3.2 半导体二极管门电路

3.2 半导体二极管门电路

3.2.1 半导体二极管的开关特性

由于半导体二极管（Diode）具有单向导电性，即外加正向电压时导通，外加反向电压时截止，所以它相当于一个受外加电压极性控制的开关。用它取代图3.1.1中的开关S，可以得到图3.2.1所示的二极管开关电路。

假定输入信号的高电平为 𝑉𝐻VH​，低电平为 𝑉𝐿VL​，并假定二极管 𝐷D 为理想开关元件，即正向导通电阻为0，反向内阻为无穷大，则当 𝑉𝑖𝑛=𝑉𝐻Vin​=VH​ 时，二极管 𝐷D 截止，输出 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐻Vout​=VH​；而当 𝑉𝑖𝑛=𝑉𝐿Vin​=VL​ 时，二极管 𝐷D 导通，输出 𝑉𝑜𝑢𝑡=𝑉𝐿Vout​=VL​。因此，可以用输入信号的高、低电平控制二极管的开关状态，并在输出端得到相应的高、低电平输出信号。

然而，我们在分析各种实际的二极管电路时发现，由于二极管的特性并不是理想的开关特性，所以并不是任何时候都能满足上面对二极管特性所做的假定。根据半导体物理理论得知，二极管的特性可以近似地用式（3.2.1）的PN结方程和图3.2.2所示的伏安特性曲线描述，即

𝑖=𝐼𝑆(𝑒𝑣𝑛𝑉𝑇−1)i=IS​(enVT​v​−1)

其中，𝑖i 为流过二极管的电流，𝑣v 为加到二极管两端的电压，𝑉𝑇VT​ 为热电压，𝐼𝑆IS​ 为反向饱和电流，𝑛n 为修正系数。对于一般分立器件二极管的 𝑃−𝑁P−N 结，𝑛≈2n≈2；而对于一般数字集成电路中的 𝑃−𝑁P−N 结，𝑛≈1n≈1。常温下（即结温为27℃，𝑇=300T=300 K）𝑉𝑇≈26VT​≈26 mV。

图3.2.1 二极管开关电路

图3.2.2 二极管的伏安特性

由式（3.2.1）和图3.2.2所示的曲线不难看出，实际的半导体二极管反向电阻不是无穷大，正向电阻也不是0。而且，电压和电流之间是非线性关系。此外，由于存在着 𝑃−𝑁P−N 结表面的漏电阻以及半导体的体电阻，所以真正的二极管的伏安特性与式（3.2.1）所给出的曲线略有差异。

在分析二极管组成的电路时，虽然可以选用精确的二极管模型电路并通过计算机辅助分析求出准确的结果。然而在多数情况下，需要通过近似的分析迅速判断二极管的开关状态。为此，经常需要利用近似的简化特性，以简化分析和计算过程。图3.2.3给出了二极管的三种近似的伏安特性曲线和对应的等效电路。

1. 当外电路的等效电源 𝑉𝑎Va​ 和等效电阻 𝑅𝑎Ra​ 都很小时，二极管的正向导通压降和正向电阻都不能忽略，这时可以用图3.2.3(a)中的折线作为二极管的近似特性，并得到如图3.2.3(a)中所示的等效电路。

2. 当二极管的正向导通压降和外加电源电压相比不能忽略，而与外接电阻相比二极管的正向电阻可以忽略时，可采用图3.2.3(b)中所示的近似特性和等效电路。当加到二极管两端的电压小于 𝑉0V0​ 时，流过二极管的电流近似地看作为0。当外加电压大于 𝑉0V0​ 以后，二极管导通，而且电流增加时二极管两端的电压基本不变，仍等于 𝑉0V0​。

3. 当二极管的正向导通压降和正向电阻与电源电压和外接电阻相比均可忽略时，可以将二极管看作理想开关，用图3.2.3(c)中与坐标轴重合的折线近似代替二极管的伏安特性。

