PS DRAM接口的函数式编程模型（一）

针对PS DRAM接口的操作启动，确实需要遵循一系列精心设计的步骤来确保DRAM控制器（DDRC）和DRAM模块能够正确初始化和配置。以下步骤详细说明了这些操作，并指出了Vivado Design Suite通常如何提供这些编程支持。

1. DDR时钟初始化：涉及配置和稳定DDR时钟信号。时钟的稳定性和准确性对于DRAM操作的时序至关重要。Vivado Design Suite会提供工具来配置时钟源，包括时钟频率、相位和占空比等参数。
2. DDR I/O缓冲区（DDR IOB）初始化和校准：DDR I/O缓冲区负责在DDR控制器和DRAM模块之间传输数据。初始化这些缓冲区并对其进行校准可以确保信号完整性和性能。Vivado Design Suite通常包含用于配置和校准I/O缓冲区的工具和算法。
3. DDR控制器（DDRC）寄存器编程：DDRC寄存器编程是配置DDR控制器以匹配DRAM模块特性和系统需求的关键步骤。这包括设置时序参数、配置突发长度、启用或禁用特定功能等。Vivado Design Suite提供了图形用户界面（GUI）或命令行工具来配置这些寄存器。
4. DRAM重置和初始化：在DRAM模块开始正常操作之前，需要对其进行重置和初始化。这通常包括将DRAM置于已知状态，并设置必要的初始化序列。Vivado Design Suite可以生成这些初始化序列，并通过DDRC将其发送到DRAM模块。
5. DRAM输入阻抗（ODT）校准：ODT校准是优化DRAM信号质量的重要步骤。通过调整ODT电阻值，可以减少信号反射和过冲，从而提高信号完整性。Vivado Design Suite可能包含用于自动校准ODT的工具或提供指导如何手动进行校准。
6. DRAM输出阻抗（Ron）校准：类似于ODT校准，Ron校准也是优化DRAM信号质量的一部分。它关注于调整DRAM模块的输出驱动强度，以确保信号在传输过程中保持足够的幅度和清晰度。Vivado Design Suite可能支持Ron校准的自动化或提供相关的配置选项。
7. DRAM训练：DRAM训练是确保DRAM模块与DDR控制器之间正确同步和数据传输的关键步骤。它包括多个子步骤，如写电平调整、读DQS门控训练和读数据眼图训练。

• 读数据眼图训练：通过调整读操作的时序参数来优化数据眼图，从而提高数据传输的可靠性和性能。
• 读DQS门控训练：优化DQS（数据选通信号）的接收时序，以确保读数据窗口的正确对齐。
• 写电平调整：调整写操作的时序，以确保数据在DRAM内部正确采样。

Vivado Design Suite通常包含自动化工具来执行这些训练步骤，并验证DRAM模块的性能和稳定性。

时钟工作频率

在DDR初始化之前，DDR时钟必须处于活动状态。DDR_2x和DDR_3x时钟都必须正确配置。DDR_3x时钟是DRAM使用的时钟，应设置为所需的工作频率（请注意，每比特的数据速率是工作频率的两倍）。DDR_2x时钟由互连使用，通常设置为工作频率的2/3。DDR PLL频率应设置为工作频率的偶数倍。

表10-5提供了假设50 MHz参考时钟的频率配置示例

对DDR时钟进行编程涉及SLCR中的DDR_PLL_CTRL和DDR_CLK_CTRL寄存器。

除了主DDR时钟外，DDR IOB内置的数字控制阻抗（DCI）功能还使用10 MHz时钟。该时钟通过SLCR DCI_CLK_CTRL寄存器配置。

DDR IOB阻抗校准

DDR IOB使用IOB的DCI数控阻抗模式支持校准的驱动强度和端接强度。在DDR2/DDR3/DDR3L模式下，这用于校准端接强度。在LPDDR2模式下，这用于校准驱动器强度。
DCI状态机需要两个外部引脚VRN和VRP，它们分别连接到VCCO_DDR和地的外部电阻器。DCI设置如表10-6所示。

