三极管 vs MOS管 | PMOS与NMOS

InJre

已于 2023-01-11 20:12:22 修改

阅读量3.2k

点赞数 3

分类专栏：硬件文章标签：硬件工程

于 2022-12-24 11:02:42 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_27741499/article/details/128418648

版权

硬件专栏收录该内容

7 篇文章

订阅专栏

本文介绍了MOS管和三极管的工作原理和等效模型。MOS管是电压控制器件，输入端为电容，大电流损耗小；三极管则是电流控制，输入端为电阻，大电流损耗大。PMOS和NMOS的控制方式、应用电路以及关键参数如阈值电压、导通电阻和栅源电容等也进行了说明。此外，文章提到了NMOS在性能、价格和数量上通常优于PMOS，并给出了防止电源反接的电路应用。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

三极管与 MOS管

MOS管等效模型：电压控制（输入端G是电容）；负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。
三级管等效模型：电流控制（输入端G是电阻）；负载端是二极管，大电流时损耗大。

	输入端-控制	输出端-功耗
MOS管	电压控制（输入端G是电容）	负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。
三极管	电流控制（输入端G是电阻）Ic-b = β x Ib	负载端是二极管，大电流时损耗大。

在这里插入图片描述

PMOS NMOS

辅助记忆: 放P，气体向外=箭头朝外。所以左边的时PMOS，G靠近S端
在这里插入图片描述

控制方式

PMOS 负极性控制-负电压 or 0电压导通
NMOS 正极性控制-正电压导通
在这里插入图片描述

PMOS和NMOS的应用电路

PMOS的G道济
记住S-D之间二极管的正向对正电压
打开条件Vg>Vs+Vgs≈5+4 = 9V。
PMOS电路-左图：
NMOS电路-右图：
在这里插入图片描述

MOS的D与S的方向性，小二极管的负极对正电压。
在这里插入图片描述

重要参数

参数名	典型值	作用
Vgsth（Gate Threshold Voltage)	2-4V	开启条件：G-S间的电压要大于改值
Rdon（Static Drain to Source On-Resistance）	0.2Ω	导通时G-D间等效电阻
Cgs（）

由于工艺问题，NMOS的性能，价格，数量都优于PMOS。
在这里插入图片描述