三极管的缺点MOS管来补，把MOS管当作开关驱动大功率器件

最新推荐文章于 2023-03-30 22:25:29 发布
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分类专栏： 硬件开发 文章标签： MOS
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使用三极管控制电路，其实是比较常用的，但是功率这一块吃不消，比如最为常用的8550即使是韩国的正版产品也只能达到1.5A，国内0.5A就是极限了，而MOS管本身特性使得寄生电容小，电阻也低，很适合大功率控制

 

下图是一个典型的8550 PNP控制电路

 这是我练习打板的一个电路，后面发现引脚定义没有弄好不过幸运的是三极管只有三个脚

 

而像是下面图这样的就是一个N-Channel MOS开关模块，这一个通常用于在Source源极连接到GND的方式控制导通，作为开关的时候，其实非常容易理解，抛去一些模拟电路的内容，栅极也就是控制极，漏极是输入端，源极是输出端，N沟道MOS特点就是高电平输出，低电平截止，我用一个2K下拉方便让栅极达到截止电压

 

常用的N-MOS管型号

IRF540N 100V33A

IRF530N 100V17A

arenascat
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一文详解大小功率MOS管，你不知道的都在这里
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三极管和MOS管作为开关管时如何选择?
07-12
三极管和MOS管都是很常用的电子元器件，两者都可以作为电子开关管使用，而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？ 三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。下文以NPN三极管和N沟道MOS管为例，下图为三极管和MOS管控制原理。 ▲NPN三极管与N-MOS管当开关管原理 （1）控制方式不同，三极管是电流型控制元器件，而MOS管是电压控制元器件，三极管导通所需的控制端的输入电压要求较低，一般0.4V~0.6V以上就可以实现三极管导通，只需改变基极限流电阻即可改变基极电流。而MOS管为电压控制，导通所需电压一般4V~10V左右，且达到饱和时所需电压一般6V~10V左右。在控制电压较低的场合一般使用三极管作为开关管，也可以先使用三极管作为缓冲控制MOS管，比如单片机、DSP、powerPC等处理器I/O口电压较低，只有3.3V或2.5V，一般不会直接控制MOS管，电压较低
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刺客_阿瑞的专栏
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weixin_39784195的博客
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二极管、三极管、MOS管资料合集.zip
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于是三极管的功率做的挺大，因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。 综上所述的两种晶体管，是目前电子设备使用频率很高的电子元器件，两者在外形及静态参数极其相似，某些电子产品是存在...
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MOS管
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为什么用于开关电源的开关管一般用MOS管而不是三极管
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区别： 1.MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。 2.MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。 3.MOS管的温度特性要比三极管好。 MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小，用MOS管做电源驱动时，只需要一个驱动电压信号即可，就可以控制很大的电源电流了（几安培到几十安培），控制很方便，如果用三极管，
一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路
不脱发的程序猿
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三极管、MOS管和IGBT是电子器件中常见的三种晶体管。三极管是一种由三个电极组成的半导体器件，用于放大和开关电流。超β三极管是由两个三极管组成的电路形式，常用于放大电路。MOS管是一种场效应管，由栅极、漏极和源极组成，通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，结合了MOS管和双极型晶体管的特点，具有高电压和高电流的开关能力。 三极管、MOS管和IGBT在电子电路中有不同的应用。三极管常用于放大电路和开关电路中，例如驱动继电器。MOS管常用于隔离电路、开关电路和功率放大电路中。IGBT常用于高压和高电流的开关电路，例如电力电子设备和变频器。 在实际应用中，可以通过检测器件的参数和使用万用表来判断三极管、MOS管和IGBT的好坏。对于MOS管和IGBT，还可以根据极性和命名规则来判断其类型和参数。 总结起来，三极管、MOS管和IGBT是常见的电子器件，它们在电子电路中有不同的应用。了解它们的特点和使用方法对于电子工程师和电路设计师来说是非常重要的。

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