启用后，DCI状态机将自动将驱动和端接阻抗与外部电阻器匹配。此背景校准需要1-2ms才能锁定，然后连续运行。

校准

1.配置时钟模块，在dci_clk上配置10 MHz时钟

2.使用SLCR寄存器DDRIOB_DCI_CTRL和DDRIOB_DCL_STATUS启用DDR DCI校准系统

   a.将DDRIOB_DCI_CTRL.RESET_B切换为0并设置为1   

   b.根据表10-7设置DDRIOB_DCI_CTRL.PREF_OPT和NREF_OPT字段

  c.将DDRIOB_DCI_CTRL.UPDATE_CONTROL设置为0

  d.将DDRIOB_DCI_CTRL.ENABLE设置为1

  e.对DDRIOB_DCI_STATUS进行轮询。一点一点地做，直到它是1

DDR IOB配置

DDR IOB必须配置为用作I/O。每种类型的DDR IOB由两个不同的SLCR配置寄存器控制。配置寄存器配置IOB的输入模式、输出模式、DCI模式和其他功能。

配置

DDR系统支持16位和32位模式以及断电模式下的DDR3L/DDR3/DDR2/LPDDR2。

按如下方式设置IOB配置：

1.将所有LPDDR2 I/O的DCI_TYPE设置为DCI驱动器。

2.将DCI_TYPE设置为DDR2/DDR3/DDR3L双向I/O的DCI终止。

3.设置OUTPUT_EN=obuf以启用输出。

4.设置TERM_DISABLE_MODE和IBUF_DESABLE_MODE以启用省电输入模式。在DDR训练完成之前，不应设置TERM_DISABLE_MODE和IBUF_DESABLE_MODE字段。

5.将SSTL的INP_TYPE设置为基于VREF的差分接收器，将HSTL设置为单端输入。

6.将INP_TYPE设置为差分输入接收器，用于差分输入。

7.将TERM_EN设置为启用DDR3/DDR32L和DDR2双向I/O（输出和LPRDDR2 IO未终止）。

8.如果只使用16位DQ DDR（包括ECC位），则将DDRIOB_DATA1和DDRIOB_DIFF1寄存器设置为断电。

9.对于DDR2和DDR3/DDR3L，DCI只影响端接强度，因此地址和时钟输出不使用DCI。

10.对于LPDDR2，DCI会影响驱动器强度，因此所有I/O都使用DCI。

VREF配置DDR I/O使用差分输入接收器。该接收器的一个输入端连接到数据输入端，另一个连接到称为VREF的电压基准。对于DDR2/3和LPDDR2 DRAM接口，VREF电压设置为I/O VCCO电压的一半。VREF可以通过专用VREF焊盘从外部提供，也可以从内部电压源提供。建议所有设计都使用外部VREF，以提供额外的时序裕度，但需要外部板组件。要配置VREF参考电源，请按如下方式设置DDRIOB_DDR_CTRL寄存器：

1. 启用内部VREF

• 将DDRIOB_DDR_CTRL.VREF_EXT_EN设置为00（断开I/O与外部信号的连接）
• 根据DDR标准将DDRIOB_DDR_CTRL.VREF_SEL设置为适当的电压设置（VREF=VCCO_DDR/2）
• 将DDRIOB_DDR_CTRL.VREF_INT_EN设置为1，以启用内部VREF发生器

     2. 启用外部VREF

• 将DDRIOB_DDR_CTRL.VREF_INT_EN设置为0，以禁用内部VREF发生器
• 将DDRIOB_DDR_CTRL.VREF_SEL设置为0000
• 将DDRIOB_DDR_CTRL.VREF_EXT_EN设置为11，以将IOB VREF输入连接到32位接口的外部焊盘
• 将DDRIOB_DDR_CTRL.VREF_EXT_EN设置为01，将IOB VREF输入连接到16位接口的外部焊盘

DDR控制器寄存器编程

在启用DDRC之前，所有DDRC寄存器都必须初始化为系统特定的值。

大约80个具有350多个参数的寄存器可能会被设置或保持其开机默认值。然后通过写入DDRC_ctrl寄存器来启用DDRC。一旦启用，DDRC会自动执行初始化步骤4-7（功能编程模型）。

