΩ。这款产品适用于需要 P-Channel MOSFET 的电路设计，特别是在需要控制负载电流的应用中。P—Channel沟道，-30V；注意: 在具体应用前，请仔细阅读产品手册和规格书，以确保正确的使用和性能。产品型号: WPM3401-3-TR-VB。
【电子电路】AO3401控制3.3V 5V电源电路
热门推荐
Not Found 404
08-14 1万+
AO3401价格便宜，用于小电压电路控制成本较低 电路的工作原理为： PWR_CTL接单片机的GPIO口，需要内部上拉，或者外部增加上拉。 当PWR_CTL为高电平时：此时三极管SS8050导通，Q1的栅极（G）相当于接地，栅极（G）和源极（S）间有负压，MOS管导通，漏极（D）有3.3V输出。 当PWR_CTL为低电平时：此时三极管SS8050不导通，MOS管的栅极和源级之间无压差，MOS管关断，无电压输出。 ...
3401-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
03-29 225
3401-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应管，具有较低的开启电阻和适度的耐压能力。1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道和适度的耐压特性，适用于电源开关和稳压模块。2. **电流控制领域：** 在需要精确电流控制的电路中，3401-VB可用于设计电流源和负载。- **丝印：** VB2355。- **品牌：** VBsemi。- **封装：** SOT23。- 阈值电压：Vth=-1V。- 最大电流：-5.6A。**领域和模块应用：**- 最大耐压：-30V。
ASEMI的AO3401是场效应管吗，AO3401和三极管有什么区别？
qyx3868的博客
12-09 2350
编辑-Z ASEMI的AO3401是属于场效应管，属于电压控半导体器件，AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点，AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。 AO3401参数描述 型号：AO3401 封装：SOT-23 特性：低功耗场效应管 电性参数：4.2A 30V 持续漏极电流(ID)：4.2A 脉冲漏极电流(IDM)：30A 漏源电压(VDS)：30V 栅源电压(VGS)：±12V 栅极阈值电压(VGS)：1.3V
WPM3401-3-TR-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
07-03
WPM3401-3-TR-VB 是一款采用 SOT23 封装的 P-Channel 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有较高的工作电压、较大的电流承载能力和较低的导通电阻（RDS(ON)），使其成为移动计算应用中的理想选择...
WPM2341-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
07-03
### WPM2341-VB SOT23封装P-Channel场效应MOS管详细介绍 #### 一、概述 WPM2341-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET）。这种类型的晶体管通常用于电子电路中的开关和放大应用。在本篇文章...
WPM2026-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
07-03
### WPM2026-VB SOT23封装P-Channel场效应MOS管关键技术参数及应用 #### 概述 WPM2026-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），其主要特点是能够承受较高的负电压和电流。该器件的特性参数...
WPM3002-VB一款SOP8封装2个P-Channel场效应MOS管
07-03
根据提供的文档信息，我们可以深入探讨WPM3002-VB这款SOP8封装的双通道P-Channel场效应晶体管(MOSFET)的相关特性、应用以及技术规格。 ### 标题：“WPM3002-VB一款SOP8封装2个P-Channel场效应MOS管” 该标题简明...
WPM3005-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
07-03
根据提供的文件信息，我们可以深入探讨WPM3005-VB这款SOT23封装的P-Channel场效应MOS管的各项特性和应用。 ### 一、产品概述 #### 标题解读 - **WPM3005-VB**：这是一款由VBsemi生产的型号为WPM3005-VB的MOS管。 -...
WPM2341-3/TR P通道增强模式Mosfet WILLSEM
szriley123的博客
03-29 3170
WPM2341 P通道增强模式Mosfet 特征 更高的效率延长电池寿命 微型SOT23-3表面贴装封装 超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON） 应用 DC / DC转换器 负载开关 电池供电系统 液晶显示变频器 便携式电池供电产品的电源管理 功耗特性 WPM2341的封装是SOT23-3，表面安装在FR4板上，使用1平方英尺的焊盘尺寸 2盎司CuRşJA是125ć/ W. 2.功耗...
为什么这个电路的MOS容易失效？
gtkknd的专栏
08-25 2427
图中MOS管做开关，com1为高电平时，out=12V，com1为低电平时，out=0V，out外接电路电流在30mA内，工作一段时间后，com1=0V，out输出也有11V多，MOS管已经失效了。为什么会这样？ A3401这个管子Vgs最大极限是12V，属于开启门限低的；3401GS的电压最大是12V，电源是12.5V左右，所以MOS管不稳定，串个电阻分压就对了，后面的负载是纯阻性的，三极管是
WPM2341A-3/TR-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
11-07 129
总之，WPM2341A-3/TR MOSFET适用于中低功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能。型号 WPM2341A-3/TR丝印 VB2290品牌 VBsemi参数说明 - MOSFET类型 P沟道- 额定电压(VDS) -20V - 额定电流(ID) -4A - 开通电阻(RDS(ON)) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V - 阈值电压(Vth) -0.81V - 封装类型 SOT23。
PMOS开关电路+单按键开关电路
学海无涯的专栏
01-23 1万+
本次项目上需要实现的功能是利用AO3401 PMOS设计一个开关电路，实现一款设备的开关控制。被控设备12V供电，供电电流小于3A即可。且为了提高响应速度，使流过该设备的电流尽可能的大。该设备内阻大约为6ohm。 AO3401产品参数 其他参数 芯片内部等效电路 引脚顺序 设计电路 设计并调试好的电路如下图所示，由于供电电压和驱动电压均可以使用12V，所以采用了如下较为简单的方案。 如图所示，Q9 AO3401的栅极（G）通过100k电阻上拉到12V，源级（S）直...
WNM2077-3/TR单N沟道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 781
说明 WNM2077 单N沟道，20V，0.54A，功率MOSFET WNM2077是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） SOT-723低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2077是无铅的。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-723...
A3401液晶电路控制
weixin_43211899的博客
07-14 1163
首先测主板电源排插XS803的5脚5V正常，3脚12V无输出，7脚开关机控制为低电平，近一步检查主芯片N501（MSD6I982BX） 的各组供电：1.2V、1.5V、2.5V、3.3Vstb、3.3VA正常，但是3V3_Normal只有0.4V，3V3_Normal由一颗三端稳 压器N803产生，测N803输入端电压为0V，正常应该为5V输入，此路5V供电受V809（AO3401A，P沟道增强型场效应管）开关控制，测 V809的源极（S）输入电压为5V、栅极（G）为5V高电平、漏极（D）输出为0V。很明显
WPM1488-3/TR P通道增强功能MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 951
WPM1488-3/TR 单P沟道，-12V，-1.4A，功率MOSFET 说明 WPM1488是P通道增强功能MOS场效应晶体管。 使用先进沟槽技术和设计提供优秀 RDS（ON），栅极电荷低。 这个设备是适用于DC-DC转换，电源 开关和充电电路。 标准产品WPM1488是无铅的。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 优异的导通电阻，可提高直流电压 当前 极低的阈...
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