本文详细探讨了闪存的进阶知识，包括ISPP写步骤、随机化编码、SLC、MLC、TLC的性能比较，以及3D Flash的特性和编程操作。分析了各类型闪存的读写速度、耐用性和并行性，强调了格雷编码在MLC中的应用，以及3D Flash的Charge Trap结构和1-pass编程方式。
这一章关于闪存主要是SLC, MLC, TLC, 3D flash的比较，主要点如下：
1、FLASH的写步骤ISPP
2、在写数据之前要进行随机化编码
3、slc、mlc、tlc性能的比较
4、一个具体的flash读写的体系结构
5、目前定义的flash的IO接口规范
6、ssd里面并行性的体现
7、mlc为什么要采用格雷编码
8、tlc的三步编程操作
9、3D FLASH的相关特性
下面分别对这9个方面进行具体的分析：
1、FLASH的写步骤ISPP
闪存的编程操作实际是对闪存页的写操作，通过电压来完成的，那么闪存的编程操作特别地方是采用的ISPP，步进式的编程，如下：
从这个ISPP操作上可以看出，ISPP的中文是步进式编程操作，也就是说flash写操作的时候，施加编程电压的时候，不是电压一次到位，二是步进式的一步一步的，首先加个
，然后进行判断比较是否达到需要的编程电压，如果没有达到，在加，直
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