DDRC操作是自主的，除非需要更改功能（例如更改AXI端口优先级），否则不需要进一步编程。

DRAM重置和初始化

DDRC根据JEDEC规范执行DRAM重置和初始化，包括重置、刷新和模式寄存器初始化。

DDR初始化顺序

LPDDR2初始化序列

当与LPDDR2 DRAM一起使用时，初始化状态机执行以下初始化序列：

1. 同时给VDD和VDDQ加电。坚持并抓住CKE。
2. 使用稳定的时钟
3. 在reg_ddrc_pre_cke_x1024指定的持续时间内发布NOP/取消选择（规范要求至少200 us，电源和时钟稳定）。
4. 发布刷新
5. 加载模式寄存器
6. 加载扩展模式寄存器
7. 发出ACTIVE命令
8. 取消选择reg_ddrc_final_wait_x32周期（无规范要求）。
9. 开始正常运行

DDR2初始化顺序

对于DDR2，初始化状态机执行以下初始化序列：

1. 加电
2. 在reg_ddrc_pre_cke_x1024指定的持续时间内发布NOP/取消选择（规范要求至少200 us，电源和时钟稳定）
3. 断言CKE并为reg_ddrc_post_CKE_x1024发出NOP/Deselect（规范要求至少400 ns）
4. 在reg_ddrc_t_rp循环中，先发出“全部预充”，然后再发出“NOP/取消选择”
5. 将EMR2编程为reg_ddrc_EMR2值，然后对reg_ddrc.t_mrd循环进行NOP/取消选择
6. 将EMR3编程为reg_ddrc_EMR3值，然后对reg_ddrc.t_mrd循环进行NOP/取消选择
7. 通过将EMR编程为reg_ddrc_EMR值，然后对reg_ddrc.t_mrd周期进行NOP/取消选择，启用DLL
8. 通过将MR编程为reg_ddrc_MR值，然后在reg_ddrc.t_mrd循环中执行NOP/Deselect，来重置DLL
9. 在（reg_ddrc_t_rp+1）个周期内发布预充全部，然后进行NOP/取消选择
10. 在reg_ddrc_t_rfc_min循环中发出刷新，然后发出NOP/取消选择。重复9次。
11. 通过将MR设置为reg_ddrc_MR值，将位8设置为1，在不重置DLL的情况下对MR进行编程。
12. .在reg_ddrc_pre_ocd_x32指定的持续时间内发布NOP/取消选择（无规范要求）
13. 发出“OCD完成”命令，表示不会执行片上驱动器校准
14. 为reg_ddrc_final_wait_x32周期发布NOP/取消选择（无规范要求）
15. 开始正常运行

DDR3初始化顺序

对于DDR3，初始化状态机将执行以下初始化序列：

1. 加电
2. 在reg_ddrc_pre_cke_x1024指定的持续时间内发布NOP/取消选择（规范要求至少200 us，电源和时钟稳定）
3. 断言CKE并为reg_ddrc_post_CKE_x1024发出NOP/Deselect（规范要求至少500 us）
4. 发出MRS命令，加载具有reg_ddrc_emr2值的MR2，然后在reg_ddrc.t_mrd的持续时间内执行NOP/Deselect
5. 发出MRS命令，使用reg_ddrc_emr3加载MR3，然后在reg_ddrc.t_mrd的持续时间内执行NOP/Deselect
6. 发出MRS命令，使用reg_ddrc_emr加载MR1，然后在reg_ddrc.t_mrd的持续时间内执行OP/Deselect
7. 发出MRS命令，使用reg_ddrc_mr加载MR0，然后在reg_ddrc.t_mod的持续时间内执行NOP/Deselect
8. 开始计数reg_ddrc_t_zq_long_nop，并发出ZQCL命令开始zq校准
9. 等待reg_ddrc_t_zq_long_nop计数完成。确保步骤7的等待时间大于tDLLK
10. 开始正常运行