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硬件芯片电路原理相关
AlexFang0904
这个作者很懒,什么都没留下…
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can和485对比
can VS rs485原创 2023-02-03 16:28:04 · 3632 阅读 · 0 评论 -
geekbench5 cpu排名 202009
排名 名称 单核 多核 1 Intel Core i9-10900K 10 Core 3.7GHz 1415分 11033分 2 Intel Core i9-9900KS 8 Core 4GHz 1407分 9441分 3 Intel Core i7-10700K 8 Core 3.8GHz 1356分原创 2020-09-22 16:43:09 · 12218 阅读 · 0 评论 -
Jetson 对比
Jetson Nano TX1 TX2 XavierThe Jetson line of embedded Linux AI and computer vision compute modules and devkits from NVIDIA:Jetson TK1: single-board 5" x 5" computer featuring Tegra K1 SOC (quad-core 32-bit Cortex-A15 + 192-core Kepler GPU), 2GB DDR3, a原创 2020-09-12 12:23:35 · 1061 阅读 · 0 评论 -
激光器按波长分各种类型 class1~class4
激光器按波长分各种类型,由于不同波长的激光对人体组织器官伤害不同。因而在各类型的激光器中按其功率输出大小及对人体伤害分以下四级。第一级激光器:即无害免控激光器。这一级激光器发射的激光,在使用过程中对人体无任何危险,即使用眼睛直视也不会损害眼睛。对这类激光器不需任何控制。第二级激光器:即低功率激光器。输出激光功率虽低,用眼睛偶尔看一下不至造成眼损伤,但不可长时间直视激光束。否则,眼底细胞受光子作用而损害视网膜。但这类激光对人体皮肤无热损伤。第三级激光器:即中功率激光器。这种激光器的输出功率如聚焦时,直视原创 2020-09-10 20:37:58 · 10849 阅读 · 0 评论 -
摄像头参数汇总
https://www.cnblogs.com/ybqjymy/p/12425660.html原创 2020-09-09 14:58:26 · 451 阅读 · 0 评论 -
三角测距雷达和TOF激光雷达
三角测距激光雷达原理三角法的原理如下图所示,激光器发射激光,在照射到物体后,反射光由线性CCD 接收,由于激光器和探测器间隔了一段距离,所以依照光学路径,不同距离的物体将会成像在CCD 上不同的位置。按照三角公式进行计算,就能推导出被测物体的距离。CCD是Charge Coupled Device(电荷耦合器件)的缩写,它是一种半导体成像器件。CCD广泛应用在数码摄影、天文学,尤其是光学遥测技术、光学与频谱望远镜和高速摄影技术,如Luckyimaging。CCD在摄像机、数码相机和...原创 2020-08-13 10:15:13 · 2486 阅读 · 0 评论 -
DDR3和DDR4的区别
1、规格不同 DDR3内存的起始频率仅有800MHz,最高频率可达2133MHz。而DDR4内存的起始频率就有2133MHz,最高频率可达3000MHz。更高频率的DDR4内存在各个方面的表现和DDR3内存相比有着显著的提升,DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps的带宽,那么DDR4-3200就是51.2GB/s,这比DDR3-1866的带宽提升了70%; 2、外观不同 DDR4作为DDR3的升级版本,在外观上发生了一些改变。DDR4内存的金手指变成了弯曲状,这意味着DDR4不再兼容原创 2020-08-11 22:30:05 · 8078 阅读 · 0 评论 -
电容充放电时间计算
原创 2019-03-22 14:14:18 · 7363 阅读 · 0 评论 -
MOS管当开关控制时,为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管?
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图:NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一...原创 2019-02-01 20:54:00 · 7247 阅读 · 0 评论 -
电解电容的寿命公式
一.SPEC1.电解电容零件工程规格书中之StandardRating表格,其中规定了不同规格的电解电容RatedRipple Current值,例如:Sharp机种PWPCC904(滤波电容) 67L215L-820-15N (CNN公司KXG Series)VDC V Cap. uF Case size ∮D*L mm tanδ L.C. uA Rated...原创 2018-04-12 21:43:00 · 6724 阅读 · 0 评论 -
芯片管脚工作在各个模式的特点和优缺点(持续更新)加上下拉电阻的作用
一、推挽输出:可以输出高、低电平,连接数字器件;推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源决定。 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。...原创 2018-02-22 20:55:24 · 6992 阅读 · 1 评论 -
RAM、SRAM、SDRAM、DRAM,ROM、MASK ROM、OTPROM、EEPROM、内存、硬盘
易失性存储器 -RAM(Random access memory)DRAM (Dynamic) 以电容的电荷来表示数据0,1。 SDRAM sychronous 时钟同步。 DDR SDRAMSRAM 以锁存器来存储数据。非易失性存储器 -RAM(Read only memory) 1、MASK ROM 不可修改 2、OTPROM 一次性 3、EPROM,EEPROM (ele...原创 2018-03-08 20:19:46 · 2860 阅读 · 0 评论 -
电感和磁珠的区别
1、 电感和磁珠都可以用于滤波,但是机理不一样。电感滤波是将电能转化为磁能,磁能将通过两种方式影响电路:一种方式是重新转换回电能,表现为噪声;一种方式是向外部辐射,表现为EMI(电磁干扰)。而磁珠是将电能转换为热能,不会对电路构成二次干扰。2、 电感在低频段滤波性能较好,但在50MHz以上的频段滤波性能较差;磁珠利用其电阻成分能充分地利用高频噪声,并将之转换为热能已达到彻底消除高频噪声的目的。...原创 2018-02-28 15:10:37 · 2260 阅读 · 0 评论 -
I2c、Uart、SPI的区别
第一个区别是名字: SPI(Serial Peripheral Interface:串行外设接口); I2C(INTER IC BUS:意为IC之间总线) UART(Universal Asynchronous Receiver Transmitter:通用异步收发器) 第二区别在电气信号线上: SPI总线由三条信号线组成:串行时钟(SCLK)、串行数据输出(SDO)、串行数据输入(SDI...原创 2018-02-09 13:52:16 · 450 阅读 · 0 评论 -
二极管参数详解
二极管参数普通发光二极管的正向饱和压降为1.6V~2.1V, 正向工作电流为5~20mA LED的特性 1.极限参数的意义 (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。 (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。原创 2018-01-10 17:37:51 · 10839 阅读 · 0 评论 -
TVS 和 肖特基二极管
TVS管性能及选型总结 一.TVS管概述 TVS(Transient Voltage Suppressor)瞬态电压抑制器。当两极受到反向瞬态高能量冲击时,能以10的负12次方秒量级的速度,将两极间的高阻抗变为低阻抗,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件。在浪涌电压作用下,TVS两极间的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR,而被击穿,随着击穿电流原创 2018-01-02 19:45:58 · 7414 阅读 · 0 评论