三极管 vs MOS管 | PMOS与NMOS

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分类专栏：硬件文章标签：硬件工程

于 2022-12-24 11:02:42 首次发布

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MOS管等效模型：电压控制（输入端G是电容）；负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。
三级管等效模型：电流控制（输入端G是电阻）；负载端是二极管，大电流时损耗大。

	输入端-控制	输出端-功耗
MOS管	电压控制（输入端G是电容）	负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。
三极管	电流控制（输入端G是电阻）Ic-b = β x Ib	负载端是二极管，大电流时损耗大。

在这里插入图片描述

辅助记忆: 放P，气体向外=箭头朝外。所以左边的时PMOS，G靠近S端
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PMOS 负极性控制-负电压 or 0电压导通
NMOS 正极性控制-正电压导通
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PMOS的G道济
记住S-D之间二极管的正向对正电压
打开条件Vg>Vs+Vgs≈5+4 = 9V。
PMOS电路-左图：
NMOS电路-右图：
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MOS的D与S的方向性，小二极管的负极对正电压。
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重要参数

参数名	典型值	作用
Vgsth（Gate Threshold Voltage)	2-4V	开启条件：G-S间的电压要大于改值
Rdon（Static Drain to Source On-Resistance）	0.2Ω	导通时G-D间等效电阻
Cgs（）

由于工艺问题，NMOS的性能，价格，数量都优于PMOS。
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