图3.2.3 二极管伏安特性的几种近似方法

在动态情况下，亦即加到二极管两端的电压突然反向时，电流的变化过程如图3.2.4所示。由于外加电压由反向突然变为正向时，要等到 𝑃−𝑁P−N 结内部建立起足够的电荷梯度后才开始有扩散电流形成，因而正向导通电流的建立要稍微滞后。当外加电压突然由正向变为反向时，因为 𝑃−𝑁P−N 结内尚有一定数量的存储电荷，所以有较大的瞬态反向电流流过，如图3.2.4所示。随着存储电荷的消散，反向电流迅速衰减并趋近于稳态时的反向饱和电流。瞬态反向电流的大小和持续时间的长短取决于正向导通时电流的大小、反向电压和外电路电阻的阻值，而且与二极管本身的特性有关。

反向电流持续的时间用反向恢复时间 𝑡𝑅tR​ 来定量描述。𝑡𝑅tR​ 是指反向电流从它的峰值衰减到峰值的十分之一所经过的时间。由于 𝑡𝑅tR​ 的数值很小，在几纳秒以内，所以用普通的示波器不容易看到反向电流的瞬态波形。

图3.2.4 二极管的动态电流波形

 

 

 

3.2.2 二极管与门

最简单的与门可以用二极管和电阻组成。图3.2.5所示是有两个输入端的与门电路，图中A、B为两个输入变量，Y为输出变量。

设 𝑉𝑐𝑐=5Vcc​=5 V，A、B输入端的高、低电平分别为 𝑉𝐻=3VH​=3 V，𝑉𝐿=0VL​=0 V。二极管 𝐷1D1​ 和 𝐷2D2​ 的正向导通压降 𝑉𝐷=0.7VD​=0.7 V。由图可见，A、B当中只要有一个是低电平0 V，则必有一个二极管导通，使 𝑉𝑌VY​ 为0.7 V。只有A、B同时为高电平3 V时，𝑉𝑌VY​ 才为3.7 V。将输出与输入逻辑电平的关系列表，即得表3.2.1。

图3.2.5 二极管与门电路

表3.2.1 图3.2.5所示电路的逻辑电平

A (V)	B (V)	Y (V)
0	0	0.7
0	3	0.7
3	0	0.7
3	3	3.7

如果规定3 V以上为高电平，用逻辑1表示；0.7 V以下为低电平，用逻辑0表示，则可将表3.2.1改写成表3.2.2的真值表。显然，Y和A、B是与逻辑关系。通常也用与逻辑运算的图形符号作为与门电路的逻辑符号。

表3.2.2 图3.2.5所示电路的真值表

A	B	Y
0	0	0
0	1	0
1	0	0
1	1	1

这种与门电路虽然很简单，但是存在着严重的缺点。首先，输出的高、低电平数值和输入的高、低电平数值不相等，相差一个二极管的导通压降。如果把这个门的输出作为下一级门的输入信号，将发生信号高、低电平的偏移。其次，当输出端对地接上负载电阻时，负载电阻的改变有时会影响输出的高电平。因此，这种二极管与门电路仅用作集成电路内部的逻辑单元，而不用在集成电路的输出端直接去驱动负载电路。

3.2.3 二极管或门

最简单的或门电路如图3.2.6所示，它也是由二极管和电阻组成的。图中A、B是两个输入变量，Y是输出变量。

若输入的高、低电平分别为 𝑉𝐻=3VH​=3 V、𝑉𝐿=0VL​=0 V，二极管 𝐷1D1​ 和 𝐷2D2​ 的导通压降为0.7 V，则只要A、B当中有一个是高电平，输出就是2.3 V。只有当A、B同时为低电平时，输出才是0 V。因此，可以列出表3.2.3的电平关系表。如果规定高于2.3 V为高电平，用逻辑1表示；而低于0 V为低电平，用逻辑0表示，则可将表3.2.3改写为表3.2.4所示的真值表。显然，Y和A、B之间是或逻辑关系。

图3.2.6 二极管或门电路

表3.2.3 图3.2.6所示电路的逻辑电平

A (V)	B (V)	Y (V)
0	0	0
0	3	2.3
3	0	2.3
3	3	2.3

表3.2.4 图3.2.6所示电路的真值表

A	B	Y
0	0	0
0	1	1
1	0	1
1	1	1

二极管或门同样存在着输出电平偏移的问题，所以这种电路结构也只用于集成电路内部的逻辑单元。可见，仅仅用二极管门电路无法制作具有标准化输出电平的集成电路。