MOS驱动电路

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MOS管的驱动电路有两个要点:

1、瞬态驱动电流要够大,所谓驱动MOS管,主要就是对MOS管门极的寄生电容的充电放电,也就是打开和关闭MOS管

2、NMOS的Vgs(门-源电压)高于4V即可导通,PMOS的Vgs(门-源电压)低于4V即可导通

 

 

直接驱动NMOS

R1为负载

仅适用于NMOS低端驱动,因为NMOS导通的条件是:Vgs高于4V左右,5V的PWM波刚好满足要求(3.3V的低压单片机这里就有无法完全打开NMOS的风险,表现为MOS发热,或者负载两端电压过低)

 

 

推挽输出(图腾柱式驱动)

R1为负载

这个电路是共射极放大电路,主要是起到放大MOS管门极的驱动电流,不能放大电压

适用于NMOS低端驱动,单片机直接驱动MOS管的门极时,电流不够,开关速度过慢,MOS管发热时,可以增加驱动电流,实现更快速的MOS管的开关

 

一种变换电压的推挽式驱动电路

R3为负载

如果采用PMOS作为高端驱动的话,那么关断PMOS就要使门极电压至少等于源极电压

采用两个NPN三极管+ 一个二极管,实现给PMOS门极0V~12V的快速变换

当然也可以用于NMOS的低端驱动

此电路同时适用于3.3V输出的单片机

 

采用半桥芯片实现半桥驱动电路

EG3013等半桥芯片的好处是:

1、可以使用两个NMOS实现半桥电路,便宜

2、自举升压电路,方便

3、自带死区控制(避免两个MOS同时导通),安全

缺点嘛。。。有点慢,高频闪烁来控制亮度的话,不太行,如果是控制电机正反转,低频启停用电器话,肯定是没问题的

而且,不一定是用来做半桥,单拿出一路也能直接驱动NMOS,做高低端驱动都可以

 

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