七种MOS管栅极驱动电路

01 直接驱动

首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCB LAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。

当然另一个问题我们得考虑，那就是PWM CONTROLLER的驱动能力，当MOSFET较大时，IC驱动能力较小时，会出现驱动过慢，开关损耗过大甚至不能驱动的问题，这点我们在设计时需要注意。

02 IC内部驱动能力不足时

当然，对于IC内部驱动能力不足的问题我们也可以采用下面的方法来解决。

这种增加驱动能力的方式不仅增加了导通时间，还可以加速关断时间，同时对控制毛刺及功率损耗由一定的效果。当然，这个我们在LAYOUT时要尽量将这两个管子放的离MOSFET栅极较近的位置。这样做的好处还有减少了寄生电感，提高了电路的抗干扰性。

03 增加MOSFET的关断速度

如果我们单单要增加MOSFET的关断速度，那么我们可以采用下面的方式来进行。